アニール炉の製品一覧
- 分類：アニール炉
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
【MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉】Max 2000℃_ウエハー高温焼成専用（6inch〜8inch）
Max2000℃ Φ6〜8inchウエハー専用高温アニール装置 小規模生産も可能なマルチ雰囲気ウエハーアニール装置 ◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）
- アニール炉
- 加熱装置
- 電気炉
多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
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BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
- アニール炉
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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
- アニール炉
BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
- その他半導体製造装置
- アニール炉
- CVD装置
BHシリーズ【UHV対応 超高温 真空薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、高温真空アニール、高温解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ● 予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） 【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子