CVD装置の製品一覧

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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減!】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録!ワークに応じた無料相談、テストも受付中!

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  • その他安全・衛生用品

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クリーンルーム対応の精密機器据付から保守まで、半導体製造装置の導入をトータルサポート! 補足情報

  • CVD装置
  • エッチング装置
  • レジスト装置

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コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置

  • スパッタリング装置
  • 蒸着装置
  • CVD装置

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ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar) [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を保有しています!

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3L容器までコーティング可能!容器軽量化による物流コストの低減などに貢献します

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広範な膜特性の制御可能!大幅なパーティクル低減および生産性を向上します

  • CVD装置

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高い汎用性を備えたシンプルな構造!独自のプラズマ制御方式を採用しています

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  • CVD装置

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対応可能膜種はDLC、アモルファスSiC等!基板加熱機構付き(最高設定温度:500℃)

  • プラズマ発生装置
  • CVD装置

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FPDなどリジット/フレキシブルデバイスに対応した4.5世代のガラス基板成膜装置

  • CVD装置

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量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置(12インチウェハ対応)

  • CVD装置

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量産向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置 (8インチウェハまで対応)

  • CVD装置

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少量・多品種向け NSG(SiO2)/PSG/BPSG膜成膜用 枚葉式常圧CVD(APCVD)装置(8インチSiCウェハ対応)

  • CVD装置

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試作・開発・小ロット生産向け NSG(SiO2)/BSG/PSG/BPSG膜成膜用 バッチ式(複数枚同時処理)APCVD装置

  • CVD装置

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結晶Si太陽電池セル量産用 NSG(SiO2)/PSG/BSG膜成膜用 高生産性 連続式常圧CVD(APCVD)装置

  • CVD装置

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従来の陽極酸化装置をさらに応用したポーラスシリコン形成装置。使用薬液・電流密度により多孔質シリコンウエハーが形成されます。

  • CVD装置

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半導体・医療機器分野に求められる高清浄度に対応。精密洗浄から包装・組立までを一貫してクリーン環境で行います。

  • CVD装置
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