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ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能
当社は、テストウエハの半導体技術でお客様の技術開発を支援しております。 テストウエハのサービスは、ベアSiウエハ、膜付ウエハ、パターンウエハ等を提供し、 チャージアップダメージを評価するウエハのサービスは 12インチウエハでも提供可能であり、長期にわたり世界的に評価されています。 ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能、 ウエハサイズは300mm、200mm、チップ測定に対応しており、 お客様の設備でプラズマ処理を行ったウエハを測定し、 I/Vカーブ、Vbdマップのデータをご提供しております。 また、TDDB（Qbd）測定サービスも可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
深堀エッチング技術で高アスペクトトレンチパターンウェハを実現
当社は先端の半導体技術によるテストウエハで、お客様の技術・製品開発を強力に支援しております。 （ベアSiウエハ/ 膜付ウエハ/パターンウエハ) トレンチパターンパターンウェハ『PT063』は、ボッシュプロセスによる深堀エッチング技術により高アスペクト構造を実現しております。 当社の標準レイアウトで、マスク寸法0.2µm~10µmのトレンチパターンを配置しており、最大アスペクト比は40~65程度となります。 開発効率化を求める皆様のニーズに答える製品としておすすめいたします。是非ご活用ください。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップによるダメージ評価が可能
当社は先進の半導体技術を背景に、テストウェハのソリューションを提供し、お客様の装置・材料・プロセスの評価・開発を総合的にサポートしております。 チャージアップダメージを評価するウエハのサービスは 12インチウエハでも提供可能であり、長期にわたり世界的に評価されています。 ドライエッチ、プラズマCVD、スパッタ、イオン打ち込みのチャージアップ評価が可能となります。 ウエハサイズは300mm、200mm、チップ測定に対応しており、 お客様の設備でプラズマ処理を行ったウエハを測定し、 I/Vカーブ、Vbdマップのデータをご提供しております。 また、TDDB（Qbd）測定サービスも可能です。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
