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イサハヤ電子の電源技術で、お客様にとって最適な電源をご提案させていただきます！
【このようなお悩みはございませんか】 ■標準電源ではオーバースペック、在庫管理が大変 ■自社だけで高機能な電源開発を完結できない ■インバータ・電源技術で製品の付加価値を高めたい ■希望する入力電圧範囲の製品が見つからない ■電源開発リソースを自社コア技術に割り当てたい ■周辺回路と連動した高機能な動作をさせたい イサハヤ電子のカスタム電源・カスタムインバータで解決いたします！ お客様のご要望に応じて、弊社の持つ電源技術を以て、お客様にとって最適な電源をご提案をさせていただきます。 お気軽にお問い合わせ下さい！
4.5kV/1500AクラスHVIGBTモジュール駆動可能！
『VLB517-01R』は、4.5kV/1500Aクラス、3.3kV/1800Aクラスまでの10.2kV絶縁耐圧IGBTモジュールを 直接駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±40A ■絶縁耐圧10.2kVrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ■信号⼊出⼒インタフェースは光ファイバー対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3300V/750AクラスSiCモジュール4並列駆動対応可能！
『VLB505-01R』は、3300V/750A クラスまでのSiCモジュールを直接並列駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-04Rを使用する事で 三菱電機株式会社製LV100パッケージの並列駆動が容易となります。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最大ゲート出力ピーク電流±36A ■絶縁耐圧6000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
1700V/3600AクラスIGBTモジュール直接駆動可能！
『VLB506-01R』は、1700V/3600AクラスまでのIGBTモジュールを直接駆動できる1回路入りゲートアンプモジュールです。 【特長】 ■高密度実装が容易なSIP 構造 ■高絶縁耐圧デジタルアイソレータ内蔵 ■ゲート駆動用絶縁型 DC DC コンバータ内蔵 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ■短絡検出抑制時間調整可能 ■最大ゲート出力ピーク電流 40A ■絶縁耐圧 4000Vrms/1 分間 ■入力信号はCMOS ロジック IC で動作可能（入力信号ハイアクティブタイプ） ■ゲート電源電圧VCC 低電圧ロックアウト機能 内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
1700V/1200AクラスIGBTモジュール4並列駆動対応可能！
『GAU240P-15405』は、1700V/3600AクラスまでのIGBTモジュールを 直接駆動できる2回路入りゲートドライブユニットです。 ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵。 アダプタ基板VLA595-02Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易です。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±40A ■絶縁耐圧4000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵(ソフト遮断機能付き) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
負荷短絡等の過電流から、ICや素子の劣化や破壊を防ぐのに最適！
『RT8H010C』は、電源・負荷ラインの過電流を検出するICとなります。 電源・負荷ラインに電流検出用の抵抗を挿入し、その抵抗の両端の電圧差により過電流を監視しております。 過電流を検出すると異常を知らせる信号（High信号）を出力します。 タイマー回路を内蔵しておりますので、電源立ち上げ時の突入電流等の誤検出を防ぐことが可能です。 出力形式は、ラッチ形式を採用しており、一旦、過電流を検出すると、過電流状態が解除されても、 異常を知らせる信号を出力し続けます。 異常検出状態を解除するには、電源の再投入、もしくは本製品にリセット信号を入力する必要がありますので、 安全に動作を再開させることが可能です。 過電流を検出する電流の値や、タイマー時間は本製品の外部で設定が可能ですので、 お客様の回路条件に応じて自由に設定できます。
負荷短絡時の過電流や周辺デバイスの異常による過電圧から、ICや素子の劣化や破壊を防ぐのに最適！
『RT8H020C』は、電源・負荷ラインの過電流と過電圧の2つの異常状態を検出するICとなります。 過電流検出機能は、ICの外部に接続した電流検出用抵抗の両端の電圧値をモニターする事により、過電流状態を検出しております。 検出部にはヒステリシスを設けておりますので、誤検出対策も万全です。 過電圧検出機能は、検出対象の電圧を抵抗分圧し、その電圧値をモニターしております。 出力は、過電流検出信号・過電圧検出信号のOR出力となっており、どちらか一方でも異常を検出すると 異常を知らせる信号（Low）を出力します。 また、出力形式はオープンコレクタとなりますので、異なる電源系への入力（レベルシフト）も可能です。 過電流や過電圧の検出値は、IC外部に接続する抵抗で設定が可能ですので、お客様の回路条件に応じて自由に設定できます。
周辺デバイスの異常による過電圧から、ICや素子の劣化や破壊を防ぐのに最適！
『RT8H060C』、『RT8H070C』は、電源・信号ラインの過電圧を検出するICとなります。 電源・負荷ラインを抵抗分圧した信号をICに入力し、過電圧を監視しております。 過電圧を検出すると異常を知らせる信号を出力します。 タイマー回路を内蔵しておりますので、過渡的な電圧上昇からの誤検出を防ぐことが可能です。 出力形式は、ラッチ形式を採用しており、一旦、過電圧を検出すると過電圧状態が解除されても、 異常を知らせる信号を出力し続けます。 異常検出状態を解除するには、電源の再投入、もしくは本製品にリセット信号を入力する必要がありますので、 安全に動作を再開させることが可能です。 過電圧を検出する電圧の値や、タイマー時間は本製品の外部で設定が可能ですので、 お客様の回路条件に応じて自由に設定できます。
2chウィンドウコンパレータで電圧の一括監視、センサー信号処理に最適！
ウィンドウコンパレータ回路を2回路内蔵しております。 本製品では入力信号(VS)が外部にて決定可能な2つの基準電圧(VIN1&VIN2)の範囲内にある場合にH出力となります。 各コンパレータの出力はオープンコレクタ出力となっており、任意の電源を用いたレベルシフトが可能です。 本製品1つで2系統の電圧低下・過電圧の一括監視や、センサー信号の処理が可能です。 また、ウインドウコンパレータ1回路内蔵品であるRT8H151Cと比べて電源電圧範囲も広くなっておりますので、 電源電圧が高い（17V～36V）場合にもご使用いただけます。
2系統の電圧低下を監視！過電圧監視回路の追加も可能！
RT8H182Eは、電源電圧の瞬断や低下を検出し、リセット信号（L出力）を発生する電源電圧監視用ICです。 電源電圧を含む2系統の電源を監視できます。 電源電圧の監視電圧は外部抵抗によって検出電圧を変更することも可能です。 もう1系統の電源電圧は抵抗分圧を使用することで、検出電圧を調整することが可能となっています。 リセット解除時には遅延時間を外付けの容量によって設定する事も可能です。 また、本製品にはコンパレータを1回路内蔵しています。 このコンパレータはオープンコレクタ出力ですので任意の電源を用いたレベルシフトが可能です。 電源電圧を抵抗分圧を用いて入力させることで過電圧検出にも用いることができます。 リセット出力端子とこのコンパレータの入力端子を接続することでリセット出力の論理反転に用いることも可能です。
汎用MOSFET(VDSS＝~60V、ID=～0.7A)ラインナップ紹介！
汎用MOSFETのご紹介です。 本製品は汎用のMOSFETのため様々な用途に使用できます。 ターゲットアプリケーションとしてはLED駆動、モーター駆動、リチウムイオン充電制御、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ等が挙げられます。 製品のスペックとしてはVDSS最大60V、ID最大0.7A、閾値電圧は0.5～2.0Vと様々な特性の汎用MOSFETとなります。 またパッケージもSC-75A、SC-70、SC-59と超小型のパッケージも取り揃えておりますので、新規採用はもちろん、他社品のEOLに対する代替品としてもご検討可能です。 一部、車載対応の製品もございますので、詳細はチラシをご覧頂くか、当社営業までお問い合わせお願いします。
高周波トランジスタ(fT=1.1～8GHz)ラインナップ紹介！
弊社量産中の高周波トランジスタのご紹介です。 本製品はシリコン高周波プロセスにより製造されており、利得帯域幅積(fT)が高く、チューナーやキーレスエントリーの発振回路やイメージセンサーの増幅回路などの高周波増幅用途に最適です。 fTが1.1GHz、4.5GHz、8GHzのラインナップを取り揃えており、SC-59、SC-70、SC-75Aの小型パッケージであるため、セットの小型化、高密度実装が可能です。 また、高周波トランジスタは他社国内メーカーではEOLとなっている製品が多数ありますが、弊社では継続生産しておりますので、他社製品のEOLでお困りの方は、この機会に是非ご検討ください。
ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現！
『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速スイッチングが可能！大電流、高耐圧MOSFETラインアップご紹介！
当社で取り扱う、「大電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。 高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、 高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。 【特長】 ■高速スイッチングが可能 ■LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、DC-DCコンバータ、 ロードスイッチなどのアプリケーションに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3300V/600Aクラス IGBT モジュール 4 並列駆動対応可能！
『VLA557-03R』は、3300V/600AクラスまでのIGBTモジュールを直接並列駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-01Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易となります。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最大ゲート出力ピーク電流±24A ■絶縁耐圧6000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
