測定器×日本セミラボ株式会社 - メーカー・企業と製品の一覧

ライフタイム測定装置

u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります

オプションにて様々な電気的測定のマッピング測定が可能です。 (拡散長、鉄濃度、比抵抗、シート抵抗、LBIC、反射率、IQE、PN判定)

企業：日本セミラボ株式会社新横浜本社
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単結晶シリコンブロック用ライフタイム測定装置

ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で少数キャリアライフタイムを測定します。

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光学式細孔率・細孔分布測定装置

世界唯一の分光エリプソメーター技術でのEP(光学式ポロシメーター）細孔率・細孔分布測定装置

■ 前処理が必要がなく、 20分/ポイントと従来型に比べて高速に測定が可能です。

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薄膜太陽電池パネル測定装置

フラットパネルディスプレイ製造マーケットでは、品質管理用途にて非常に多くの実績がございます。

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水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を提供

『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を提供します。【特長】 ■水銀プローブにより電極の形成が不要 ■抜群の再現性・ショットキー：0.3％(1σ）／MOS：0.1％(1σ） ■ウェハー面内のマッピング可 ■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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トレンチ深さ測定装置 IR2100

トレンチ深さ測定装置

パワーデバイスのディープトレンチやTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス測定を非接触で測定。独自技術MBIR（Model Based Infrared)により高アスペクト比のトレンチの測定が可能。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。

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薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW3300

薄膜膜厚・ヤング率測定装置

非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、ポアソン比を測定することができる。

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超高感度DLTS　バルク内欠陥・界面準位測定装置

不良及び結晶欠陥の解析に有効！幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備

『DLS-83D/1000』は、温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能なバルク内欠陥・界面準位測定装置です。「DLS-1000」は、10^8cm3レベルのバルク内欠陥、界面準位の高感度な測定に対応。ライブラリーを標準装備しておりますので解析が容易に行えます。高感度アナログ／デジタル（測定はアナログ、データ処理はデジタル）ロックイン平均法を採用したユニークなシステムで、且つオペレーターフレンドリーなソフトを装備しています。【特長】 ■高感度な汚染検出が可能（2x10^8atoms/cm3） ■幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備 ■温度、周波数スキャン、C-V特性等の測定が可能 ■世界で100台以上の豊富な納入実績 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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非接触式シート抵抗測定機『LEI-1510シリーズ』

広い範囲で優れた測定直線性！三次元グラフィックマップとしてPCモニター上で確認可能

『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を解決します。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてシート抵抗を測定します。【特長】 ■探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を解決 ■多数枚を迅速に計測処理する事が可能 ■0.035～3200ohm／sq.という広い範囲で優れた測定直線性 ■計測データを三次元グラフィックマップとしてPCモニター上で確認可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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エピ膜厚測定装置『EIR-2500』

IR反射率測定ヘッドを使用可能！高スループットのエピ膜厚測定を実現した測定装置

『EIR-2500』は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自のエピ膜厚測定装置です。高スループットのエピ膜厚測定を実現し、適用されるSEMI/CE規格に完全に準拠しています。また、EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、装置の稼働時間を向上してメンテナンスの必要性を減らします。【特長】 ■ウェハーサイズ：4～12インチ ■Si, SOI, SiC, SiGe, III Vなど ■FTIR機能 ■エピ膜厚を高精度測定 ■遷移領域の膜厚測定 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。