非接触CV測定装置 Cn0CV
非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現！
世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。
- 企業：日本セミラボ株式会社 新横浜本社
- 価格：応相談
測定器×日本セミラボ株式会社 - メーカー・企業と製品の一覧
測定器の製品一覧
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非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』
様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定！
半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が 測定できます。 【特長】 ■マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定 ■高周波デバイス特性のスタンダード測定装置 ■ホール効果による測定結果との高い相関性 ■マルチキャリア・モデリングオプション ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：日本セミラボ株式会社 新横浜本社
- 価格：応相談
拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』
PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定！オプションにより表面抵抗測定可！
当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動 測定ができ、サンプルは最大6個同時搭載可能です。 【特長】 ■世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置 ■測定自動化に対応（SRP-2100） ■オプションにより表面抵抗測定可（SRP-170) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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