AuSnハンダ
回路基板にあらかじめAuSnハンダを載せることで、チップ部品をそのままマウントすることが可能になり、実装工数を削減できます。
【特徴】 ○AuSn組成 Au:Sn=7:3(標準)(これ以外の組成も対応可能です) ○標準膜厚(t) :3μm ○膜厚公差:±20% ○パターン 最小寸法(D):50μm ○パターン公差:±10μm ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。
- 企業:日本ファインセラミックス株式会社
- 価格:応相談
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回路基板にあらかじめAuSnハンダを載せることで、チップ部品をそのままマウントすることが可能になり、実装工数を削減できます。
【特徴】 ○AuSn組成 Au:Sn=7:3(標準)(これ以外の組成も対応可能です) ○標準膜厚(t) :3μm ○膜厚公差:±20% ○パターン 最小寸法(D):50μm ○パターン公差:±10μm ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。
セラミックス基板に薄膜集積回路パターンを形成します。
アルミナ純度99.9%を用いることで、次世代無線通信システムに必要とされる30GHz帯域動作を可能にする、微細回路パターン (line/space=30um/30um) を提供します。 【薄膜集積回路】 各種セラミックス基板に集積回路をパターニンング致します。 ●サイドパターン(0.3t以上)、AuSn半田パターンの形成が可能 ●導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載可能 ●独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより高周波帯域での低誘電損失・低雑音の回路形成が可能 ●基板材料として、窒化アルミニウム(ALN)基板、石英基板なども対応 【高品位アルミナ基板】 ●緻密 ●3点曲げ強度が660MPaと大きく、従来品の約2倍 ●電気的な特性が良く、高周波帯域での誘電損失が小さい
マイクロ波帯で誘電損失が小さいセラミックス基板、マイクロ波用誘電体基板、曲がるセラミックスを製造から薄膜パターン形成まで一貫生産
【高品位アルミナ基板】 ○緻密 ○3点曲げ強度が660MPaと大きく、従来品の約2倍 ○電気的な特性が良く、高周波帯域での誘電損失が小さい 【ジルコニア基板】 ○高強度、高靭性 ○弾性変形能が大きい曲がるセラミックス 【高誘電体基板】 ○比誘電率が高いためアルミナ基板にくらべ高周波回路の小型化を図ることが可能 ○高周波帯域でも誘電損失を小さい 【薄膜集積回路】(各種セラミックス基板に回路形成) ○エアーブリッジ、サイドパターン(0.5t以上)、AuSn半田パターンの形成が可能 ○導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載が可能 ○独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより 高周波帯域での低損失・低雑音の回路形成が可能 ○基板材料として、高誘電体基板、窒化アルミニウム基板(AlN基板) 石英基板なども対応
5軸加工機による複雑形状や曲面の高精度加工で、セラミックスの用途が広がりました。
X軸、Y軸、Z軸に、C軸(テーブル回転)、A軸(テーブル斜面軸)を加えた5軸加工機の導入により、複雑形状や曲面の高精度加工が可能となり、セラミックスの用途が広がりました。段取時間短縮によるコスト低減も見込まれます。
お客様の接合工程を不要にし、熱伝導ロスを低減する「段付きセラミックス基板」に、薄膜集積回路を形成することが可能になりました。
この製品は、元々ユーザー様で2つの基板を貼り合わせて(半田、ペースト、接着剤で接合後)使用されていたものを「一体化された1つの部材で提供できないか」というコンセプトで作られたものです。 1つの部材にすることで(1)ユーザー様の接合の手間、費用が削減できるうえ (2)接合材料の熱伝導ロスがなくなりました。 更に段付きセラミックス基板に薄膜集積回路を形成することが可能になりました。 【適用例】 基板上段と下段の段差をレーザー素子の厚みに合わせ、レーザー素子を下段に搭載します。これによりレーザー素子上面と基板上段が同じ高さになり、最短距離でワイヤーボンディングできます。
薄膜回路形成に好適! 高強度、高純度、平面平滑に優れたJFC独自のアルミナ基板
当社が製造する薄膜用高強度アルミナ基板は、微細で均一な原料粉末の使用で得られる緻密で滑らかな表面が、微細な薄膜回路形成に好適です。 高純度で曲げ強度が高いため、基板を薄くしても割れにくくハンドリング性に優れ、基板の小型薄肉化に貢献しております。 温度センサー、チップ抵抗器への採用が進んでおります。
セラミックスを超える高熱伝導!シリコン並みの低熱膨張を実現!
SiCセラミックスと金属シリコンを複合することにより、セラミックスを超える高熱伝導とシリコン並みの低熱膨張を実現しました。 SiCやAlNを超える熱伝導率! 複合比率を変更することにより、さまざまな特性を実現できます。 表面処理(めっき)が可能で、静電チャックにも使用可能です。 セラミックスよりも大型化が可能です。 SiCとアルミの組み合わせもラインナップしてます。 ●●●詳しくはPDFカタログを参照ください。●●●
割れにくく薄くできる、高純度・高強度アルミナ基板。 その薄さがセンサー性能を最大限にまで引き上げます。
弊社独自のセラミックス薄板製造技術から生まれた高純度アルミナ基板。 高純度がもたらす高強度により割れにくく基板を薄くできるため、センサーの高性能化にご採用頂いております。
マイクロ波帯でも損失の少ないセラミック基板から薄膜パターン形成まで一貫生産。試作から量産まで高品質の製品を低価格・短納期で提供。
各種スルーホール加工、スリット加工された基板上に回路形成した薄膜集積回路部品を提供いたします。 【特徴】 ○サイドパターン(0.38t以上)、AuSn半田パターンの形成 ○導体、薄膜抵抗、薄膜インダクタの同時搭載 ○独自の99.9%アルミナ基板とファインパターンの組合せにより高周波帯域での低損失・低雑音の回路形成が可能 ○基板材料:窒化アルミニウム基板(AlN基板)、石英基板等 ○基板メーカーだから出来るトータルな技術開発・品質保証・問題解決 ○製品機能、仕様に応じた品質を提供し、短納期・設計変更にも迅速に対応致します。 その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。
金属部品をセラミックスに変更することで大幅な寿命改善が見込まれます。改善事例を紹介します。
セラミックスは金属に比べて非常に優れた耐摩耗性・耐食性を持つ軽い材料で、装置部品の寿命対策、摩耗対策に採用が進んでおります。 装置の金属部品を炭化ケイ素や窒化ケイ素などのセラミックスに置き換えることで部品寿命が延び、部品交換のメンテナンス作業が大幅に軽減されます。 JFCでは5種類の炭化ケイ素と2種類の窒化ケイ素をラインナップしてます。窒化ケイ素SNP03は標準SNP02よりも破壊靭性や曲げ強度を高めた高強度タイプです。装置部品の長寿命化にJFCのセラミックスをご検討ください。 ※詳しくはカタログをダウンロードしてください。 またJFCではセラミックスと金属の複合材料も製造販売してます。例えばPDF資料に掲載しているSA701はSiCセラミックスとアルミニウムの複合材料です。割れにくい材料が必要な場合に有効です。
大型アルミナ部品でお困りのお客様へ - その問題、セラミックス複合材料が解決いたします。
半導体製造装置関連の市場拡大に伴い、セラミックスの調達問題が発生しております。特に大型アルミナ部品は供給元が限られ、長納期化により装置開発スケジュールに影響がでております。 セラミックス金属複合材料SA701は、アルミナに比べヤング率や曲げ強度は若干劣りますが、破壊靭性値が高く割れにくい材料であり、ハンドリングが容易です。密度はアルミナの約3/4と軽く、直ネジを加工できるため、金属ブッシュを必要とせず、軽量化が可能です。アルミナに比べて部品の大型化を得意とする金属セラミックス複合材料の採用をご検討ください。 ※詳細はPDFダウンロードボタンから資料をご覧下さい。お問合せボタンからのご質問、お問合せもお待ちしております。
独自の複合化技術が生んだシリコン/アルミ複合材料SA001は アルミより軽く鋳鉄のヤング率を持ち、接合技術で中空構造にも対応。
金属シリコンとアルミニウムの複合材料SA001を開発しました。 アルミより軽く、鋳鉄より高いヤング率で、比剛性はアルミの2倍を誇るスーパーマテリアルの誕生です。 接合技術により中空構造や流路内臓にも対応します。 ●採用実績:高精度3次元測定機部品、半導体製造装置部品 ●用途提案:静電チャック用温調プレート ※材質をアルミからSA001に変更することで、アルミナESCとの熱膨張差問題を解消
低誘電損失アルミナ基板製造技術と高精度パターニング技術に、設計・評価技術を組み合わせ、シミュレーション再現性の高い回路基板を提供
Beyond 5G(6G)で利用されるミリ波・テラヘルツ波領域では、低損失な基板特性や微細パターニング技術が求められます。 長年培ってきた低誘電損失セラミックス基板の製造技術、高精度なパターニング技術、お客様のご要望にお応えする設計技術に加えて、高周波でのシミュレーションや測定が可能になりました。 これによりシミュレーションの再現性が高い高周波回路基板の提供が可能になりました。 「こんな受動部品が欲しい」などのリクエストやご質問等、何でもご相談ください。基板メーカーだからこそできる技術開発力と総合力で問題を解決致します。