日亜化学製 NE2R757G-P6
豊富なパッケージと特性バリエーションの日亜化学製高信頼性LEDです
NE2R757G-P6 は演色性・高効率・長寿命が求められる一般用途の照明に適した日亜化学製のLEDです
- 企業:新光電子株式会社
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2026年09月16日~2026年10月13日
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豊富なパッケージと特性バリエーションの日亜化学製高信頼性LEDです
NE2R757G-P6 は演色性・高効率・長寿命が求められる一般用途の照明に適した日亜化学製のLEDです
豊富なパッケージと特性バリエーションの日亜化学製高信頼性LEDです。
NSPR346MS は使用環境や用途に応じて選択可能な日亜化学製のフルカラー表示用LEDです。
豊富なパッケージと特性バリエーションの日亜化学製高信頼性LEDです。
NF2W757H-F1 は演色性・高効率・長寿命が求められる一般用途の照明に適した日亜化学製のLEDです。
豊富なパッケージと特性バリエーションの日亜化学製高信頼性LEDです。
NJSR172C は車の高い安全性を支える日亜化学製の高信頼性LEDです。
豊富なパッケージと特性バリエーションの日亜化学製高信頼性LEDです。
NSPB336DS は使用環境や用途に応じて選択可能な日亜化学製のフルカラー表示用LEDです。
高出力の赤色発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込みました!
平行光 赤色発光ダイオード KL3095 は、高出力の赤色発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込んだ赤色発光ダイオードです。 超高出力赤色LED(λp:660nm)を使用し、TO-46メタルパッケージで高性能・高信頼性があります。 エンコーダ用光源、フォトセンサ用光源、光電スイッチ用光源などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
豊富なパッケージと特性バリエーションの日亜化学製高信頼性LEDです。
NJCWL024Z-V1MT (Tunable White) は演色性・高効率・長寿命が求められる一般用途の照明に適した日亜化学製のLEDです。
赤色と赤外の発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込んだ2波長発光ダイオードです
KL3012は、赤色と赤外の発光ダイオードチップをメタルパッケージに組み込んだ2波長発光ダイオードです。 ・赤色(λp: 660nm)及び赤外(λp: 880nm)の2波長LED ・TO‐18メタルパッケージで高性能、高信頼性 ・指向角が狭く(θ: ±40°)、高出力 印刷パターン識別用光源、カラーセンサ用光源、紙質判別センサ用光源などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
面実装タイプの赤外発光ダイオード
KL5101 は、面実装タイプの赤外発光ダイオードです。 【特長】 ・リフローはんだ時は、自動で位置補正される電極形状 ・樹脂レンズ付きパッケージ ・指向角が狭く、高出力 ・鉛フリーはんだ リフロー実装対応 フォトセンサ用光源、光電スイッチ用光源などの用途に適しています。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
LED輝度安定用の定電流供給に最適!
定電流ダイオード(以下 CRD:Current Regulative Diode)は、その名前が示すように電圧が変動しても一定の電流が供給可能なダイオードです。1V以下の低電圧から100Vの高電圧までの広い電圧範囲で常に一定の電流を流すことが出来る部品です。加える電圧の変動、負荷抵抗の変化、リップル電圧に係ることなく負荷に一定の電流を供給が出来ます。一般に定電流回路は構成が複雑で複数の部品が必要です。 また、設計も簡単ではありませが、CRDは、たった1個の部品で定電流特性が簡単に実現可能です。
電圧が変動しても一定の電流が供給可能!超低価格ダイオード!
定電流ダイオード(以下 CRD:Current Regulative Diode)は、その名前が示すように電圧が変動しても一定の電流が供給可能なダイオードです。1V以下の低電圧から100Vの高電圧までの広い電圧範囲で常に一定の電流を流すことが出来る部品です。加える電圧の変動、負荷抵抗の変化、リップル電圧に係ることなく負荷に一定の電流を供給が出来ます。一般に定電流回路は構成が複雑で複数の部品が必要です。 また、設計も簡単ではありませが、CRDは、たった1個の部品で定電流特性が簡単に実現可能です。
GHz帯 高周波ダイオード
宇宙通信から、商用まで高周波ダイオードーをOEM供給してきた 米国、Massachusetts Bay Technologies社製の高周波ダイオードー 【特徴】 ○オリジナル製品だけではなく カスタマイズしたオーダーメイドの製造も可能 ○他社ダイオードーの同等品の設計製造が可能 ○原価低減や製造中止に対応可能 ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
高性能ダイオード 「ステップリカバリダイオード」のご紹介です。
高性能ダイオード 「ステップリカバリダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【特徴】 ○High Efficiency ○High Output Power ○Low Order Multiplication (N≦4) 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
高性能ダイオード 「ピンダイオード」のご紹介です。
高性能ダイオード 「ピンダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【仕様】 ○Storage Temperature: -65°C to +175°C ○Operation Temperature: -65°C to +150°C ○Power Dissipation: 250 mW ○Beam Terminal Strength: Planar- 4 grams minimum / Mesa- 6 grams minimum 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
高性能ダイオード 「ショットキーミキサ ダイオード」のご紹介です。
高性能ダイオード 「ショットキーミキサ ダイオード」のご紹介です。 米国Massachusetts Bay Technologies社では、高周波ディスクリートシリコン高周波半導体を設計製造しています。 エンドユーザーに対するサービスとして高い性能、品質を維持し、大学、研究所、通信をはじめとし、宇宙通信用・軍事用まで幅広いお客様に製品を供給しています。 ダイオード業界で50年培ってきた経験と実績により、他では製造できない特殊なダイオードもご提供可能です。 【仕様】 ○Storage Temperature: -65°C to +175°C ○Operation Temperature: -65°C to +150°C ○Incident RF CW Power: 100 mW max 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
重要インフラ OT 医療設備 外部との接続はダメ・・・ でも片方向に通信を制限して困るのがリモートメンテ 解決方法があります
以前、Microsoft社がリモートデスクトップという遠隔操作のソフトウェア(機能)を提供していました。 これをヒントにした データダイオードで守るネットワークにある機器に特定PCだけがアクセスしてリモートメンテが出来る そういうソリューションです。OWCDと共にご利用いただきます。 データダイオードは複数メーカ様から提供されていますが、こういったソリューションを提案できるのはOWCDならでは。この技術だけで万事解決するわけではありませんが、これをコアにお客様のご利用環境に沿うシステム構築のお手伝いをいたします。 OWCDに関しては弊社HPもご参考に。動画解説もあるよ! お問い合わせは関連リンク⤵先からどうぞ。
生産設備や公共施設へのランサムウェア攻撃が急増中 侵入阻止と機器データの活用を両立できます 見える化・分析・AI活用を支援します
これまでDCS/PLCからの情報発信は csvやバイナリのファイルを(USBメモリで?)活用することが多かったですが、 最近では情報集約化で遠隔地から取り寄せたりクラウドサービスを活用することも増えました。 とはいえインターネットの活用ともなるとランサムウェアなどのウィルス侵入懸念が生じるために 躊躇される方も随分いらっしゃいます。実際ランサムウェア攻撃は爆増中! そこで、データの発信に通信を完全限定できるデータダイオードOWCDの活用をお薦めします。 物理的に発信一方向に制限できますから 様々なセキュリティ対処から解放されます。 そのうえで、たとえば ・稼働監視 ・品質分析 ・設備保全 ・AI分析 用途にお使いいただきます。 ✅ 設備保全 ✅ 稼働率向上 ✅ エネルギー管理 ✅ AI活用 から始め ✅ 集中監視 ✅ 生産分析 へと活用を拡げていくことができます。 シンプルに始めてみませんか? 下記⤵の関連リンクよりお問い合わせください。
高圧ダイオード 3kV、4kV、6kV、8kV、10kV、12kV、14kVをラインナップ
同社は中国江蘇省に1969年に設立されたダイオードメーカーで、 主力製品は高圧ダイオードで日系メーカーへの実績が多数ございます。 当カタログでは会社紹介、応用領域、高圧ダイオードの生産の流れなども 合わせて掲載しています。 【取り扱い高圧ダイオード】 ●3kV品:2CL703 ●4kV品:2CL704 ●6kV品:2CL70A ●8kV品:2CL71A ●10kV品:2CL72A ●12kV品:2CL73A ●14kV品:2Cl74A 【掲載内容(一部)】 ■会社概要 ■製品紹介 ■応用領域 ■高圧ダイオード生産流れ ■生産ライン ※DHM3 シリーズの相当品の取り扱いもざいます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速かつ高耐圧で、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に最適です。650V ~ 1200V、5A ~ 10Aまで対応*
高度なパワーコンポーネントは、高いピーク順方向サージ能力、低い順方向電圧降下、熱抵抗の低減、 および電力損失の低減を必要とするコンバータなどのアプリケーションに最適。高効率を実現します。 SiCショットキ―バリアダイオードは、高速かつ高耐圧で 損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用いただけます。 ◇特徴 ・低電力損失、高効率 ・低い逆方向リーク電流 ・高ピーク順方向サージ電流能力(IFSM) ・EMIの低減 ・最⼤動作TJ は175 °C まで ・UL 94V-0規格 ・RoHS準拠、無鉛、ハロゲンフリー 複数パッケージから選定可能。 高周波スイッチング電源に適しています。 ・TO220-2 ・TO247-3 ・TO252 ・DFN8x8
MIMトンネルダイオードに粒子層を導入し整流性能を向上!粒子層無と比較して整流性能が大幅に向上!
・ 赤外領域、テラヘルツ領域の周波数の信号を取り出して整流する際、応答速度の観点から、金属/絶縁体/金属構成のトンネルダイオード(MIMトンネルダイオード)が好適に用いられる・しかしながら既存のMIMトンネルダイオードの整流性能をさらに向上させようとしても、電気抵抗と非対称性がトレードオフの関係にあるため、整流性能の向上が難しいという課題があった。・ 本発明は、MIMトンネルダイオードに金属の微粒子層(NPs)を導入し、電場集中効果により順方向時と逆方向時バイアスでトンネル形状を変化させることで、前記課題を解決することに成功した。・ 本発明はNPsの無いMIMトンネルダイオードに比して整流性能が大幅に向上したため、赤外及びテラヘルツ領域を対象とした高周波デバイス(光レクテナ、IR、THz検出器等)への応用が期待できる。
各種通信機器の送受信アンテナ切替回路に! 面実装小型パッケージ(2.5x1.2x0.8mm)のスイッチング用PINダイオード
「L5204F」は、各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたプラスチックモールドパッケージのPINダイオードです。RFIDリーダ、ライタの用途にも適しています。 【主な特長】 ○ VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能 ○ 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い ○ 順直列抵抗が小さい ○ 端子間容量が小さい 〇 Rfs(typ)=0.5Ω @IF=50mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.6pF @VR=40V, f=100MHz ○ 面実装タイプのプラスティックモールドパッケージ ○ RoHS対応 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
セラミックパッケージのスタンダード品
「L8104」は、各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたセラミックパッケージのPINダイオードです。 【特長】 ○ VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能 ○ 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い ○ 順直列抵抗が小さい 〇 Rfs(typ)=0.5Ω @IF=50mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.8pF @VR=40V, f=100MHz 〇 ハーメチックセラミックMELFパッケージ ○ RoHS対応品 〇 Pbフリー ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
モールドパッケージの低消費電力品
「L5208F」は、各種ポータブル無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたプラスチックモールドパッケージのPINダイオードです。VHF/UHF帯用のアンテナスイッチに適しています。 【主な特長】 ○ VHF/UHF帯用ポータブル無線機のアンテナスイッチに最適 ○ 順直列抵抗が小さい ○ 端子間容量が小さい 〇 Rfs(typ)=0.45Ω @IF=10mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.6pF @VR=20V, f=100MHz ○ RoHS対応 ○ Pbフリー/ハロゲンフリー ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
セラミックパッケージの高耐圧品
L8104-240は各種無線通信器機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたセラミックパッケージのPINダイオードです。 【主な特徴】 ○ VHF、UHF帯での電力スイッチングが可能 ○ 逆電流が低い ○ 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い ○ 順直列抵抗が小さい ○ 尖頭逆電圧 240V 〇 Rfs(typ)=0.5Ω @IF=50mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.8pF @VR=40V, f=100MHz ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
各種通信機の送受信アンテナ切替等の高周波電力スイッチング用に設計されたシリコンPINダイオードです。
「L8107」は各種通信機器の送受信アンテナ切替に最適です。 【主な特徴】 ○ HF-UHF帯でのアンテナスイッチに最適 ○ ゼロバイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい。 ○ 挿入損失が小さく、アイソレーションが高い。 〇 順列抵抗が小さい。 〇 Rfs(typ)=1.2Ω @IF=50mA, f=100MHz 〇 Ct(typ)=0.4pF @VR=40V, f=100MHz 〇 環境に配慮した新セラミックMELFパッケージ ○ RoHS対応 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
ピーク繰返し逆電圧:10KV;平均順電流:5mA;最大サージ電流:0.5A;逆回復時間:100nS
Place of Origin: Liaoning, China (Mainland) ;Brand Name: LeadSun ;Model Number: 2CL72 ;Type: Rectifier Diode; Package Type: Surface Mount; Max. Forward Voltage: 5V~500V ;Max. Reverse Voltage: 5KV~500KV; Max. Forward Current: 5mA~60A ;Max. Reverse Current: 1.0μA~200μA ;Customzied: 1KV to 500KV
ピーク繰返し逆電圧:14KV;平均順電流:5mA;サージ電流:0.5A;
Place of Origin: Liaoning, China (Mainland) ;Brand Name: LeadSun ;Model Number: 2CL74 ;Type: Rectifier Diode; Package Type: Surface Moun;t Max. Forward Voltage: 5V~500V ;Max. Reverse Voltage: 5KV~500KV ;Max. Forward Current: 5mA~60A ;Max. Reverse Current: 1.0μA~200μA ;Customzied: 1KV to 500KV
ピーク繰返し逆電圧:12KV;平均順電流:450mA;寸法:7.5*22mm or 4.5*15mm;
2KV High voltage current rectifier diode CL04-12 : Peak Reverse Repetitive Voltage: 12KV Average Current: 450mA Max Foward Voltage: 16V Max Forward Surge Current: 40A Leakage Current: 5.0uA Maximum Junction Temperature: 130 °C Storage Temperature: -40~+130 °C Dimension: diameter 7.5*22mm or 4.5*15mm Trr: 100nS
ピーク繰返し逆電圧:20KV;平均順電流:20mA;サージ電流:2A ;寸法:φ3*12mm逆回復時間:100nS
High voltage fast recovery rectifier diodes 20KV/20mA : Peak reverse repetitive voltage: 20KV Average current: 20mA Max foward voltage: 55V Max forward surge current: 2A Leakage current: 2.0uA Dimension: φ3*12mm Trr: 100nS