更新日： 集計期間:2026年01月14日～2026年02月10日
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8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
低静電容量と低ゲート電荷！高速で信頼性の高いボディダイオード
当社で取り扱う、700V 炭化ケイ素 (SiC) MOSFET『MSC015SMA070』 をご紹介します。 低静電容量と低ゲート電荷であり低い内部ゲート抵抗(ESR)による⾼速 スイッチング速度で接合温度 TJ(max)＝175℃でも安定した動作し信頼性 の高いボディダイオードまた優れたアバランシェ耐性を備えております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低静電容量と低ゲート電荷 ■低い内部ゲート抵抗 (ESR) による高速スイッチング速度 ■高いジャンクション温度、TJ(max)＝175℃でも安定した動作 ■高速で信頼性の高いボディダイオード ■パッケージ：D3PAK、TO-247、TO-247-4L、ダイ ■RoHS 対応 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵！EU RoHS 指令対応のMOSFET
『XP23/XP26 シリーズ』は、低オン抵抗、高速スイッチング特性を 実現した汎用NチャネルMOSFETです。 リレー回路、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能。 静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。 パッケージは、小型SOT-23(TO-236)（2.9 X 2.4 X h1.15mm）を採用し、 機器の小型化に貢献します。 【特長】 ■ゲート保護ダイオード内蔵 ■低オン抵抗 ■高速スイッチング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
20/0 VGSで動作！オン抵抗(Ron)・熱抵抗の低減を実現します
インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
GEN2 シリーズ 32A , 600V フルパックで0.1ohm を切る低オン抵抗を実現。
アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
熱設計が簡略化され、より高い効率を実現できます
『200VウルトラジャンクションX4クラスMOSFET』は、高効率アプリケーションに 好適な低RDS(on)MOSFETです。 当製品は、TO-220、TO-247-3L、TO-263とよびTO-268HVパッケージで、 60～220Aの公称定格電流でご利用いただけます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【メリット】 ■低イオン抵抗RDS(on)により導通損失を低減 ■低い熱抵抗RthJCにより熱設計が簡略化 ■高アバランシェエネルギー容量EASがもたらす高いサージ耐量 ■ゲート電荷量Qgの減少によるゲートドライバ要件を低減 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンスを実現
TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。 実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。 また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。 【特長】 ■TO247パッケージできわめて低いRDS(on) ■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現 ■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下 ■-5V～0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択 ■アバランシェおよび負荷短絡耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低ゲート、低出力、低逆回復電荷！優れた温度特性でUSB-PDや急速充電器の設計に好適です
『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと 迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。 低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。 【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出力、低逆回復電荷 ■優れた温度特性 ■2種類の小型標準パッケージを用意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
補助電源アプリケーション向けの高い効率！優れた放熱性、低い熱抵抗
『MOSFETパワーディスクリート 1700V』は、ソーラーインバーター、 EV充電器、UPS、一般的なモーター制御など、高効率レベルのシングル エンドフライバック補助電源アプリケーションに適しています。 主な特長には、フライバックコントローラーを使った直接駆動、 ゲートドライバーICが不要、低損失な高電圧遮断、優れた熱性能を実現する .XT相互接合技術、信頼性を高める長い沿面距離と空間距離のパッケージ などが挙げられます。 【主な特長】 ■フライバックトポロジー向けに最適化 ■きわめて低いスイッチング損失 ■12V/0Vゲートソース電圧 ■フライバックコントローラーと互換性あり ■ゲート閾値、VGS(th)＝4.5V ■.XT接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
GEN2 シリーズ 25A , 650V TO220FullPak パッケージ
アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
GEN2 シリーズ 15A , 600V GEN2 スーパージャンクションMOSFET
アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーMOSFETをご紹介
『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電源用途に向けたパワーMOSFET製品の製品紹介
【BOOST MOS】 用途：昇圧型DC-DCコンバータ等 パッケージ：TO-252、TO-220FP 耐圧：100V～250V 特徴：低R<sub>DS(ON)</sub>、高電流対応、低Qg 【BUCK MOS】 用途：降圧型DC-DCコンバータ パッケージ：TO-220FP 特徴：超低オン抵抗（5.3mΩ～） 【SR MOS（シンクロナス整流用MOS）】 用途：整流段における効率向上 特徴：高速スイッチング、低Qg 【Power Saving MOS】 超低電流用（例：0.033Aクラス） 小型SOT-23パッケージ 【Power Switch MOS】 用途：電源ラインのON/OFF制御 パッケージ：DFN3x3、SOP-8など多様 特徴：低オン抵抗・高電流制御対応 【Signal Switch MOS】 小電流・低電圧向けスイッチ用途 超小型パッケージに対応（SOT-23など） 【GaN/SiC WBGデバイス】 GaN HEMTおよびSiC SBD（ショットキーバリアダイオード） 650Vクラスなどの高耐圧製品を予定
★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
2023年1月より量産リリース！ GEN2 スーパージャンクションMOSFET
アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
産業機器にも最適な1200V ！高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献！
東芝デバイス＆ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、 電力損失も低減します。 【応用機器】 ■産業機器等の高出力・高効率大容量AC-DCコンバーター ■太陽光インバーター ■UPS等の大容量双方向DC-DCコンバーター ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。
高耐圧600V以上のパワー MOSFET！低オン抵抗・超低ゲート電荷量を特長とするMEMS技術のデバイスです。
『スーパージャンクションMOSFET』は、高耐圧の スーパージャンクション技術が使われている当社のパワーMOSFETです。 シリコンのMOSFETとMEMSプロセス技術の融合で、 世界的ベストインクラスのパフォーマンスをお届けします。 MEMS技術で独自の製造技術を発展させ、 より小寸法へ展開することで、高パフォーマンスでコストメリットのある MOSFETをご提供いたします。 【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現
『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSFETです。
アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
誘導性負荷の駆動に最適。フリーホイールダイオードを削減可能！
ゲート・ドレイン間にアクティブクランプ用ツェナーダイオードを内蔵しており、アクティブクランプ動作によりモーターやソレノイドドライブ時の逆起電力からMOSFETを保護します。このことにより、逆起電力の回生用フリーホイールダイオードが不要となります。 また、バイアス抵抗も内蔵しており周辺部品の削減に貢献します。
