フォトエッチング
微細加工を少量の試作より可能。フォトエッチング
◎一枚からの試作に対応可能 ◎薄膜形成からの一貫したプロセス ◎ダイシング、バンプ形成等の試作も対応 ◎リフトオフ加工にて、誘電体膜や多層膜のパターン化も可能 ◎基板サイズは任意にて対応可能 ◎Siウエハやガラス基板のエッチングも可能 ◎短納期にて対応(要御相談) ◎リジッド、FPC基板にも対応
- 企業:豊和産業株式会社
- 価格:応相談
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微細加工を少量の試作より可能。フォトエッチング
◎一枚からの試作に対応可能 ◎薄膜形成からの一貫したプロセス ◎ダイシング、バンプ形成等の試作も対応 ◎リフトオフ加工にて、誘電体膜や多層膜のパターン化も可能 ◎基板サイズは任意にて対応可能 ◎Siウエハやガラス基板のエッチングも可能 ◎短納期にて対応(要御相談) ◎リジッド、FPC基板にも対応
Si異方性エッチング
Si異方性エッチングは、Siの結晶軸方位を利用してハーフ穴及び貫通穴を施す技法です。 例えば、Siウエハー(#100)型を異方性エッチングした場合、 結晶軸方向の54.7度の角度にて、シャープで高精度なパターン加工が可能です。 詳細はお気軽に「お問い合わせ」ください。
ガラスエッチング
ガラスエッチングは、Siウエハーの様な方向性はありませんが、 材質、ワーク寸法等、選択範囲が非常に広く、様々な分野で利用されております。 詳細はお気軽に「お問い合わせ」ください。
精密写真技術を用いた微細加工を少量の試作より承ります。
MEMSや表示デバイス等における要素技術であるフォトエッチング・精密写真技術を用いた微細加工を少量の試作より承ります。ガラス基板、Siウエハ、フィルム、セラミックス等の基板上に薄膜を形成し、フォトリソグラフィー方式により微細なパターンを一貫加工にて形成致します。一枚からの試作に対応可能です。ダイシング、バンプ形成等の試作も対応いたします。また、リフトオフ加工にて、誘電体膜や多層膜のパターン化も可能です。基板サイズは任意にて対応可能。Siウエハやガラス基板のエッチングも可能です。短納期にて対応(要御相談)、リジッド、FPC基板にも対応いたします。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。