更新日： 集計期間:2025年10月01日～2025年10月28日
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GEN2 シリーズ 25A , 650V TO220FullPak パッケージ
アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。
SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
補助電源アプリケーション向けの高い効率！優れた放熱性、低い熱抵抗
『MOSFETパワーディスクリート 1700V』は、ソーラーインバーター、 EV充電器、UPS、一般的なモーター制御など、高効率レベルのシングル エンドフライバック補助電源アプリケーションに適しています。 主な特長には、フライバックコントローラーを使った直接駆動、 ゲートドライバーICが不要、低損失な高電圧遮断、優れた熱性能を実現する .XT相互接合技術、信頼性を高める長い沿面距離と空間距離のパッケージ などが挙げられます。 【主な特長】 ■フライバックトポロジー向けに最適化 ■きわめて低いスイッチング損失 ■12V/0Vゲートソース電圧 ■フライバックコントローラーと互換性あり ■ゲート閾値、VGS(th)＝4.5V ■.XT接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs（Hermetic MOSFETs）と耐放射線性を有する宇宙機器向けMOSFETs
ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 R9シリーズの特長 Super Junction Technologyを採用したR9シリーズをリリース ■性能指標 FoM (オン抵抗RDSON × 電荷Qg）の大幅な改善 ■シングルイベントエフェクト（SEE）耐性の向上 ■パッケージは、表面実装（SMD-0.2、 SMD-0.5、 SMD-2)、 スルーホール（TO-254、 TO-257）の他、SupIR SMD-2にも対応 ※比較 【従来品】 【R9シリーズ】 ■RDS(ON)＝30（ｍΩ） ■RDS(ON)＝18（ｍΩ） ■Qg＝45（ｎC） ■Qg＝45（ｎC） ■ID＝22(A) ■ID＝40(A） ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。
電源用途に向けたパワーMOSFET製品の製品紹介
【BOOST MOS】 用途：昇圧型DC-DCコンバータ等 パッケージ：TO-252、TO-220FP 耐圧：100V～250V 特徴：低R<sub>DS(ON)</sub>、高電流対応、低Qg 【BUCK MOS】 用途：降圧型DC-DCコンバータ パッケージ：TO-220FP 特徴：超低オン抵抗（5.3mΩ～） 【SR MOS（シンクロナス整流用MOS）】 用途：整流段における効率向上 特徴：高速スイッチング、低Qg 【Power Saving MOS】 超低電流用（例：0.033Aクラス） 小型SOT-23パッケージ 【Power Switch MOS】 用途：電源ラインのON/OFF制御 パッケージ：DFN3x3、SOP-8など多様 特徴：低オン抵抗・高電流制御対応 【Signal Switch MOS】 小電流・低電圧向けスイッチ用途 超小型パッケージに対応（SOT-23など） 【GaN/SiC WBGデバイス】 GaN HEMTおよびSiC SBD（ショットキーバリアダイオード） 650Vクラスなどの高耐圧製品を予定
SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現
『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
2023年1月より量産リリース！ GEN2 スーパージャンクションMOSFET
アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！
インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
優れたスイッチング性能！5×6mmのパッケージで最高レベルの電力密度です
『車載用 Nチャンネル パワーMOFFET 100V』は、汎用性、堅牢性に優れた 高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2)で提供いたします。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 “IAUCN10S7N021"は、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品。 最高クラスの従来品からRDS(on)を47％低減し、業界最小クラスのRDS(on)と FOM(RDS(on)×Qg)を実現しました。 【主な特長】 ■前世代品よりRDS(on)が47％低減 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■前世代品より75％高いID電流 ■高いアバランシェ耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
先端パワー技術OptiMOS 7 80Vを用いたMOSFET製品を発売します！
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルNチャンネルのELM43400CB は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43400CBの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。
【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルPチャンネルのELM43401CA は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路によってESDに耐性がある製品もあります。弊社HPをご確認ください。 ※43401CAの詳しくはカタログをご覧いただくか、またはお気軽にお問い合わせ下さい。
デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
