ドライエッチング装置 RIE-10NR（平行平板型RIE装置）
数百台の実績を誇る汎用性に優れたドライエッチング装置。
● 高い選択比と高精度のエッチングが可能。 ● PLCコントロールによる自動運転およびプロセスパラメータの保存が可能。 ● 試料はφ8インチまで対応可能。 ● 高速排気エッチングが可能。 ● コンパクト設計
- 企業：サムコ株式会社
- 価格：応相談
エッチング装置×サムコ株式会社 - メーカー・企業と製品の一覧
エッチング装置の製品一覧
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ドライエッチング装置・XeF2エッチング装置
XeF2エッチング装置
●完全ドライプロセスであるため、スティクションによる自立デバイスの破壊を抑制することが可能。 ●ウエットプロセスにおける前処理、後処理が不要。 ●ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピードおよびガスの使用量の制御が容易。 ●プラズマを使用しないため、電界による素子へのダメージ（電子またはイオン衝撃）がない。 ●研究開発用途向けであるため、卓上型で非常にコンパクトな設計。 ●専用機であるため低価格。
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化合物半導体プロセス用 ICPエッチング装置
化合物半導体プロセス用 ICPエッチング装置
RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供
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ICPエッチング装置 RIE-800iPC/RIE-400iPC
真空カセット室を備え、プロセス再現性や安定性に優れた本格生産用装置をご紹介
『RIE-800iPC/RIE-400iPC』は、SiCトレンチ形状の25枚連続加工の安定性を 誇るICPエッチング装置です。 高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現。 また、反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・ 低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。 【特長】 <RIE-800iPC> ■最大Φ8”ウエハ対応 ■放電形式に誘導結合プラズマを採用 ■真空カセット室を備えプロセス再現性や安定性に優れる ■ウエハとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を確保 ■TMP(ターボ分子ポンプ)や高周波電源をユニット化し、交換が容易 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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