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ゼータ電位・粒子径・分子量測定システムを用いた細菌から生産される細胞外膜小胞の粒子径・粒子濃度・ゼータ電位測定
細菌から生産される細胞外膜小胞は、細菌間のコミュニケーション、遺伝子の水平伝播、病原性細菌の毒性発現、など多様な機能を担うことから注目を集めています。その膜小胞は特にワクチンとしての利用やドラッグデリバリーシステム(DDS)におけるキャリアとしての利用に期待されており、その特性評価も重要になっています。 ELSZneoでは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することができます。今回、親株のMV (parent)と表層タンパク質欠損株のMVの粒子径分布、粒子濃度、ゼータ電位を測定しました。その結果から、本タンパク質の存在が凝集体形成抑制に寄与していることが推察できる。 エクソソーム測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
反射対物レンズが実現する透明基板の高精度測定
フィルムやガラス等の透明な基板サンプルの場合、基板の裏面からの反射の影響を受けると正確な測定ができません。 OPTMシリーズの反射対物レンズを使用すると、物理的に裏面反射を除去することができ、透明基板でも高精度に測定ができます。 また、フィルムやSiC等の光学異方性をもつサンプルに対してもその影響を受けること無く上面の膜のみの測定を行うことが可能です。 （特許取得済 第5172203号）
さまざまな用途のDLCコーティング厚みの測定
DLC(diamond‐like carbon)はアモルファス（非晶質）な炭素系材料です。高硬度・低摩擦係数・耐摩耗性・電気絶縁性・高バリア性・表面改質やDLCの厚み測定は断面を電子顕微鏡にて観察する破壊検査が一般的でしたが、大塚電子の光干渉式膜厚計であれば非破壊かつ高速に測定が可能です。測定波長範囲を変えることで極薄膜から超厚膜まで幅広い膜厚が測定できます。 独自の顕微鏡光学系を採用することで、形状のあるサンプルの実測定が可能になりました。また、測定箇所をモニターで確認しながら測定を行うことで異常原因の分析に役立てることができます。 特注でさまざまな形状に対応した傾斜・回転ステージをご用意いたします。実サンプルの任意の複数箇所が測定可能です。 材料の光学定数（nk）が分からないと正確な膜厚測定ができない問題は、独自の解析手法：複数点解析を用いて、厚みの異なる複数サンプルを同時解析することで従来に比べ非常に高精度にnkを求めることが可能です。NIST検定の標準サンプルで校正を行うことでトレーサビリティを保証します。
ゼータ電位・粒子径測定システムを用いたエクソソームの粒子径・粒子濃度・ゼータ電位測定
エクソソームは、生体メカニズムの理解、診断、DDSなどへの応用が期待されています。そのエクソソームを適切に分離し精製することは、特性の理解や臨床応用へ発展させる上で非常に重要です。精製されたエクソソームの粒子径・粒子数の確認は実験のファーストステップとなります。 ELSZneoでは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することができます。粒子径は動的光散乱法、粒子濃度には静的光散乱法、ゼータ電位は電気泳動光散乱法を用いて結果を得ることができます。エクソソーム表面の電荷（ゼータ電位）の違いは粒子挙動にも大きく影響するため、近年非常に注目されている指標の一つです。ELSZneoは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することで、エクソソームの性質を詳細に解析することが可能です。 エクソソーム測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
CMPスラリーの等電点測定から分散性を評価
CMPスラリーは、研磨対象の材料や研磨条件によって、研磨に用いる砥粒を選択する必要があります。CMPの加工特性では、CMPスラリーの粒子径やpH、砥粒の純度などが影響します。そこで、CMPスラリーの分散性やスラリーと研磨材料との相互作用を評価する上で、ゼータ電位の測定が重要です。 今回は、砥粒の異なるスラリーをpHタイトレータを用いてpHタイトレーションを行い、各砥粒の等電点測定を行いました。 砥粒の異なるCMPスラリーの等電点測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
ゼータ電位・粒子径・分子量測定システムを用いて研磨パッドの表面ゼータ電位測定
半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、ウェーハ、スラリー、研磨パッドの組み合わせとして使用されパッド表面の粗さによってスラリーを保持し、ウェーハ表面の被膜が研磨されます。パッド表面の目詰まりは、スクラッチなどの欠陥に寄与し、パッド表面の特性は、研磨性能に寄与すると考えられています。そこで研磨パッドおよびスラリーのゼータ電位を測定し、静電相互作用や吸着特性を検討することは有効であると考えられます。 今回、発泡ポリウレタンの研磨パッドを測定サンプルとし、各pHにおける表面ゼータ電位を行いました。 研磨パッドの表面ゼータ電位測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
反射分光膜厚計『OPTM』を用いた絶縁膜の膜厚測定
半導体トランジスタは電流の通電状態を制御することで信号を伝達していますが、電流が漏れたり別のトランジスタの電流が勝手な通路を通り回り込むことを防止するために、トランジスタ間を絶縁するための絶縁膜が埋め込まれています。 絶縁膜にはSiO2（二酸化シリコン）やSiN（窒化シリコン）が用いられます。 SiO2は絶縁膜として、SiNはSiO2より誘電率の高い絶縁膜として、または不必要なSiO2をCMPで除去する際のストッパーとして使用され、その後にSiNも除去されます。 このように絶縁膜としての性能、正確なプロセス管理のため、これらの膜厚を測定する必要があります。
反射分光膜厚計『OPTM』を用いた絶縁膜の膜厚測定
半導体トランジスタは電流の通電状態を制御することで信号を伝達していますが、電流が漏れたり別のトランジスタの電流が勝手な通路を通り回り込むことを防止するために、トランジスタ間を絶縁するための絶縁膜が埋め込まれています。 絶縁膜にはSiO2（二酸化シリコン）やSiN（窒化シリコン）が用いられます。 SiO2は絶縁膜として、SiNはSiO2より誘電率の高い絶縁膜として、または不必要なSiO2をCMPで除去する際のストッパーとして使用され、その後にSiNも除去されます。 このように絶縁膜としての性能、正確なプロセス管理のため、これらの膜厚を測定する必要があります。
複数点同一解析を用いた nk 未知の極薄膜の測定
従来法では困難であった極薄膜領域下(100nm以下)でのnk解析ですが、複数点解析機能により、精度良くnk解析が可能です。（特許取得済 第5721586号） 最小二乗法でフィッティングをして膜厚値（ｄ）を解析するには材料のnkが必要です。nkが未知の場合、d とnkの両方を可変パラメータとして解析します。 しかしながら、ｄ が100nm以下の極薄膜の場合、ｄ とnkとを分離することができず、そのため精度が低下して正確な ｄ が求められないことがあります。 このような場合、ｄ の異なるサンプルを複数測定し、nkが同一であると仮定して同時解析（複数点同一解析）をします。これにより精度よくnkを求め、正確な ｄ を求めることが可能です。
