アクティブクランプ型MOSFET
誘導性負荷の駆動に最適。フリーホイールダイオードを削減可能!
ゲート・ドレイン間にアクティブクランプ用ツェナーダイオードを内蔵しており、アクティブクランプ動作によりモーターやソレノイドドライブ時の逆起電力からMOSFETを保護します。このことにより、逆起電力の回生用フリーホイールダイオードが不要となります。 また、バイアス抵抗も内蔵しており周辺部品の削減に貢献します。
- 企業:イサハヤ電子株式会社
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年11月26日~2025年12月23日
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誘導性負荷の駆動に最適。フリーホイールダイオードを削減可能!
ゲート・ドレイン間にアクティブクランプ用ツェナーダイオードを内蔵しており、アクティブクランプ動作によりモーターやソレノイドドライブ時の逆起電力からMOSFETを保護します。このことにより、逆起電力の回生用フリーホイールダイオードが不要となります。 また、バイアス抵抗も内蔵しており周辺部品の削減に貢献します。