世界最大クラスのGaN専業IDMが提供する、高性能でコスト競争力のあるGaNデバイス
Innoscience Technology Co., Ltd. は、2015年に設立された中国・蘇州本社のGaNパワー半導体専業メーカーであり、8インチGaN-on-Siウェハの量産を実現した世界最大クラスのIDMです。 GaNデバイスは15V〜1200Vの電圧帯を幅広くカバーし、エピウェハ、ディスクリート、統合型IC、ゲードドライバ製品を提供しています。 2024年12月30日には香港証券取引所（HKEX: 2577）へ上場し、事業基盤をさらに拡大しました。 2023年時点での全世界GaNパワーデバイス市場において高いシェアを持ち、出荷累計は20億個以上、従業員数は約1,600名です。 自社工場による一貫生産体制と大規模製造設備により、量産安定性・品質信頼性・供給力を強みにしています。
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基本情報
Innoscienceは、8インチGaN-on-Si製造ラインを中心とした量産プロセスを保有しており、低耐圧から高耐圧までのGaNパワーデバイスを幅広くラインアップしています。 製品は民生電子機器、産業機器、データセンター、車載電子機器、再生可能エネルギー分野など多様な用途に対応しています。 事業はIDMモデルに基づき、設計、製造、検査まで社内で完結しており、グローバル特許を多数保有していることから、量産安定性・信頼性・供給継続性を確保したGaNパワー半導体の提供を可能としています。
価格帯
納期
用途／実績例
InnoscienceのGaNデバイスは、消費者向け電源アダプタ、5G基地局、データセンター電源、産業用電源システム、車載電子機器、再生可能エネルギー機器など、幅広い分野で採用されています。また、AIデータセンター向けの高効率電源アーキテクチャへの供給実績も報告されており、800V DCアーキテクチャでの高効率化に寄与しています。大手電子機器メーカーなど、国内外の企業で採用実績があり、用途の多様性と市場浸透度は高い評価を受けています。
ラインアップ（1）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| ・GaN HEMT ・Solid GaN ・Gate driver |
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企業情報
伯東株式会社は、エレクトロニクス専門商社・技術サービスを提供する 技術商社・化学工業薬品メーカーとして、個々のニーズの見極めから 人と技術が共生する豊かな未来を創造しています。 当社は1953年11月に、水晶原石の輸入・販売を手がける商社として設立。 「伯東」とは、水晶の原産地である伯剌西爾 (ブラジル) の「伯」と 東京の「東」の頭文字をとり命名されたもので、この社名には ブラジル・東京を結ぶだけではなく、広く世界を結ぶ国際商社として 成長していこうという熱い思いが込められています。 【イプロス掲載メーカー／製品群】 旭化成／センサー、ホール素子・IC Crystal IS（クリスタルアイエス）／UVC（深紫外線）LED IMPINJ（インピンジ）／RAIN RFID機器・システム・ソフトウェア
