半導体製造装置の製品一覧

  • 分類:半導体製造装置

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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減!】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録!ワークに応じた無料相談、テストも受付中!

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  • その他搬送機械

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JIS・ISO規格の解説資料進呈。豊富な製品シリーズから好適な安全柵をご提案!デモキット無料貸出。

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  • その他安全・衛生用品

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小ロットの時は厳しい要求のご相談に対応!エッチング加工

  • エッチング装置

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鋳物の試作品の納期でお困りではありませんか?鋳鉄、アルミ鋳物、ステンレス鋳物(ロストワックス鋳造)の「鋳物試作サービス!」

  • その他半導体製造装置

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幅広い分野のナノメートル計測に。精密干渉計測用光源として大手メーカーに1000台超の納品実績を保有。

  • 光学測定器
  • 半導体検査/試験装置

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1 mあたりの計測誤差0.1 nm。精密干渉計測用光源として大手メーカーに1000台超の納品実績を保有。

  • 光学測定器
  • 半導体検査/試験装置

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10⁻¹¹の周波数安定性。スマホ・車載用レンズ、半導体ウェハー向け精密干渉計測用光源として大手メーカーに1000台超の納品実績。

  • 光学測定器
  • 半導体検査/試験装置

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広視野角・超高精細な撮像が可能で、各種MV用途に好適な超高画素カメラ

  • モノクロカメラ
  • カラーカメラ
  • 半導体検査/試験装置

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シリコンフォトニクスの量産スクリーニングに最適化されたスマートテストシステム

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  • テスタ

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LIV・EA・スペクトルまで一台対応——完全自動、超高効率テスター、量産に不可欠

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  • テスタ

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グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

  • 蒸着装置
  • スパッタリング装置
  • アニール炉

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MiniLab-WCF.png

【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用(6inch〜8inch)

Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲:Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式(多段5枚カセット) ◾️ ヒーター制御:1ゾーン、又は2ゾーン(カスケード制御) ◾️ ヒーター材質: ・C/Cコンポジット:Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気: ・真空(1x10-2Pa)、不活性ガス(Ar, N2) ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転(オプション) ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール(MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御) ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • CVD装置

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ANNEAL_photo.png

ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar) [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

高アスペクトTGV/ TSVに対応可能。ALD用として世界最大チャンバーサイズ(1000mm□) 

  • その他半導体製造装置
  • プラズマ表面処理装置
  • 表面処理受託サービス

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Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

  • アニール炉
  • 加熱装置
  • 電気炉

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ML-S125-iPROS_550-1.jpg

多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載!コンパクトサイズ!

多元マルチスパッタリング装置(Φ8inch基板対応) ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード(Source1, 2, 3)へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード(4)で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃(SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能) ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • その他半導体製造装置

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BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD(スパッタ、蒸着、EB等)、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易(M6スタッドボルト、支柱) 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対:素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線(Nb, Mo, Pt/Re, WRe他) ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更(PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他) ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

はんだ天秤や撹拌機などの電子実装製品や、はんだ付け装置、半導体装置などを取扱い!

  • はんだ付け装置
  • その他半導体製造装置

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高電圧ケーブル(UL対応品有)とケーブルアッセンブリを含む完全な接続ソリューションを提供。

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  • 丸型コネクタ
  • その他半導体製造装置

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最先端レベルのFlashメモリ書込みとセキュアデバイスプロビジョニングにいち早く対応し、国内の幅広い用途に拡販!

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  • その他半導体製造装置
  • マイクロコンピュータ
  • 半導体検査/試験装置

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  • その他半導体製造装置

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  • その他半導体製造装置
  • その他フィルタ
  • ろ過装置

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  • その他フィルタ
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熱反射×レーザー技術で、LITでは検出が難しかった金属層下の発熱箇所を2μmまで絞り込み、発熱解析の限界を突破します。

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  • ThermoDynamic Imaging 2枚.png
  • 半導体検査/試験装置
  • 欠陥検査装置

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半導体のガス供給系の集積化システムに対応した小型圧力ゲージ

  • その他半導体製造装置
  • センサ

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PFASフリーでありながら、高い性能を実現する界面活性剤!

  • レジスト装置
  • プリント基板

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両面実装基盤の表面のみ検査が可能!3D断層検査にも対応 ※詳細解説資料進呈

  • 半導体検査/試験装置
  • X線検査装置

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シリコンウェーハ内部の結晶欠陥ボイドを自動で検査!

  • 半導体検査/試験装置
  • X線検査装置

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X線焦点寸法0.25μmの高解像度を持った解析用X線観察装置

  • 半導体検査/試験装置
  • X線検査装置

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ウェーハ上のはんだバンプの検査を自動で行うX線自動検査装置

  • 半導体検査/試験装置
  • X線検査装置

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超仕上げ加工の自動化・粗さの均一化に。用途や形状に合わせて外径・内径・端面などの研磨装置をご提案

  • ウエハ加工/研磨装置

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