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性能確認のための良品特性測定、不良特性測定や信頼性評価をすることが出来ます！
当社では、液晶パネルにおいて特定のTFTに対し、性能確認のための 良品特性測定、不良特性測定や信頼性評価をすることが出来ます。 「TFTの各温度での電気特性測定」では、表示状態のモニターを解体し、 パネル内の画素TFTに対して、電気特性測定が可能。 「DCバイアスストレス試験」では、Gate,Drainに任意のDCバイアスを印加し TFTにストレスを与えたときのVthシフトを測定し、信頼性確認を行います。 【特長】 ＜TFTの各温度での電気特性測定＞ ■パネル内の画素TFTに対して電気特性測定が可能 ■アニール前後、光照射、加温や冷却下で測定できる ■測定結果からIon、Ioff、Vth、移動度の指標を算出 ■良品解析での実力値の確認や不良原因の解明を行う ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
研究者の方必見！評価セルのギャップ範囲が０．７～１００μｍに拡大しました！【１万種類以上】
液晶材料その他先端材料の研究用ツールに最適です。 当社の技術向上により、評価セルのギャップ範囲の拡大に成功しました！ 今まで、２～５０μｍの範囲での測定しかできませんでしたが、 業界では難しいとされていた、０．７～２μｍ、５０～１００μｍの測定が可能になりました。 また、±０．２μｍでの指定も可能になり、細かなニーズにお答えできます。 商品分類は１万種類以上に及び、ニーズに合わせてカスタマイズいたします。 【掲載内容】 ○表示例と表示記号の説明 ○タイプ別配向組図 ○価格表 ○ガラス基板 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
有機ELディスプレイデバイスを恒温恒湿環境下で発光させて、輝度及び発光画面画像の加速試験を行いCSV出力ができる評価装置です。
ELS-100Aは有機ELデバイスの耐環境試験評価を効率的に行う装置です。恒温恒湿装置内部にOLEDデバイスの発光ユニットを設置して、環境制御部天面の高透過ガラスを通して自動測定します。標準仕様は４CHでボトムエミッション／トップエミッション兼用治具にOLEDデバイスを装着します。多数の納入実績と確かな評価のある定電流制御システムと信頼性のある輝度計により温度と湿度の加速試験及び発光状態の記録を行いCSVファイル出力を行います。
電極荷重機構にて集電が容易／チューブセルサイズを任意に変更可能
荷重調節機能付SOFC発電評価装置は、電極荷重機構にて集電が容易になりました。テーパーガイドリンク付でセンターあわせが簡単です。下部のハンドルを回すことで荷重を調節できます。調節範囲は50Nまでです。 チューブセル用SOFC発電評価装置は、セル保持管の内側に燃料を流しセルの外側の空気と反応をさせる装置です。変換アダプターでチューブセルサイズを任意に変更できます。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。
雰囲気制御下で前処理を行うことで酸化劣化を防いだ分析が可能です
雰囲気制御下で有機EL素子の切削加工を行い、各層の定性スペクトルを抽出した結果を示します。 有機EL素子を雰囲気制御下において切削加工を行うことで、より真の状態に近い各層のスペクトルを取得することができました。
ドーパントの定量評価およびキャリアの分布評価
裏面電極型結晶Si太陽電池（バックコンタクト型Si太陽電池）において、電極直下のドーパントの濃度分布を定量的に評価した事例をご紹介します。また、キャリアの分布評価を行うことで、p/nの極性判定や空乏層を断面方向から可視化することが可能です。
表面凹凸のあるサンプルでのキャリア拡散層の均一性評価
BSF型結晶Si太陽電池について、表面側テクスチャ部および裏面側BSF部のキャリア拡散層分布をSCMにて評価した事例を紹介いたします。テクスチャ部では表面凹凸に沿ってpn接合が形成されているのに対し、BSF部ではキャリア分布に途切れがあり不均一であることが確認できます。
ドーパントの活性化率に関する評価が可能
SRA（Spreading Resistance Analysis）はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です（図1）。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介します。
断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能
窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。 本資料では、c面上に形成したGaN基板（c-GaN基板）上に、c-GaN結晶を高速気相成長させたサンプルの結晶状態を評価した事例をご紹介します。
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造モデルから状態密度を計算し、ドーピングによる電子状態の変化を調査しました。
規格に則った試験によって不動態膜質に関する評価指標が得られます！
弊団では、SEMI規格に準拠したステンレス表面不動態膜の評価を承っております。 ステンレス鋼は、表面に極薄い緻密で安定したCrの酸化被膜(不動態膜)が 形成されることで、優れた耐食性を示します。 この不動態膜には、表面敏感な手法であるXPSやAESによる組成、 膜厚の評価が有効です。 【測定法・加工法】 ■[AES]オージェ電子分光法 ■[XPS]X線光電子分光法 ■その他 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
回路パターン、はんだ接合部等の導通抵抗を高速、高精度に計測！
『RTm-100シリーズ』は、J-RAS株式会社製の多CH導通信頼性評価装置です。 回路パターン、はんだ接合部等の導通抵抗を高速、高精度に計測します。 50m秒／CHのスキャン処理で多チャンネル計測でも高速サイクル試験に追従。 連動可能・CHスキャンの4端子網切替えには半導体リレーを採用し、 機械式リレー方式に対し大幅に長期信頼性を向上しました。 また、240CHまで増設可能な小型筐体は場所を選ばず設置でき、移動も簡単・ 熱電対を接続して温度データの表示・収録が可能（オプション）です。 【特長】 ■高精度・高速計測 ■50msec/CH の高速スキャン：高速ヒートショックチャンバーに追従 ■高精度＆低ノイズ：信頼性の高いデータアウトプット ■4端子計測ケーブル：ツイストペア／CH 別カラー仕上げ ■高い信頼性：機械式リレーを使わない ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
数十nsecの高速検出回路を全chに搭載！低ノイズ計測可能なテスター
『HVUαシリーズ』は、J-RAS株式会社製の高電圧絶縁信頼性評価装置です。 数十nsecの高速検出回路を全CHに搭載し、より進化した信頼性試験を実現します。 100n秒以下の高速イベント計測機能で部分放電も検出。 CH個別電源搭載＆CH個別制御で全CHに異なる印加電圧設定が可能です。 機械式リレーによるスキャンが無いので連続試験中の故障やトラブル無し。 トライアキシャルケーブルによるアクティブガードで低ノイズ計測を実現します。 【特長】 ■100n秒以下の高速イベント計測機能で部分放電も検出 ■CH個別電源搭載＆CH個別フィードバックで各サンプルに安定した電圧印加 ■短絡検出回路のCH個別搭載で瞬間的なサンプル短絡にも追従 ■専用ソフトウェアによりグラフ表示やデータ収録可能 ■5チャンネル単位で需要に応じてシステム構成可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型加工特性評価機がフルモデルチェンジ 事務机・実験台に設置可能な卓上型
ラボプラストミルマイクロ 4N100は、樹脂の材料スクリーニングや配合評価を目的として開発された卓上型混練・押出評価装置です。 当社ラボプラストミルSシリーズと互換性を有しながらも、より少量での試験に特化しグラム単位のサンプル量で加工特性の評価が可能です。 また、従来のラボプラストミルマイクロから内部機構を全面的に見直すことで、操作性・トルク検出精度・安全性の大幅な向上を実現した新モデルです。 少量・多品種評価が求められる材料開発分野で、開発スピードアップと高精度での開発を実現します。
