半導体製造装置向け静電チャックです。 大気～高真空 極低温～高温-100～200℃で運用が可能です。導体~絶縁体基板 吸着可能
半導体製造装置内で運用する静電チャックです。 大気～高真空 極低温～高温-100～200℃で運用が可能です。また 導体~絶縁体基板まで幅広い材質が吸着できます。 ・Si 化合物半導体 サファイヤ 水晶 LT LN 半導体向け基板 導体から絶縁体まで吸着が可能です。 ・接着剤フリーの為 極低温領域-100℃でも運用が可能です。 ・弊社特有技術 ワークと静電チャック接触界面のみで保持力が働くため、裏面側の影響をうけません(裏面帯電等の影響なし）
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基本情報
[仕様] 対象物 ：導体~絶縁体（Si 化合物 サファイヤ 水晶 LT LN基板など） 動作環境：大気～真空 -100℃～200℃ Max. 結露無き事 制御 ：専用電源 垂直保持力 ±1kV時 ：130gf/cm2 （Conductor～Semiconductor） 40gf/cm2（Insulator LCD Glass） 平面度 ：10µm~(要ご相談）
価格帯
納期
用途／実績例
イオン注入装置 成膜装置 エッチング装置 検査・分析装置 露光装置 他 ウェハ搬送 固定ステージ
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企業情報
筑波精工株式会社は、主に静電吸着システムの開発・製造・販売を行っている会社です。当社の静電チャックが、皆様の技術革新歩留まりアップ生産効率改善のお役にたてるよう、試作品から量産品まで、お客様要求仕様にあわせ1Pから製作対応致しますので、お気軽にお問い合わせ下さい。
