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光干渉法による膜厚測定の原理
光干渉法と自社製高精度分光光度計により、非接触・非破壊かつ高速高精度での膜厚測定を可能にしました。 光干渉法は、分光光度計を利用した光学系によって得られた反射率を用いて光学的膜厚を求める方法です。 図１のように金属基板上にコーティングされた膜を例にとると対象サンプル上方から入射した光は膜の表面で反射します（R1）。さらに膜を透過した光が基板（金属）や膜境界面で反射します（R2）。この時の光路差による位相のずれによっておこる光干渉現象を測定し、得られた反射スペクトルと屈折率から膜厚を演算する方法が光干渉法です。
ゼータ電位・粒子径・分子量測定システムを用いた細菌から生産される細胞外膜小胞の粒子径・粒子濃度・ゼータ電位測定
細菌から生産される細胞外膜小胞は、細菌間のコミュニケーション、遺伝子の水平伝播、病原性細菌の毒性発現、など多様な機能を担うことから注目を集めています。その膜小胞は特にワクチンとしての利用やドラッグデリバリーシステム(DDS)におけるキャリアとしての利用に期待されており、その特性評価も重要になっています。 ELSZneoでは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することができます。今回、親株のMV (parent)と表層タンパク質欠損株のMVの粒子径分布、粒子濃度、ゼータ電位を測定しました。その結果から、本タンパク質の存在が凝集体形成抑制に寄与していることが推察できる。 エクソソーム測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
ELSZneoを用いたエクソソームの粒子径・粒子濃度・ゼータ電位測定
エクソソームは、生体メカニズムの理解、診断、DDSなどへの応用が期待されています。そのエクソソームを適切に分離し精製することは、特性の理解や臨床応用へ発展させる上で非常に重要です。精製されたエクソソームの粒子径・粒子数の確認は実験のファーストステップとなります。 ELSZneoでは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することができます。粒子径は動的光散乱法、粒子濃度には静的光散乱法、ゼータ電位は電気泳動光散乱法を用いて結果を得ることができます。エクソソーム表面の電荷（ゼータ電位）の違いは粒子挙動にも大きく影響するため、近年非常に注目されている指標の一つです。ELSZneoは、粒子径・粒子濃度・ゼータ電位を測定することで、エクソソームの性質を詳細に解析することが可能です。 エクソソーム測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
ゼータ電位・粒子径・分子量測定システムを用いて砥粒の異なるCMPスラリーの等電点測定
CMPスラリーは、研磨対象の材料や研磨条件によって、研磨に用いる砥粒を選択する必要があります。CMPの加工特性では、CMPスラリーの粒子径やpH、砥粒の純度などが影響します。そこで、CMPスラリーの分散性やスラリーと研磨材料との相互作用を評価する上で、ゼータ電位の測定が重要です。 今回は、砥粒の異なるスラリーをpHタイトレータを用いてpHタイトレーションを行い、各砥粒の等電点測定を行いました。 砥粒の異なるCMPスラリーの等電点測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
ゼータ電位・粒子径・分子量測定システムを用いて研磨パッドの表面ゼータ電位測定
半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、ウェーハ、スラリー、研磨パッドの組み合わせとして使用されパッド表面の粗さによってスラリーを保持し、ウェーハ表面の被膜が研磨されます。パッド表面の目詰まりは、スクラッチなどの欠陥に寄与し、パッド表面の特性は、研磨性能に寄与すると考えられています。そこで研磨パッドおよびスラリーのゼータ電位を測定し、静電相互作用や吸着特性を検討することは有効であると考えられます。 今回、発泡ポリウレタンの研磨パッドを測定サンプルとし、各pHにおける表面ゼータ電位を行いました。 研磨パッドの表面ゼータ電位測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
