更新日： 集計期間:2026年03月25日～2026年04月21日
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スパッタ装置とは、薄膜（はくまく）と呼ばれる、ナノメートルからマイクロメートル単位の非常に薄い膜を、基板（ガラス、シリコンウェハ、フィルムなど）の表面に形成するための真空装置の一種です。真空チャンバー内でアルゴンなどの不活性ガスをプラズマ化し、そのイオンをターゲットと呼ばれる成膜材料の塊に高速で衝突させます。すると、ターゲットの原子が叩き出され（スパッタリング現象）、対向する基板に付着して膜が堆積します。半導体、液晶パネル、光学レンズのコーティングなどに不可欠です。
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表面改質から触媒利用まで！成膜事例付きで密着性が高い粉体スパッタ技術をご紹介！
当資料は、エイ・エス・ディ株式会社の取り扱う『粉体スパッタ技術』 についてご紹介しています。 「粉体コーティングにおけるめっき(湿式)とスパッタ(乾式)の比較について」や、 「成膜事例(光学顕微鏡観察像)」「粉体スパッタリング装置外観図」などを 掲載しています。 【掲載内容】 ■粉体コーティングにおけるめっき(湿式)とスパッタ(乾式)の比較について ■応用性の広がり ■粉体スパッタリング装置外観図 ■成膜事例 ・光学顕微鏡観察像 ・断面SEM観察像 ■デモ実験機 仕様 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
各種成膜処理ができる半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜プラットフォーム
『CLUSTERLINE（クラスターライン）』は、エバテックの半導体ウェハー・アドバンストパッケージング向け成膜ファミリー。 最大12インチまでのウェハーのカセットからカセットへ完全に自動化された処理を備えたクラスターアーキテクチャ。 半導体アドバンストパッケージング、ウェハー前工程、パワーデバイス、ワイヤレス、光学薄膜、光電融合に金属、圧電膜、絶縁膜等成膜ソリューションを提供。 PVD、ALD、PECVD、エッチング等が可能なシングルプロセスモジュール(SPM)の組み合わせ、またはバッチプロセスモジュール(BPM)をそれぞれ使用して、枚葉基板処理またはバッチ処理用のツールの選択ができます。
DWDM成膜用イオンビームスパッタ装置です。
光学分野用イオンビームスパッタ装置です。 スパッタ:16cm RF Ion Source アシスト:16cm RF Ion Source ターゲット：2面 揺動機能 ステージ：自転 膜厚制御：透過型波長可変レーザー膜厚制御 主排気：クライオポンプ 又は TMP+SUPCOLD 詳しくはお問い合わせ願います。
DCパルススパッタリングが可能(導電性ターゲット使用した絶縁膜のリアクティブスパッタ)！
『ECLIPSE』は、フロント及びバックサイドメタライゼーション、 誘電体・圧電体成膜用のサイドスパッタ方式のスパッタリング装置です。 また、極薄ウェーハ、脆弱基板に対応する独自開発の搬送機構を有します。 バックサイドメタラーゼーション・アンダーバンプメタルなどの スパッタリングプロセスにおいて連続成膜とウェーハ搬送に課題を 持っているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■非接触なウェーハ搬送機構 ■生産用150mmウェハーに対応(ウェーハ厚さ：250um) ■生産用100mmウェーハにも対応(ウェーハ厚さ：130μm) ■ウェーハセルフセンタリングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
研究開発から量産までサポート！
信頼性の高い標準型のハードウェアと豊富な実績に支えられ、神港精機は1967年に1号機を世に送り出して以来、多くの分野で活躍しています。柔軟で先進的なソフトウェアにより常に最先端を切り開く最新型の装置の装置を提供しています。
信頼性の高いシステムを構築！メンテナンスや改造も当社にお任せください
当社は30年以上真空技術に携わり、ユーザー様の仕様に合わせた製品を 主に研究機関に提供してまいりました。 2系統のガス導入が可能な「RFマグネトロンスパッタ装置」や 安価で手軽に薄膜作製が可能な「小型真空蒸着装置」など 真空成膜装置を多数ラインアップ。 その他「真空チェンバー」や「ターボ真空排気装置」などの 各種研究用装置もご用意しております。 ご用命の際はお気軽にご相談ください。 【特長】 ＜真空成膜装置＞ ■装置の拡張性を考慮 ■経済性なシステムとなるよう設計 ■簡易・小型のものから1mを超えるターゲットサイズも対応 ■実験から生産まで幅広い分野で実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
多機能・コンパクト・フレキシブル対応、実績と信頼の標準型ラインナップ
コンパクトな筐体に３元のカソードを組み込んだ標準バッチタイプスパッタリングシリーズ。広い膜厚分布均一範囲と自動制御機構によって各種電子デバイスや関連材料の成膜工程をの基礎開発から量産までカバーします。 多くの納入実績に支えられた成膜プロセスとオプションにより御要望を確実にサポートします。
高水準な仕様と豊富なオプションで様々な成膜用途に適した研究開発用スパッタリング装置です。
特長 ■クリーンなサイドスパッタ方式を採用 ■ロードロック式タイプ、バッチ式タイプの2機種をご用意 ■タッチパネルで簡単な操作・成膜条件管理、メンテナンスも容易な装置コンセプト ■設置スペースを取らないコンパクトな装置 ■お客様のご要望・用途に応える豊富なオプション ■低温・高温スパッタにも対応 ■広範囲に分布が良いスパッタ源を標準搭載（±5%以内（SiO2でφ170mm以内）） ■少量生産、夜間自動運転に対応した自動搬送オプションも可能 ■用途 ・有機EL, 太陽電池, 光学部品, バイオ, 半導体・電子部品, 自動車・樹脂, 特殊膜, MEMS ■代表的な成膜材料 ・誘電体膜ほか SiN, SiO2, ZrO, TiO2, 重合膜 ・透明導電膜 ITO, ZnO ・金属膜ほか Au, Ag, Cu, Si, Ti, Sn, Cr, Al, Ni, DLC, 電磁波シールド
スパッタリング装置
固体表面にイオン化して加速した原子あるいは分子を衝突させることにより、固体表面から固体材料が飛び出してくる現象（スパッタリング）を利用した成膜装置です。高融点金属や合金材料、誘電体、絶縁材料にも適用できる為に、工業的利用価値が高い。
放電操作が容易！RF電源にオートマッチングを採用したコンパクトな設計
『FRS-HGシリーズ』は、2源/3源の同時スパッタ機能を搭載した 研究開発用の多源同時マグネトロンスパッタ装置です。 据付タイプながらコンパクト且つスタイリッシュな設計。 成膜ソース導入ポートは3ヶ所用意されており、スパッタリングカソードに 加え、アークプラズマ蒸着源などスパッタリングとの相乗効果が期待できる 成膜ソースを搭載することが可能です。 【特長】 ■据付タイプながらコンパクト且つスタイリッシュな設計 ■RF電源にオートマッチングを採用しており、放電操作が容易 ■2源または3源の同時成膜により、薄膜の機能・性能の微調整が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体、MEMS、電子部品等に！単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで高速かつ安定した連続成膜が可能！
『圧電膜形成スパッタリング装置』は、単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで連続成膜することが可能な製品です。 プラズマエミッションモニターによるプラズマ分析とフィードバック制御により、高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜、圧電特性低下に寄与する元素検知も可能です。 当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載しており、基板温度900℃を実現します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体、MEMS、電子部品等に！単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで高速かつ安定した連続成膜が可能！
『圧電膜形成スパッタリング装置』は、プラズマエミッションモニター搭載により 圧電特性低下に寄与する元素検知可能な製品です。 単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで連続成膜することができます。 また発光分析システムによるプラズマ分析とフィードバック制御により、 高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜が可能。 当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載しており、基板温度900℃を実現します。 【特長】 ■圧電に寄与する軸長を最大限に長くするDeposition構造 ■当社独自のスパッタカソードを搭載 ■ムービングマグネットにも対応し全面エロージョンが可能 ■トレイ搬送も対応可 ■CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ヒーターステージ(1000℃)搭載！開発工程～量産工程まで様々な用途へ活用が可能
『S600』は、多層・積層成膜プロセスの改善により電子部品の品質強化と 生産性向上に貢献する多層膜スパッタリング装置です。 高品質・高精度な成膜によりデバイス品質の向上。高スループット、 生産歩留り向上、材料利用効率の最適化によりコスト競争力をアップします。 多様な成膜条件に対応したオプションにより多品種少量生産、柔軟な 生産計画へ対応可能です。 【特長】 ■最大5基のカソード搭載により多様なプロセスと高生産性を両立 ■T/S距離調整により長期間の高膜厚均一性を維持 ■独自プラズマ制御(MPスパッタ)技術にてスパッタ薄膜特性を向上 ■ヒーターステージ(1000℃)搭載で高温プロセスが可能 ■開発工程～量産工程まで様々な用途へ活用が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能な装置についてご紹介します
『PGSモデル』は、圧力勾配現象を採用した画期的なスパッタ装置です。 高真空域でのスパッタ成膜が可能。 また、低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能です。 九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果の製品と なっております。 【特長】 ■圧力勾配現象を採用 ■高真空域でのスパッタ成膜が可能 ■九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
高機能・低価格 タッチパネル式フルオートコーティング機能搭載で、あらゆる性能をパワーＵＰしました！
電子顕微鏡観察用前処理のための新型オスミウムコーター。 これまで人の手によるオペレーションの難しかった部分を完全自動化。より安全に、より簡単にオペレーションできる、オスミウムコーティングの新次元。 タッチパネルを搭載し、簡単で明快な操作を実現しました。誰でも簡単に、電子顕微鏡用導電膜を成膜可能。 また、多彩なオプションもご用意。安全面や機能を拡張します。 徹底的にこだわり抜いた装置ですが、驚きの低価格も実現。オスミウムコーティングにご興味のある方、オペレーションに不安のある方、是非当社のオスミウムコーターをご検討ください。テスト成膜、デモの依頼も随時承っております。
モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。
【フレキシブルシステム】 MiniLab薄膜実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材料に応じて都度、ご要望に適したコンポーネント（成膜ソース、ステージなど）、制御モジュールを組み込み、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式システム設計により構成バリエーションが豊富、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（MiniLab-026/090）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（MiniLab-070/080）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（MiniLab-125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。
省スペース化を実現！同時放電による合金膜や積層膜の形成に最適なスパタ装置
『HSK602VTA』は、6基の小型カソードが個別のシャッターと電源を 持ち、同時放電による合金膜や積層膜の形成に最適なスパタ装置です。 リボルバー式4サンプルホルダーを装備しており、一度の真空引きで 4条件の成膜ができます。 また、コンパクト設計により、省スペース化を実現しました。 【特長】 ■コンパクト設計 ■6カソード ■リボルバー式4サンプルホルダーを装備 ■一度で4条件の成膜が可能 ※詳しくはカタログをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小径基板専用のコンパクトタイプスパッタリング装置 全手動操作で低コスト化を実現。研究実験専用の標準タイプ
高い信頼性をもつ上位機種と真空槽・排気系を共通化。操作方法の手動化によって低コスト化を実現。膜種・目的に合わせて各部（カソード・基板台等）が選択可能。実績豊富な各部機構と安定した成膜性能で研究開発作業の効率化・質の向上が「図れます。
三元同時スパッタによる新素材の薄膜開発！実験内容や予算に応じてカスタマイズ可能
『NS-023』は、三種のターゲットを同時に成膜可能な三元マグネトロン スパッタリング装置です。 多元同時スパッタ以外にも、白金ヒーターを採用することで、基板の高温活性化 （ヒータ温度：950℃）や反応性スパッタなど様々な使い方に対応しています。 また、アシスト用プラズマ源も対応可能（ECR、ICP、他）です。 【特長】 ■三種のターゲットを同時に成膜可能 ■多元同時スパッタ以外にも、様々な使い方に対応 ■実験内容や予算に応じてカスタマイズ可能 ■アシスト用プラズマ源も対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
R&Dやニッチプロセスへの対応に特化 量産用装置では困難な少量生産や試作・研究開発のための新型マルチチャンバスパッタリング装置
先端薄膜プロセス開発・少量生産専用の低コスト型マルチチャンバスパッタリング装置。 膜厚制御性に優れた高効率カソードと豊富なオプション機構により幅広い分野に対応 Ｓｉ半導体の電極・配線膜だけでなく、マイクロ磁気デバイスやＭＥＭＳ用の磁性体膜・絶縁膜・保護膜など各種プロセスに実績 蒸着・アニール・ＣＶＤなどの異種プロセス室も装備可能で実績のあるメインフレーム（搬送システム）に各プロセス室を自由に接続できるフルカスタム・オーダーメイド製作が特徴
試料の上面、側面などや、複雑な試料にも奥深く均一にコーティング可能！
試料表面の導電被膜形成処理として、金属オスミウム（Os）の極薄膜 コーティングを行います。 熱ダメージもなく、nm単位の膜厚を高い再現性で成膜可能。 また、試料表面に膜由来の形状が現れず、表面形状観察やEBSD測定への 前処理に用いることができます。 繊維構造を有するサンプルの表面観察では、オスミウムコートでは、複雑な 構造でもチャージアップなく観察できました。 【特長】 ■チャージアップのない極薄膜の形成 ■再現性の高い膜厚制御 ■粒状性のない膜 ■熱ダメージのない成膜 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大５元カソードによる多元・多層成膜。耐摩耗性・耐熱性・平滑薄膜。ロードロックタイプぷで高温成膜でもハイスループット。
精密レンズ金型のコーティングに必要な耐熱性の高い耐摩耗膜のに形成に最適。レンズ金型のコーティングに適したＰｔやＲｕなどの貴金属合金を多元同時スパッタで小径カソードで効率的に形成。またナノ多層構造の積層膜により耐熱性と硬度に優れた膜も形成可能。 精密レンズ金型のような基板を高速に加熱できる特殊基板台と専用ロードロック機構でスループット向上を実現。
CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可能です！
『ロードロック式スパッタリング装置』は、ムービングマグネットにも対応し 全面エロージョンが可能です。 当社独自のスパッタカソードや急速昇降温基板加熱機構を搭載し 基板温度900℃を実現。 発光分析システムによるプラズマ分析とフィードバック制御により、 高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜ができます。 【特長】 ■当社独自のスパッタカソードを搭載 ■ムービングマグネットにも対応し全面エロージョンが可能 ■当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し基板温度900℃を実現 ■高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜が可能 ■リフトオフ等低温プロセスも対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基板温度900℃を実現！基板ステージに3軸機構を搭載し、均一な膜厚分布を実現
『多元スパッタリング装置』は、最大4台のスパッタカソードを搭載し、 金属膜、酸化膜等の積層成膜が可能です。 CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可能。 また、基板ステージに3軸機構（昇降、公転、自転）を搭載し、 均一な膜厚分布を実現します。 【特長】 ■当社独自のスパッタカソードを搭載 ■当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し、基板温度900℃を実現 ■最大4台のスパッタカソードを搭載し、金属膜、酸化膜等の積層成膜が可能 ■トレイ搬送にも対応 ■CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
FHR Star.100-Tetra CoはMEMSや高機能光学製品向けに設計された非常にコンパクトなスパッタリング装置です。
このシステムには3つのスパッタリングソースと プレクリーニングエッチャーがすべて共焦点形状に配置されており、生産性を高めるためにロードロックならびに搬送チャンバを追加することも可能です。スパッタリングソースには直径100mmのシャッターが搭載されており、このシャッターを制御することで成膜コントロールすることが可能です。また、ソースと基板の距離も制御が可能です。これらの制御はプログラムによりオートコントロールされることで最適な成膜を実現しています。 主用途：MEMS製品や高機能光学製品製造 寸法 (L×W×H)： 2.3 m× 1.3 m × 2.1 m 重量(ロードロック付の場合) ：1,700 - 2,000 kg 最大基板サイズ： 直径150 mm 最大基板キャリア：直径220 mm 対応プロセスガス: アルゴン、酸素、 その他 詳細はお問い合わせください。
コンパクト、70ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込み、様々な用途に対応するマルチ薄膜装置
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●プラズマエッチングはメインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれへも設置可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
基板ダメージが少ない／イオン量とエネルギーを独立制御／磁性体ターゲットに使用可能
デバイスの微細化の進展または薄膜結晶の高品質化の要求が高まるにつれて、スパッタリングにおいて基板へのイオンダメージが大きな問題となっている。従来広く利用されているマグネトロンスパッタ法では、ターゲット材と基板の間に直接プラズマを形成するため、「1 イオンダメージの回避が困難」であり、高密度プラズマ生成時にはこの問題が顕著化してしまう。またプラズマ生成のための放電とイオン引き込みを同一の電源で同時に行うため、「2 ターゲット材へ流入するイオン量とそのエネルギーを独立に制御することが不可能」であること。ターゲット表面に存在する漏れ磁束でプラズマ閉じ込めを行うため、「3 磁性体ターゲットにおいては使用が困難である」ことなどの課題も存在する。 本発明は、ヘリコン放電による高密度プラズマ生成や、湾曲磁場によるプラズマ形状制御等により、上記1～3の課題を解決するものであり、それと同時にターゲット材の昇温機構を兼ねることや、大口径基板への均一成膜、高速成膜も検討し得る。
各種材料、基材の加工実績が豊富！電磁波シールド、帯電防止、面状発熱体など
積水ナノコートテクノロジーの『スパッタリング加工』をご紹介します。 ・不織布・フィルター・繊維などにも対応。 また、最大3400mm幅まで対応可能なスパッタ装置を所有。 薄膜製品開発/販売、成膜受託加工、試作など、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■3つの技術軸：光学調整・導電・抗菌/ウイルス ■多様な用途/機能での実績 ■各種材料、基材の加工実績が豊富 ・材料：各種金属、合金、化合物 基材：フィルム、金属箔、紙など ■繊維へのスパッタ加工 ・例：化学繊維、炭素繊維、ガラス繊維、不織布、など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
