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多重散乱の効果を低減！サンプルのまま測定することが可能な粒子特性評価装置
日本カンタム・デザインの『LS Spectrometer』は、 洗練された、SLSやDLSに基づく粒子特性評価装置です。 データに与える多重散乱の寄与を省くために、革新的な 3Dクロスコリレーション技術を採用しており、サンプルを希釈する 必要はありません。 サンプル本来の状態のまま、粒径や形状・構造因子、分子量、回転 および並進拡散係数を測定することができます。 【特長】 ■SLSやDLSに基づく粒子特性評価装置 ■サンプルを希釈する必要がない ■サンプル本来の状態のまま測定することが可能 ■多重散乱の効果を低減するのに有効 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
オールインワンでタンパク質の様々な物性パラメータを取得
タンパク質の様々な安定性評価を1台でワンストップ測定。 1 サンプル8 μL、96サンプル同時測定。 ■３種類の検出モードをオールインワン ・動的光散乱(DLS) ・静的光散乱(SLS) ・蛍光フルスペクトル ■サンプル量 8 μL, 96 サンプル同時測定 ■多彩なアプリケーション ・ハイスループットタンパク質熱安定性評価(Tm & Tagg) ・等温安定性評価 ・粒子径、多分散性、KD、B22 の決定 ・ウイルスベクター安定性
太陽電池のメンテナンス・モニタリング・性能評価装置なら、新栄電子計測器！！
計測テクノロジーとヒューマンインターフェイスを創造する新栄電子計測器株式会社の｢太陽光発電 テストセレクション｣カタログのご案内です。
測定1秒！開放電圧、内部抵抗を高速測定！1,000Vメガソーラで利用可
『PVR-1000』は、開放電圧Voc・内部抵抗Ωの測定で不良ストリングの 発見ができるレジスタンスチェッカです。 最大入力1,000Vメガソーラから小規模発電までご利用可能。 接続箱での簡単チェックを実現しました。 【特長】 ■1,000Vメガソーラで利用可 ■1,000件分のデータ保存可 ■USBでデータ管理が簡単 ■わずか1秒で同時測定を実現 ■大規模発電所でも短期間で測定可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
測定時間がわずか１秒！開放電圧Voc・内部抵抗測定でストリング発電不良を発見
『PVR-1500/1000』は、開放電圧内部抵抗を高速測定できるPV レジスタンス チェッカです。 わずか1秒で同時測定を実現、大規模発電所でも短時間で測定可能。 開放電圧Voc・内部抵抗Ωの測定で不良ストリングを発見します。 最大入力1,500Vのメガソーラから小規模発電までご利用可能です。 ご要望の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■最大入力1,500Vのメガソーラから小規模発電までご利用可能 ■接続箱での簡単チェックを実現 ■開放電圧Voc・内部抵抗Ωの測定で不良ストリング発見 ■わずか1秒で同時測定を実現、大規模発電所でも短時間で測定可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
百聞は一見に如かず。太陽光発電の能力測定と診断を無料で体験！
「太陽電池をより詳しく知りたい」「測定方法を知りたい」「測定に関するノウハウを知りたい」「実際に計測器を使ってみたい」など、お客様からの太陽光発電の測定に関する様々な疑問や要望を実現する場として、本社敷地内にショールームを兼ねた「PVテクニカルセンター」を開設し、太陽光発電における測定分野のサポートサービスを行っております。 PVテクニカルセンターでは、PVセミナー（無料）を開催しております。 詳細日程につきましては別途調整させていただきますので、詳細・申込み用URLからご希望日程を記載の上、お申し込みください。
ペロブスカイト太陽電池対応のIVカーブトレーサーです！
IVCTシリーズは、太陽光モジュールの開発・生産工程における動作検証から出荷検査まで幅広く活用できる測定装置です。非対称バイポーラ電源による広領域での高精度なI-Vカーブ測定を実現します。 【特長】 ・非対称バイポーラ電源による全領域のI-Vカーブ測定 高精度な制御が可能な非対称バイポーラ電源を搭載し、広範囲のI-V特性を安定して取得可能。 ・安定した計測を実現するディレイ機能 ディレイ時間により、モジュール特性が安定した段階で測定することで、信頼性の高いデータを取得可能。 ・用途に合わせて選べる4モデル（IVCT-150/200/300/500） 定格出力 150V/4A～500V/1.25Aのラインナップで、研究用途から量産ラインまで柔軟に対応。 （※定格出力はカスタマイズに対応） ・専用アプリケーションで詳細な計測が可能 I-Vカーブの測定結果をグラフ表示(3象限の測定結果）。 取得したVoc、Isc、Pmax、Vpm、Ipm、FF、温度(オプション)をCSV形式でログ出力。
お客様のニーズに合わせてカスタマイズ可能な触媒評価装置です。
燃料電池用改質や脱硫、燃焼排ガス浄化用、有機合成等、いろいろな分野、用途での触媒開発実験に適した評価装置です。試験ガス供給、液体材料の気化供給等、様々な触媒反応条件の設定、データ処理等、お客様のニーズに適した技術・製品を提供いたします。 反応前後のガス成分分析は、ガスクロマトグラフなどのガス分析計を用いて、多成分ガスを同時に間欠連続分析いたします。
LEDの光学特性および電機特性を測定することが出来ます。
LED総合評価装置「ISD-300」は、分球とマルチチャンネル分光器を使用してLEDの光学特性および電機特性を 測定することが出来る装置です。３素子までのLEDを同時に点灯させて全光束、XY色度、相関色温度、演色評価数などが リアルタイムで表示が可能です。また、ペルチェ素子による温度制御を行って温度をパラメータに光学、電気特性データを 得ることが出来ます。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
積分球とカロリーメーターを採用
寿命評価装置はハイパワーの長期通電を行い、耐久寿命を評価する装置です
デバイス毎にペルチェ素子式温調機構を採用し個別温調が可能。8ch毎にユニット化され、ラックステーションに8chユニット増設も可。
『PAS-100』は、デバイス毎にペルチェ素子式温調機構を採用し、 個別温調が可能なペロブスカイト太陽電池耐久性評価装置です。 Voc,Isc,IV曲線,Jsc,Pmax,FF.Rs,Rshを計測および算出し グラフ化やCSVファイルを出力。 ペロブスカイト太陽電池の特性評価や耐久性評価を多チャンネルで行え 材料研究開発を加速させます。 【特長】 ■LED光源で1SUN相当の長時間連続評価が可能 ■デバイス毎の個別温調と温度ステップ機能 ■高い拡張性と引き出し式で省スペース ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
活力ある先端電子デバイス業界でお客様のニーズにお応えする評価装置、技術の提供を目指しております！
当カタログは、当社の治具設計技術、ソフトウエアなどを掲載している Product Catalogです。 各デバイスを個別に高精度温調できる「EAS-10シリーズ デバイス別温調タイプ」や、 拡張性と省スペースが特長の「EAS-62シリーズ 温調無しカセットタイプ」をご紹介。 また、有機EL寿命評価装置や、EMC対策技術についても掲載しております。 是非、ご一読ください。 【掲載内容(一部)】 ■ワンストップサービス ■主な活動領域 ■ソフトウエア ■治具設計技術 ■環境温度の影響無く高精度に計測 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
着磁評価装置 マグネットアナライザ
本装置は､着磁された円筒状のマグネット(主としてモータのロータまたはステータ)の表面をガウスメータにより測定を行い､着磁状態を評価する装置です｡ 解析データは､測定した各極のピーク値の最大値､最小値､平均値のほか､各極の角度､面積等を数値として表示し､またX軸を角度(Deg)､Y軸を 磁束密度(Tesla)とする2次元表示とX軸を角度(Deg)､Y軸を回転軸方向の位置､Z軸を磁束密度(Tesla)とする3次元表示のグラフ表示を行います｡ 【特長】 ○着磁されたマグネットの表面磁束密度をプローブにより測定し､評価 ○ガウスメータとホールプローブは､3軸方向の測定に対応しているためX､Y､Z方向の磁束密度評価が同時に可能(MA-7315のみ) ○測定データはCSV形式で出力されるため､汎用表計算ソフトに取り込みが可能 ○円筒評価用と平面評価用の2種類があります ●その他機能や詳細については、カタログをダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。
米国主要企業への納入実績多数！ディスプレイの評価から、携帯・スマホのLCD/OLEDディスプレイの表示特性を高速検査
・輝度 ・コントラスト ・色度 ・色域 ・ガンマ ・クロストーク ・ユニフォーミティ ・応答速度 ・ちらつき ・電圧・電流測定(オプション) ・透過率(オプション) ・反射率（オプション）
最大５０ＣＨの独立電源を採用！ 絶縁信頼性試験、評価試験装置
最大５０チャンネルまでの、高電圧での絶縁信頼性試験ができる、評価試験装置です。 ◆特徴◆ ◇最大３０００Ｖまでの高電圧出力 高電圧デバイスの評価が可能。 ◇独立電源を採用 １つのサンプルが短絡しても、他のサンプルが継続試験できます。 ◇多チャンネル 最大５０個 １筐体で５０個までのサンプル評価ができるため、 デバイス評価の効率が格段に向上します。 ◇過酷な環境に強い専用計測ケーブル テフロン皮膜ケーブルの採用で、恒温恒湿槽内へ 直接ケーブルを挿入しての試験も行えます。 ※詳細は資料請求またはダウンロードからお問い合わせください。
高精度なアナログ計測回路で試験サイクル初期からの微小変化の検出も可能！
『RTm-100シリーズ』は、回路パターン、はんだ接合部等の導通抵抗を 高速、高精度に計測する装置です。 当シリーズの高性能計測回路はミリΩ未満の導通抵抗の変化を正確に とらえ、ヒートショックチャンバーと組み合わせ、温度サイクルに 連動したデータ計測が可能です。 更に、半導体リレーによる高速スキャン機能により、サイクル時間の 短い試験にも十分に追従し、各サイクルに対して計測のタイミングが ずれる事もありません。 【特長】 ■最大50msec/CH の高速データ計測を実現 ■半導体リレー採用で計測精度を向上 ■専用計測回路、専用ケーブルによりノイズ低減 ■マルチ電流源によるAC/DC 印加計測 ■モジュール構造で容易な保守性を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「圧縮永久ひずみ後の ゴムサンプルのリカバリ」のpdf資料です。詳細はダウンロードして御覧ください。
材料の圧縮永久歪みは、ASTM D395i で定義されているように、事前に加えられた圧縮荷重が取り除かれ たときに残る永久変形です。ゴムは、機械への取り付け、振動ダンパー、バルブ、蛇口、ベアリングなどの幅 広い用途で、空気または液体などの媒体中で大きな圧縮応力にさらされます。長期間の圧縮応力後に弾性 特性を保持する能力は、サービスの品質と機能にとって極めて重要です。たとえば、圧縮蛇口は、バルブ シートをシールするためのゴムワッシャーに依存しています。ゴム製シールワッシャーの弾性により、蛇口の 適切な機能が保証されます。漏れは、バルブアセンブリのゴムワッシャー、シール、またはガスケットが摩耗 して弾性が失われると発生します。したがって、圧縮応力が長時間作用した後のゴムの圧縮永久歪みを評 価することは重要です。
「ポリマーコート・ガラスのナノレベル摩耗試験」のpdf資料です。詳細はダウンロードして御覧ください。
技術の新たな進歩により、事実上すべての業界にわたってコンポーネントのサイズとその表面特性が繊細化する方向へ変化 し続けています。特に、生物医学およびマイクロエレクトロニクスのコンポーネントと、それらの表面相互作用を理解する ことにおいて顕著です。繊細な表面構造の精度を必要とする産業にとっては、材料表面の変化を理解し、意図した表面相互 作用を提供することが極めて重要です。繊細になったコンポーネントの表面やそのサイズにより、これまでのトライボロ ジー（摩擦学的）研究が困難になり、新しく適切な摩耗/摩擦結果の必要性が研究はもちろん、品質管理目的でも必要になり ました。したがって、より小さな負荷およびより小さな用途での摩耗/摩擦による表面の相互作用を確実に計測する必要性が 高まっています。
「CADモデルと加工品との照合検証」のpdf資料です。詳細はダウンロードして御覧ください。
複雑なジオメトリを有する形状部品を生み出す精密機械加工の要求はさまざまな業界で飛躍的に増加しています。例えば、 航空宇宙、医療、自動車からテクノロジー部品まで、さらに機械や楽器など、絶え間ない革新と精度への要求が新たな技術 を進化させています。その結果、加工された製品を厳密に検査し、設計どおりに仕上がっているかの高度な品質検査技術の 確立が必要不可欠になりました。
「マイクロサイズ「球体粒子」の実測」のpdf資料です。詳細はダウンロードして御覧ください。
マイクロスフィア（マイクロ球体）という用語は、材料科学や薬学など様々な分野で広く用いられており、直径がマイクロ メートル単位（1μm～1000μm（1mm））の様々な天然・合成材料からなる球状粒子を指します。マイクロスフィアは固体 および中空形態で製造され、プラスチックやガラスなど多様な材料で開発されています。中空マイクロスフィアは、材料の 密度を低下させる添加剤として使用されることが多い。固体マイクロスフィアは、構成材料やサイズに応じて数多くの用途 を持っています。マイクロスフィアは微粒子の一種です。
「ポリカーボネイトレンズの諸特性」のpdf資料です。詳細はダウンロードして御覧ください。
ポリカーボネートレンズは多くの光学用途で広く使用されています。その高い耐衝撃性、軽量性、大量生産時の低コストな どの利点により、様々な用途において従来のガラスよりも実用性が高くなっています。様々な用途の中には、安全性（例： 保護眼鏡）、複雑性（例：フレネルレンズ）、耐久性（例：交通信号レンズ）といった基準が求められるものがあり、プラ スチックを使用しなければ満たすのが困難な場合があります。十分な光学特性を維持しつつ、多くの要件を低コストで満た す能力が、プラスチックレンズをこの分野で際立たせています。しかし、ポリカーボネートレンズにも限界があります。消 費者の主な懸念は、傷が付きやすい点にあります。これを補うため、耐傷性コーティングを施す追加加工が行われます。ナ ノベアは、当社の3つの計測機器（プロフィロメーター、トライボメーター、インデンター）を活用し、ポリカーボネートレ ンズの重要な諸特性について検証します。
各工程のAE信号を解析することで、その破壊挙動を評価することができます！
『FRP材料評価・構造物AE診断』をご紹介します。 材料破壊現象における各工程のAE信号を解析（AE振幅値・持続時間） することで、その破壊挙動を評価することができます。 ご用命の際はお問い合わせください。 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【デモ可能】化合物半導体材料の組成比の評価も可能！非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値を精度良く測定
『分光エリプソメーター』は、非接触・非破壊でエピ膜を含む薄膜の膜厚値、 屈折率、消衰係数を精度良く測定する薄膜評価装置です。 化合物半導体材料の組成比の評価も可能。 主な評価・測定項目は、“薄膜の膜厚値”、“エピ膜厚値”、“屈折率”、 “消衰係数”、“化合物半導体の組成比”、“ドーパント濃度”です。 【主な評価・測定項目】 ■薄膜の膜厚値 ■エピ膜厚値 ■屈折率、消衰係数 ■化合物半導体の組成比 ■ドーパント濃度 装置の仕様や価格については、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※デモの実施も可能です。ご希望の方は、下記お問い合わせボタンより”デモ希望”と記載ください。
8インチウェハ対応タイプ
再現性、安全性に非常に優れた水銀プローブ方式を用いたCV／IV測定システムです。 Si、化合物、SOI、SiC、バルクウェハといった様々なタイプのウェハ特性を測定できます。 ユーザが最大４９箇所の測定サイトを指定し、C-V、I-V特性、TDDB、Vbd、Qbdの酸化膜破壊評価、Dit、ドーピング濃度、酸化膜厚、Low-ｋ、High-k等のマッピング測定が可能なトータルシステムです。
有機OED作製・評価装置
特徴 ・小スペース、コンパクト設計 ・蒸着セル最大5本取付可能 ・基盤サイズ1〜3インチと幅広く選択可能 ・コンタミを防ぐ2重シールド構造 ・基盤加熱ヒターコントロール機構標準装備 メンテナンス・クリーニングの簡単設計
１クリックで指圧電圧での電流の推移を観測！最大電力追跡機能により次世代太陽電池開発の高効率化を。研究分野で積極採用【デモ機あり】
『PV Power Analyzer（VK‐PA- 300）』は、太陽光発電素子の電流電圧特性評価などの研究開発用機能を装置内に内蔵した太陽電池評価装置です。 モジュール化した太陽光発電素子対応（10V／3A）しているほか、最大電力追跡機能(MPPT)があるため、異なるポイント(電圧)・方向からの最大電力ポイントへの到達する様子を見ることができます。 【特長】 ■ 最大電力ポイントに到達後の、パワー／電流／電圧／変換効率の推移の表示 ■ ワンクリックで「解放電圧(Voc)」、「短絡電流(Isc)を測定 ■ 短時間での効果的な評価 ※デモ貸出をご希望の方はお問い合わせください。 ※製品詳細はPDFご覧ください。
界面せん断強度・接触角を測定！マイクロドロプレット法による複合材界面特性評価装置
『MODEL HM410』は、マイクロドロップレット法を用いた繊維と樹脂界面の せん断強度測定と接触角測定ができる複合材界面特性評価装置です。 任意の温度環境下で極細単遷移に液状樹脂を付着させ、 その形状を撮影し、画像から接触角を求めます。 同時に同一サンプルを使って引抜試験を行い、その時の引抜荷重から、 遷移と樹脂の界面せん断強度を測定します。 【特長】 ■マイクロドロプレット法を用いた評価装置 ■画像から接触角を測定 ■引抜荷重から遷移と樹脂の界面せん断強度を測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
性能確認のための良品特性測定、不良特性測定や信頼性評価をすることが出来ます！
当社では、液晶パネルにおいて特定のTFTに対し、性能確認のための 良品特性測定、不良特性測定や信頼性評価をすることが出来ます。 「TFTの各温度での電気特性測定」では、表示状態のモニターを解体し、 パネル内の画素TFTに対して、電気特性測定が可能。 「DCバイアスストレス試験」では、Gate,Drainに任意のDCバイアスを印加し TFTにストレスを与えたときのVthシフトを測定し、信頼性確認を行います。 【特長】 ＜TFTの各温度での電気特性測定＞ ■パネル内の画素TFTに対して電気特性測定が可能 ■アニール前後、光照射、加温や冷却下で測定できる ■測定結果からIon、Ioff、Vth、移動度の指標を算出 ■良品解析での実力値の確認や不良原因の解明を行う ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
