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加工時間の短縮に成功！ディッシングを極限まで低減することが可能に
当社では『TSV CMP受託加工』を承っております。 通常の半導体用Cu CMPに用いられるCu slurryに対して 10倍近くの加工速度を確保しているスラリーを用いたCMPプロセスを 適用しているため短時間に処理を終えることができます。 当社のCMP受託加工では、超高速Cu CMPの確立により 超高精度且つ低価格を実現しております。 【特長】 ■加工時間を短縮 ■加工精度の向上にも寄与 ■超高速Cu CMPプロセス ■ディッシングを極限まで低減 ■超高精度且つ低価格を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
お客様のご要求される表面粗さを確保し常温接合を可能と致します
当社では『接合前CMP受託加工』を承っております。 接合前CMPの加工実績の一例として、半導体及び化合物半導体で使われる材料 Si、Cu、W、Ta、TaN、SiO2、TEOS、GaAs、SiC、GaN、InP 同種接合及びこれら相互の異種材料接合が可能です。 CMP受託加工でお客様のウェーハを処理する以前に、多数の自社実験から 裏付けされた確かな技術でお客様のニーズにお応え致します。 【加工実績一例】 ■単結晶酸化物 ・LiNbO3、LiTaO3、Al2O3(サファイア)など ■多結晶材料 ・Poly-Si SiC Al2O3/YAGなど ■金属 ・Au、Pt、Ag、Cu、Ti、TiN、Ni、W、Al、Sn、Pb、Znなど ■セラミクッス ・アルミナ、フェライト、ジルコニア ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
