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パワー半導体向けフラックスレス半田ダイボンダ(糸はんだ) オプションでマルチチップ実装対応！
パワー半導体向けフラックスレス半田ボンダ『DBD3580S』 最大幅100mmのPower QFNなど多列ワークに対応しています。 【仕様】 ■接合プロセス糸はんだ塗布 ■チップサイズ □1.0~6.0mm ~10.0mm(オプション) ■ボンド精度(XY) +/-50μm ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重30~200gf ■対応ワークは、リードフレーム又は、キャリア ■対応幅最大100mmまで ■ウェハサイズ6インチ又は8インチ ■ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム0.60秒/チップ, 各種条件による ■ピン搬送 ■外形寸法2,000x1,235x1,650mm ■質量1,300kg ■主要オプションウェハチェンジャ(標準仕様)、マガジンローダ ウェハマップ、パンチユニット等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
クリップボンダ パワー半導体向けダイボンダ チップ及びクリップ接合、オプションで外観検査とＮＧ品打ち抜きユニット対応
『DCA1000』は、パワー半導体向けダイ及びクリップボンダです。 (装置写真は、ダイボンダ+クリップボンダ+外観検査機構の構成) 【仕様】 ■接合プロセス はんだコーティングされたチップの接合 及びリボンはんだによるリードチップの接合 ■チップサイズ □1.0~6.0mm ■リードチップサイズ 8.5x2.5mm, 8.5x3.5mmなど ■ボンド精度(XY) +/-150μm ■ボンド精度(Θ) +/-5° ■ボンド/ピック荷重 40~200gf ■対応ワーク リードフレーム ■対応幅 最大30mmまで ■チップ/リード供給 パーツフィーダ供給 ■マシンサイクルタイム 0.9sec(1chip) 1.6sec(2chip) ■搬送方式 ピン搬送 ■外形寸法 2,300x1,000x1,490mm ■質量 1,200kg ■主要オプション 裏面認識によるチップ表裏判定 外観検査及びNG品の打ち抜き ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短冊フレーム用ダイボンダ 共晶、エポキシ両方に対応可、兼用仕様も可。小チップ(□0.15mm～)対応 安定稼働を供給！
『DBD4600S』は、短冊フレーム用ダイボンダで、 0.15mm～からの小チップも対応可能 安定稼働を供給します 【仕様】 ■接合プロセス 共晶(DAF)/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ □0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm +/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重 30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅 最大70mmまで ■ウェハサイズ 6インチ又は8インチ ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム 0.3秒/チップ(共晶), 各種条件による ■搬送方式 ピン搬送(共晶又は兼用仕様) グリッパ搬送(エポキシ専用機) ■外形寸法 2,200x1,250x1,880mm ■質量 1,200kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、裏面認識、コレットクリーナ、ウェハマップ、ストリップマップ等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フープフレーム用ダイボンダ 共晶、エポキシ両方に対応可（兼用仕様可）小チップ(0.15mm～)対応 安定稼働を供給！
フープフレーム用ダイボンダ『DBD4200R』 0.15mm～からの小チップも対応可能です。 【仕様】 ■接合プロセス共晶/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ□0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅最大78mmまで ■ウェハサイズ6インチ又は8インチ ■ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム0.25秒/チップ(共晶), 各種条件による ■搬送方式ローラ搬送 ■外形寸法1,740x1,150x1,185mm ■質量1,000kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、アンコイラ、カッター、ウェハマップ、ポストボンド認識等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短冊フレーム用ダイボンダ エポキシ、DAF両方に対応可、速乾性ペースト対応
短冊フレーム用ダイボンダ『EBD4350S』は、 速乾性ペーストに対応したエポキシダイボンダです。 【仕様】 ■接合プロセス エポキシ/DAF/兼用機仕様 ■チップサイズ □0.15~3.0mm ■ボンド精度(XY) +/-35μm +/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重 30~200gf ■対応ワーク リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅 最大70mmまで ■ウェハサイズ 6インチ又は8インチ ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム 0.35秒/チップ, 各種条件による ■搬送方式 グリッパ搬送 ■外形寸法 1,680x1,135x1,645mm ■質量 1,300kg ■主要オプション ロータリーボンドヘッド、裏面認識、アップダウン機構 ウェハマップ、ストリップマップ等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
