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半導体・電子部品・有機複合材料などの内部構造や欠陥を拡大して観察できます
『それ、壊さずに見えますよ!』は、隠れた異常が見える受託分析サービスです。 非破壊の観察手法には電流経路を可視化する磁場顕微鏡、剥離を高感度で 検出する超音波顕微鏡、内部構造を3次元で観察できるX線顕微鏡(X線CT)があり、 これらを組み合わせることで、さまざまな現象を捉えることが可能です。 また、高輝度X線により、錠剤の吸水と崩壊開始の状態をリアルタイムに 観察でき、動画でのご提供も可能です。 お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■剥がれ・割れが見える ■3次元構造が見える ■磁場・電流が見える ■知りたい数値が見える(粒度・体積・配向・空隙・密度) ■リアルタイムで形状変化が見える ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
二次電池の充放電過程における正極/負極材料の粒径・ひずみ量評価などの用途に！
当社で行う「リートベルト解析によるX線回折データの定量分析」 についてご紹介いたします。 X線回折データにリートベルト解析を適用することにより、標準試料を 必要とせずに、試料に含まれる結晶相の質量分率、結晶子サイズ、 均一ひずみの定量が可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■標準試料を必要とせずに、試料に含まれる結晶相の質量分率、 結晶子サイズ、均一ひずみの定量が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
質量分析計には、磁場型・四重極型・飛行時間型などの種類があり、分析の目的に応じて使い分けます！
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量不純物元素を 同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。 スパッタリングしながら測定するため、膜中の不純物の深さ方向分布を 得ることができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■磁場型SIMS：高感度が要求される不純物の評価に用いる ■四重極型SIMS：深さ方向分解能が要求される評価や、絶縁膜を含む 多層膜の評価に用いる ■飛行時間型SIMS：極表面にある極微量物質の分子構造レベルの評価、 表面の有機物などの汚染状態や微小異物の評価に用いる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
金属部材の変色部分の原因調査では、最表面状態の定性分析と表面酸化膜の厚さや深さ方向の分布などXPSによる評価が非常に有効！
変色した銅部材表面のXPS分析についてご紹介いたします。 銅の変色の原因は、腐食物の生成による場合のほか、表面酸化膜の厚さの違い (光の干渉現象による発色)が原因となる場合もあるので、X線光電子分光(XPS) による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も実施すると有効です。 添付のPDF資料にて、銅部材の表面定性分析と深さ方向分析を実施し、変色部分と 正常部分の比較を行った事例をご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【銅表面の変色状態評価】 ■X線光電子分光(XPS)による最表面の定性分析に加えて深さ方向分析も 実施すると有効 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
D-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに成功！
GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜の前工程由来成分(不純物)の拡散は、 絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。 今回当社にて、薄膜加工したGaN化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。 それによりD-SIMSを用いてゲート酸化膜上層側からの不純物拡散を捉えることに 成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
D-SIMSを用いてn-バッファ層厚・窒素(N)濃度を捉えることに成功！
SiC MOSFETでは近年、オン抵抗対策のため、n-基板とn-ドリフト層の間に 数百nmオーダのn-バッファ層が挿入されています。 n-バッファ層の評価では、深さ方向分解能を向上させるため、上層に位置する 数μmオーダのn-ドリフト層を薄膜化し、その表面を平坦化する必要があります。 今回当社にて、薄膜加工したSiC化合物の表面に高い平坦性をもたせる技術を 開発しました。それによりD-SIMSを用いてn-バッファ層厚・窒素(N)濃度を 捉えることに成功しました。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
赤外線加熱により、試料のみを加熱するため、低バックグラウンド化が可能！
当社で行う「昇温脱離ガス分析(TDS)」についてご紹介いたします。 材料や部品から発生するガスを把握することにより、表面付着物、 工程改善策の確認や不具合発生原因の推定を行うことが可能です。 昇温脱離ガス分析(TDS)では、真空中で試料を昇温加熱した際に、 表面および内部から発生するガス種の同定(定性分析)やガス量の 半定量分析ができます。 【特長】 ■試料サイズ：10mm×10mm、4mm(厚さ)まで ■試料加熱雰囲気：高真空(10^-7Pa) ■温度 ・室温～1 400℃(試料ステージ温度) ・室温～約1 150℃(Si基板校正温度※) ※埋め込み熱電対による高精度な温度補正を実施 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
裏面研磨技術を用いたXPS分析(Backside XPS)についてご紹介！
当社で行う「ゲート電極/酸化膜界面の不純物分析」についてご紹介します。 ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには 1nm以下の深さ方向分解能が必要。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側) からの測定を行うことで、より信頼性の高い解析が可能になります。 XPSの検出深さは数nm以下と浅いので、Si基板部分を裏面から研磨やウェット エッチングにより除去してXPS測定を行います。 【得られる情報】 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の不純物の分布・結合状態 ■ゲート電極/ゲート酸化膜界面近傍の組成変化 ■バンドアライメントなど ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
磁気抵抗素子の特性は、各種分析手法を組み合わせで解析することが重要！
当社で行う「磁性金属多層膜の組成・状態分析」についてご紹介します。 GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、 HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。 このような磁気抵抗素子の特性は、構造や界面により大きく変化するため、 それら挙動を各種分析手法を組み合わせで解析することが重要です。 【界面の状態解析】 ■XPS ■HAXPES ■TEM-EELS ■3DAP(APT) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
