アニール炉の製品一覧
- 分類：アニール炉
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【重量物の取り扱いによる作業負担を軽減！】お客様の課題を解決した導入事例5選を収録！ワークに応じた無料相談、テストも受付中！
- その他搬送機械
狭い作業スペースや、市販のスパナレンチやモンキレンチでも配管作業可能！締込みキズを最小限に抑える利便性の高いねじ継手。
- 管継手
- 配管材
- バルブ
先端パッケージへの展開 300×300、510×515等、次世代パッケージ基板向けに各種プロセス装置をご提案いたします
- スパッタリング装置
- エッチング装置
- アニール炉
大型基板対応真空・還元雰囲気シンタリング炉│半田付け、焼結接合、Cuビア焼成等多目的処理が可能です。
- アニール炉
- リフロー装置
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
- アニール炉
- 電気炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
- アニール炉
- 電気炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
その技術、AIや半導体メーカーの選定者に伝わっていますか？ 事業と営業を“構造”で揃え、次世代選定の土台を作る。
- アニール炉
- ウエハー
- ダイオード
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成
- 蒸着装置
- スパッタリング装置
- アニール炉
高温アニール炉 ◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
- スパッタリング装置
- 蒸着装置
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。
- 加熱装置
- 電気炉
- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。