電気炉の製品一覧
- 分類：電気炉
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電池の基本概念から、利用目的・実現方法による分類までを体系化。複雑な電池選定の第一歩を、初心者目線で分かりやすくまとめました
- 電池・バッテリー
- 技術書・参考書
- 技術書・参考書
分割式管状炉、 HTRV-Aモデルは、縦置、または横置での使用で最高温度1700℃の熱処理が可能です。
- 電気炉
日々の清掃から自由になって欲しいという願いを込めたアルミ連続溶解保持炉『Freedom』に電熱と燃焼のハイブリッド型が登場！
- アルミニウム
- 工業炉
- 電気炉
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉
- 加熱装置
- アニール炉
- 電気炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
デモ機無償貸し出し中！SiCヒーターを用いた取鍋電気加熱装置
- 電気炉
- 加熱装置
- セラミックヒータ
従来の空圧式と一線を画す省力・迅速・環境保存の電動築炉機EVS（Electric Vibration System）！！！
- 電気炉
- 電動工具
- 合金
ルツボ式誘導炉ライニング材といえば日本ルツボのシリカ材！！！各種築炉機で施工できお客様の安定操業に貢献します。
- 電気炉
- セラミックス
- 工業炉
グローブボックス内作業を最小に◎固体電解質材料スクリーニング/温度特性別インピーダンス評価◎複数均一・短時間・正確に試験評価
- リチウムイオン電池
- 2次電池・バッテリー
- 電気炉
《OCT搭載加熱観察イメージ炉》世界的な研究に貢献！高温下で内部構造の変化を直接観察
「OCT搭載加熱観察イメージ炉」は、集光加熱方式を利用したコンパクトな設計で、OCT（光コヒーレンストモグラフィー）を搭載した、内部観察装置です。この装置を利用し、横浜国立大学と神奈川県立産業技術総合研究所の研究グループは、高温で焼結中のセラミックスの内部構造変化を、世界で初めて直接観察することに成功しました。 詳細はカタログをご覧ください。 ご不明点やご相談等ございましたら、お気軽にお問い合わせください。
【高温加熱炉予算申請用カタログ】＼ 開発・研究費などの予算申請に ／
世界中の様々な研究機関で使用されている、米倉製作所の加熱観察装置・IRイメージ炉をラインナップしました。 ▼ラインナップ▼ 高温炉 1.加熱観察型「MHO-300-2」お持ちの顕微鏡で観察！オプションで-100℃まで冷却も 2.小型「IR-TPS」お持ちの顕微鏡で高温(1500℃)その場観察 3.超高温加熱型「IR-18SP」高温(1800℃)まで加熱 4.小型「IR-TP」各種分析を可能とした設計 5.広域高温型「IR-QP」IRシリーズでは加熱範囲が広く、高温(1700℃)まで加熱 6.広域型「IR-HP」IRシリーズでは加熱範囲が広く、平板、ウエハ、基板などの加熱に 7.広域高温型「IR-HQ」IR-QPの上位機種。高温(1800℃)まで加熱 8.大面積「IR-OP」様々な加熱条件のシュミレーションに 9.長尺大面積「IR-HP5」専用設計の長尺加熱ランプ採用 詳細は各商品ページなどでご確認ください。試験に合わせたカスタマイズのご相談も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。
- 加熱装置
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- アニール炉
4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。