電源のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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電源×イサハヤ電子株式会社 - メーカー・企業と製品の一覧

電源の製品一覧

16~30 件を表示 / 全 38 件

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ゲートドライブユニット『GAU220P-15402』

1700V/1200AクラスIGBTモジュール2並列駆動対応可能!

『GAU220P-15402』は、1700V/1800AクラスまでのIGBTモジュールを 直接駆動できる2回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-02Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易。 また、ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵で、 最大ゲート出力ピーク電流±20Aです。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±20A ■絶縁耐圧4000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵(ソフト遮断機能付き) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電源装置

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ゲートドライブユニット『VLB512/VLB519-01R』

モジュール自身から出力されるRTC信号と協調し、短絡保護機能を実現!

『VLB512-01R/VLB519-01R』は、三菱電機株式会社製RTC回路内蔵SiCMOSFETモジュール用ゲートドライブユニットです。 【特長】 ■シンプルで扱いが容易な2回路入りゲートドライブシステム ■モジュール内RTC回路に対応した短絡検出回路内蔵 ■短絡保護回路内蔵 ■MOSFET モジュールとはハーネスで接続 ■ゲート電源用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■出力ゲートピーク電流  +/-30A(max) ■絶縁耐圧 4000Vrms (1分間) 【仕様】 <VLB512-01R> ■ゲート出力パワー:最大10W ■基板サイズ:90×145mm <VLB519-01R> ■ゲート出力パワー:最大3.75W ■基板サイズ:80×130mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電源装置

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MFTとは?

トランジスタ・抵抗・容量等の組み合わせで機能を持たせるミニカスタムIC!

『MFT』とはトランジスタ・抵抗・容量等の組み合わせで、回路を構成し機能を持たせるミニカスタムICです。 あらかじめ、トランジスタ・抵抗・容量等を配置したコアチップを準備しておき、お客様の仕様に応じて回路設計・アルミ配線を施し チップを完成させます。その後製品を組み立て、お客様仕様の製品に仕上げます。 『MFT』は、アルミ配線工程のみの変更で製品チップが完成する為、フルカスタムICと比較してウエハ工期の大幅短縮・フォトマスク等といった副資材費のコスト削減が実現でき、低コストでの製品化が可能となっております。 また、部品集約化によりお客様セットの部品点数削減が可能となりますので製品基板面積の削減にも貢献できます。 カスタムICの実現は難しいとお悩みのお客様にとって最適な製品となっております。

  • 専用IC

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ウィンドウタイプのリセットIC『RT8H232C』

電圧低下検出・過電圧検出の2役を1製品で担える新製品!!フェールセーフ機能を強化可能!!

本製品1つで、電圧の上昇及び低下の両方を検出する事ができ、電圧監視機能を強化する事が可能な製品となっております。 標準的なリセットICはシングルタイプと呼ばれる片側(過電圧もしくは減電圧)の電圧監視のみですが、本製品は両側の電圧監視を可能とするため、1製品で2役をこなすことが可能です。 本製品には、コンパレータが2個内蔵されており、各々で電圧の上昇及び低下を検出しております。 コンパレータにはヒステリシスを設けており、チャタリングによる誤動作を防止します。 またコンパレータの出力は独立しておりますので、個々に出力を取り出す事も可能ですが、 出力形式をオープンコレクタとしておりますので、外部接続によりワイヤードORとしてのご使用も可能です。

  • 専用IC

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タイマーラッチ機能内蔵 過電流検出IC『RT8H030C』

負荷デバイスとGND間の過電流を検出し、負荷短絡等の過電流からICや素子の劣化や破壊を防ぐのに最適!!

本製品は、負荷デバイスとGND間に電流検出用抵抗を挿入し、その抵抗の電圧値により過電流を監視しております。 過電流を検出すると異常を知らせる信号(High信号)を出力します。 タイマー回路を内蔵しており、外付け抵抗とコンデンサによる時定数で検出時間を設定する事が可能です。 本製品はRSラッチ回路を内蔵しておりタイマー時間以上の過電流を検出後には過電流の有無に関わらず、 異常を知らせる信号を出力し続けます。 ラッチ解除には、電源の再投入、もしくは本製品にリセット信号を入力する必要がありますので、安全に動作を再開させることが可能です。 ローサイドの過電流検出タイプとなっておりますので負荷の電源と別電源でICを動作させることが可能です。 そのため、高電圧の電源を用いる負荷に対する過電流検出も可能となっております。

  • ASIC

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静電保護用ダイオード 『INTシリーズ』

IEC61000-4-2準拠。高速伝送用の静電保護として最適!

静電保護用ダイオードは、サージ電圧から内部回路を保護するための素子で、システムの信頼性向上に重要な役割を果たします。 ツェナーダイオードの一種で、サージ電圧を一定以下に抑制できるため、ピーク電圧を抑制することができます。 静電気などの大きな電圧が印加されると、TVSがブレイクダウンし、GND側へ大きな電流を流します。これによりTVSがサージ電圧のエネルギーを吸収し、後段の回路にはTVSのブレイクダウン電圧以上の電圧は印加されません。 弊社では国内で唯一のリード挿入タイプのTO-92Sを生産しており、標準容量タイプからアノード・カソード間の端子間容量が低い高速伝送用の静電保護までラインアップしております。AEC-Q101規格対応製品も順次拡大中ですので、ぜひ弊社製品をご検討のほどよろしくお願いいたします。

  • ダイオード

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LED駆動用IC『RT8H164C』

短波形入力信号による光量設定可能なLEDドライバ!

『RT8H164C』は1チャンネル降圧型のLEDドライバです。 調光端子(DIM)に短波形を入力し、そのDUTY比を調整する事で調光が可能で 外付けの電流設定抵抗により自由にLED電流を設定する事が可能です。 外付けで接続するインダクタによってエネルギーを回生し 消費電力を節約できるのも大きな特徴です。 その他にも、電源電圧の低下を検出すると機能を停止させるUVLO機能や 一定の温度を超えると機能停止させる過熱保護機能も搭載しております。

  • 専用IC

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低電圧駆動MOSFET

低電圧駆動MOSFETラインナップを拡充中!

携帯電話をはじめとするモバイル機器では、消費電力を減らして 駆動時間の長時間化を図るため、回路の損失低減が必要と なっており、低電圧駆動のMOSFETが求められています。 当社では、第一弾として、ウエハプロセスの最適化により、 1.8V、1.5V駆動品を拡充し、第二弾で1.2V、第三弾で0.9V までの開発を予定しております。

  • トランジスタ

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大電流MOSFET:SC-74パッケージ

小型PKG(SC-74)MOSFET大電流製品を検討中!

当社の小型PKG(SC-74)MOS-FETラインナップに大電流で使用できる製品を新たに追加いたしました。 本製品はSC-59に比べ許容損失がアップするため、ドレイン電流最大定格が約10%改善し、 同じ実装面積で大電流を実現することが可能です。

  • トランジスタ

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高耐圧Nチャネル型MOSFET『INK013EAP1』

スイッチング電源の軌道回路に最適!

INK013EAP1は最大定格 VDSS=500V、ID=0.5A、SOT-89 パッケージのNチャンネル型MOSFETです。この最大定格VDSSは当社 においてトップクラスであり、スイッチング電源の制御ICに駆動電力を供給 する起動回路に最適な素子となっております。

  • トランジスタ

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アクティブクランプ型MOSFET

誘導性負荷の駆動に最適。フリーホイールダイオードを削減可能!

 ゲート・ドレイン間にアクティブクランプ用ツェナーダイオードを内蔵しており、アクティブクランプ動作によりモーターやソレノイドドライブ時の逆起電力からMOSFETを保護します。このことにより、逆起電力の回生用フリーホイールダイオードが不要となります。  また、バイアス抵抗も内蔵しており周辺部品の削減に貢献します。

  • トランジスタ

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1A抵抗内蔵NPNトランジスタ

抵抗を内蔵、小型面実装外形によりセットの小型化、部品点数の削減が可能!

定格電流が大きく、コレクタ電流が1.0Aとなっており、ドライバと して最適です。 ツェナーダイオードを内蔵タイプは、コレクタ・ベース間にツェナー ダイオードを内蔵しており、モーターやリレーなどのソレノイドドライブ 時の逆起電力からトランジスタ自身の破壊を防止します。

  • トランジスタ

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過電流・過電圧検出IC 『RT8H040C』

負荷短絡時の過電流や周辺デバイスの異常による過電圧から、ICや素子の劣化や破壊を防ぐのに最適!

『RT8H040C』は、負荷・GNDラインの過電流と過電圧の2つの異常状態を検出するICとなります。   過電流検出機能は、GNDに接続した電流検出用抵抗の電圧値をモニターする事により、過電流状態を検出しております。 過電圧検出機能は、検出対象の電圧を抵抗分圧し、その電圧値をモニターしております。 過電流検出機能と過電圧検出機能はそれぞれ検出部にヒステリシスを設けておりますので、誤検出対策も万全です。 出力は、過電流検出信号・過電圧検出信号のOR出力となっており、どちらか一方でも異常を検出すると 異常を知らせる信号(Low)を出力します。 また、出力形式はオープンコレクタとなりますので、異なる電源系への入力(レベルシフト)も可能です。   過電流や過電圧の検出値は、IC外部に接続する抵抗で設定が可能ですので、お客様の回路条件に応じて自由に設定できます。

  • ASIC

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三相ブリッジレスアクティブフィルタ

高調波抑制装置(アクティブフィルタ)をご使用中のお客様、朗報です!

本製品はいわゆるPFC回路(力率改善回路)となりますが、弊社ではダイオードブリッジを用いた従来の一石式アクティブフィルタ方式から、ブリッジレスアクティブフィルタ方式の回路構成にしたことにより、力率0.99以上、効率96%以上、高調波規制対応(JIS C 61000-3-2クリア)を実現しております。 本製品をご使用頂くことにより、高調波抑制装置は不要になりますので、設置コスト、スペースに困ることはございません! また、高力率・高効率を求められる電源システムに最適な製品となっております。 AC200V入力仕様はサンプル貸出可能、AC400V入力仕様もサンプル完成間近となっております。 ご興味のあられるお客様は、ぜひご評価頂きたく宜よろしくお願いいたします! また、本製品をベースとしたカスタム仕様での対応も可能です! お気軽に弊社ホームページよりお問い合わせください。

  • 電源

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SOT-89パッケージ大電流MOSFET

小型PKG(SOT-89)MOS-FET大電流製品群をラインナップ!

当社の小型PKG(SOT-89) MOS-FETラインナップに今までになかった大電流で使用できる製品を新たに追加いたしました。 開発品種においては、特性、早見表および互換表をご確認ください。 また互換表においてはRE社製品のEOLに伴い相当品としてピックアップしておりますのでご参照ください。

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