更新日： 集計期間:2025年08月27日～2025年09月23日
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CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可能です！
『ロードロック式スパッタリング装置』は、ムービングマグネットにも対応し 全面エロージョンが可能です。 当社独自のスパッタカソードや急速昇降温基板加熱機構を搭載し 基板温度900℃を実現。 発光分析システムによるプラズマ分析とフィードバック制御により、 高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜ができます。 【特長】 ■当社独自のスパッタカソードを搭載 ■ムービングマグネットにも対応し全面エロージョンが可能 ■当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し基板温度900℃を実現 ■高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜が可能 ■リフトオフ等低温プロセスも対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
三元同時スパッタによる新素材の薄膜開発！実験内容や予算に応じてカスタマイズ可能
『NS-023』は、三種のターゲットを同時に成膜可能な三元マグネトロン スパッタリング装置です。 多元同時スパッタ以外にも、白金ヒーターを採用することで、基板の高温活性化 （ヒータ温度：950℃）や反応性スパッタなど様々な使い方に対応しています。 また、アシスト用プラズマ源も対応可能（ECR、ICP、他）です。 【特長】 ■三種のターゲットを同時に成膜可能 ■多元同時スパッタ以外にも、様々な使い方に対応 ■実験内容や予算に応じてカスタマイズ可能 ■アシスト用プラズマ源も対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
FHR Star.100-Tetra CoはMEMSや高機能光学製品向けに設計された非常にコンパクトなスパッタリング装置です。
このシステムには3つのスパッタリングソースと プレクリーニングエッチャーがすべて共焦点形状に配置されており、生産性を高めるためにロードロックならびに搬送チャンバを追加することも可能です。スパッタリングソースには直径100mmのシャッターが搭載されており、このシャッターを制御することで成膜コントロールすることが可能です。また、ソースと基板の距離も制御が可能です。これらの制御はプログラムによりオートコントロールされることで最適な成膜を実現しています。 主用途：MEMS製品や高機能光学製品製造 寸法 (L×W×H)： 2.3 m× 1.3 m × 2.1 m 重量(ロードロック付の場合) ：1,700 - 2,000 kg 最大基板サイズ： 直径150 mm 最大基板キャリア：直径220 mm 対応プロセスガス: アルゴン、酸素、 その他 詳細はお問い合わせください。
R&Dやニッチプロセスへの対応に特化 量産用装置では困難な少量生産や試作・研究開発のための新型マルチチャンバスパッタリング装置
先端薄膜プロセス開発・少量生産専用の低コスト型マルチチャンバスパッタリング装置。 膜厚制御性に優れた高効率カソードと豊富なオプション機構により幅広い分野に対応 Ｓｉ半導体の電極・配線膜だけでなく、マイクロ磁気デバイスやＭＥＭＳ用の磁性体膜・絶縁膜・保護膜など各種プロセスに実績 蒸着・アニール・ＣＶＤなどの異種プロセス室も装備可能で実績のあるメインフレーム（搬送システム）に各プロセス室を自由に接続できるフルカスタム・オーダーメイド製作が特徴
基板ダメージが少ない／イオン量とエネルギーを独立制御／磁性体ターゲットに使用可能
デバイスの微細化の進展または薄膜結晶の高品質化の要求が高まるにつれて、スパッタリングにおいて基板へのイオンダメージが大きな問題となっている。従来広く利用されているマグネトロンスパッタ法では、ターゲット材と基板の間に直接プラズマを形成するため、「1 イオンダメージの回避が困難」であり、高密度プラズマ生成時にはこの問題が顕著化してしまう。またプラズマ生成のための放電とイオン引き込みを同一の電源で同時に行うため、「2 ターゲット材へ流入するイオン量とそのエネルギーを独立に制御することが不可能」であること。ターゲット表面に存在する漏れ磁束でプラズマ閉じ込めを行うため、「3 磁性体ターゲットにおいては使用が困難である」ことなどの課題も存在する。 本発明は、ヘリコン放電による高密度プラズマ生成や、湾曲磁場によるプラズマ形状制御等により、上記1～3の課題を解決するものであり、それと同時にターゲット材の昇温機構を兼ねることや、大口径基板への均一成膜、高速成膜も検討し得る。
最大５元カソードによる多元・多層成膜。耐摩耗性・耐熱性・平滑薄膜。ロードロックタイプぷで高温成膜でもハイスループット。
精密レンズ金型のコーティングに必要な耐熱性の高い耐摩耗膜のに形成に最適。レンズ金型のコーティングに適したＰｔやＲｕなどの貴金属合金を多元同時スパッタで小径カソードで効率的に形成。またナノ多層構造の積層膜により耐熱性と硬度に優れた膜も形成可能。 精密レンズ金型のような基板を高速に加熱できる特殊基板台と専用ロードロック機構でスループット向上を実現。
基板温度900℃を実現！基板ステージに3軸機構を搭載し、均一な膜厚分布を実現
『多元スパッタリング装置』は、最大4台のスパッタカソードを搭載し、 金属膜、酸化膜等の積層成膜が可能です。 CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可能。 また、基板ステージに3軸機構（昇降、公転、自転）を搭載し、 均一な膜厚分布を実現します。 【特長】 ■当社独自のスパッタカソードを搭載 ■当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し、基板温度900℃を実現 ■最大4台のスパッタカソードを搭載し、金属膜、酸化膜等の積層成膜が可能 ■トレイ搬送にも対応 ■CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x 800(D) ●プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれへも設置可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング プラズマエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。
各種材料、基材の加工実績が豊富！電磁波シールド、帯電防止、面状発熱体など
積水ナノコートテクノロジーの『スパッタリング加工』をご紹介します。 ・不織布・フィルター・繊維などにも対応。 また、最大3400mm幅まで対応可能なスパッタ装置を所有。 薄膜製品開発/販売、成膜受託加工、試作など、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■3つの技術軸：光学調整・導電・抗菌/ウイルス ■多様な用途/機能での実績 ■各種材料、基材の加工実績が豊富 ・材料：各種金属、合金、化合物 基材：フィルム、金属箔、紙など ■繊維へのスパッタ加工 ・例：化学繊維、炭素繊維、ガラス繊維、不織布、など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
標準モデル登場！低コスト・短納期で提供可能になりました｡ 高真空、多層連続膜・同時成膜、RF/DC多目的スパッタ装置。
高機能 多目的 RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 タッチパネル簡単操作 熟練度を問わずどなたでも簡単に操作が可能です。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780両電源搭載 ● MFC x 3：プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
電波透過膜を高品質に実現する枚葉式スパッタリング装置です。
特長 ■減衰率の低い電波透過膜（不連続膜） ■枚葉式だから自動化が容易 ■国内トップシェアの実績
均一性プラズマ閉じ込めによる高品質スパッタリング
「ユニフォームプラズマスパッタ装置」はいわゆる対向ターゲットスパッタ方式を採用しています。従来の対向ターゲットスパッタ方式はミラー磁場をそのまま利用したものですが、ミラー磁場の特性を生かしつつスパッタリングすることを目的として改良されています。 ミラー磁場を利用したプラズマ閉じ込め方式をスパッタに利用するのはとても有効で、スパッタ利用のためにその形態を大きく変える必要がなくターゲットを2枚対向させることでそれらの間にプラズマが大変効率よく閉じこめられます。これに対しトロイダルコイルなどを利用したプラズマの閉じ込め方式ではトカマク型がありますがこれをスパッタに利用するには困難で、現状では通常トロイダルコイルを輪切りにしたような形態を利用しています。この場合ドリフトが発生しプラズマが十分に閉じ込められず容器内で広がってしまいます。 しかしながらミラー磁場というだけではスパッタに利用した場合ターゲット間でのプラズマ閉じ込めには有利ですが均一性は期待できません。 そこでプラズマ閉じ込めと均一性を両立させたのがユニフォームプラズマスパッタ装置です。
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） -3) Max1000℃（SICコーティング） ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(＜30W） システム主制御：'IntelliDep'制御システム Windows PC（又はTP HMI）インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理
