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反射分光膜厚計『OPTM』を用いた絶縁膜の膜厚測定
半導体トランジスタは電流の通電状態を制御することで信号を伝達していますが、電流が漏れたり別のトランジスタの電流が勝手な通路を通り回り込むことを防止するために、トランジスタ間を絶縁するための絶縁膜が埋め込まれています。 絶縁膜にはSiO2（二酸化シリコン）やSiN（窒化シリコン）が用いられます。 SiO2は絶縁膜として、SiNはSiO2より誘電率の高い絶縁膜として、または不必要なSiO2をCMPで除去する際のストッパーとして使用され、その後にSiNも除去されます。 このように絶縁膜としての性能、正確なプロセス管理のため、これらの膜厚を測定する必要があります。
反射対物レンズが実現する透明基板の高精度測定
フィルムやガラス等の透明な基板サンプルの場合、基板の裏面からの反射の影響を受けると正確な測定ができません。 OPTMシリーズの反射対物レンズを使用すると、物理的に裏面反射を除去することができ、透明基板でも高精度に測定ができます。 また、フィルムやSiC等の光学異方性をもつサンプルに対してもその影響を受けること無く上面の膜のみの測定を行うことが可能です。 （特許取得済 第5172203号）
さまざまな用途のDLCコーティング厚みの測定
DLC(diamond‐like carbon)はアモルファス（非晶質）な炭素系材料です。高硬度・低摩擦係数・耐摩耗性・電気絶縁性・高バリア性・表面改質やDLCの厚み測定は断面を電子顕微鏡にて観察する破壊検査が一般的でしたが、大塚電子の光干渉式膜厚計であれば非破壊かつ高速に測定が可能です。 独自の顕微鏡光学系を採用することで、形状のあるサンプルの実測定が可能になりました。
複数点同一解析を用いた nk 未知の極薄膜の測定
従来法では困難であった極薄膜領域下(100nm以下)でのnk解析ですが、複数点解析機能により、精度良くnk解析が可能です。（特許取得済 第5721586号） 最小二乗法でフィッティングをして膜厚値（ｄ）を解析するには材料のnkが必要です。nkが未知の場合、d とnkの両方を可変パラメータとして解析します。 しかしながら、ｄ が100nm以下の極薄膜の場合、ｄ とnkとを分離することができず、そのため精度が低下して正確な ｄ が求められないことがあります。 このような場合、ｄ の異なるサンプルを複数測定し、nkが同一であると仮定して同時解析（複数点同一解析）をします。これにより精度よくnkを求め、正確な ｄ を求めることが可能です。
ゼータ電位・粒子径・分子量測定システムを用いて研磨パッドの表面ゼータ電位測定
半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、ウェーハ、スラリー、研磨パッドの組み合わせとして使用されパッド表面の粗さによってスラリーを保持し、ウェーハ表面の被膜が研磨されます。パッド表面の目詰まりは、スクラッチなどの欠陥に寄与し、パッド表面の特性は、研磨性能に寄与すると考えられています。そこで研磨パッドおよびスラリーのゼータ電位を測定し、静電相互作用や吸着特性を検討することは有効であると考えられます。 今回、発泡ポリウレタンの研磨パッドを測定サンプルとし、各pHにおける表面ゼータ電位を行いました。 研磨パッドの表面ゼータ電位測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
