更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
1～11 件を表示 ／ 全 11 件
Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
熱解析サービス（熱シミュレーション）
長年の経験と実績に基づき、熱設計の観点から熱解析/熱対策提案に重点を置いたサービスを提供。 半導体デバイス開発及びシステム機器開発をバックグランドとしたサービス提供が行なえます。 受託解析から実測システム販売まで幅広いサービスを提供。 （熱シミュレーション） 【詳しくはカタログダウンロードまたはお気軽にお問い合わせください】 ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析 ３ イオン注入プロセス評価 ４．まとめ
点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます
ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。本資料では第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損（VN）が形成する欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。本解析は欠損だけでなく、元素の置換など結晶材料中の様々な点欠陥に対して適用可能です。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
半導体故障解析 歩留まり解析 リバースエンジニアリング マイクロディスプレイの故障解析
半導体故障解析における材料層の層剥離や除去に対して、迅速な結果を提供する費用対効果の高いソリューションです。広い面積にわたって、優れた均一性と最小限のダメージを実現します。複数のイオンビームエッチング技術を使用することにより、単一層の異なる材料のエッチングレートを一致させることができ、化学組成に関係なく層全体を均一に除去することが可能です。
電子デバイス･モジュール等の各種信頼性試験、分析/解析サービスのご提供
信頼性評価をしたい、不適合品の不具合原因を調べたい、製品状態を細かく観察したい等、様々なPKGタイプの半導体製造で培ったノウハウでお客様のご要望にお応えいたします。 ■信頼性設備 ・温度サイクル試験機 ・恒温恒湿試験機 ・PCT試験機 ・落下試験機 ・高温恒温器 ・・・他 ■分析/解析設備 ・SEM-EDX ・FT-IR ・SAT ・薬品による樹脂開封 ・断面研磨機 ・・・他
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
XRD等の測定データの解析から結晶内原子配置等の詳細な情報が得られます
リートベルト解析とはXRD（X線回折法）や中性子線回折法の測定データを解析する手法の一種です。既存手法による格子定数・空間群などの同定に加え、試料の結晶構造モデル（候補）がある場合は単位格子内部の原子配置など、より詳細な結晶構造情報を得ることが可能です。
パワー製品の伝送線路特性を考慮した設計開発支援
弊社では、LSIからパワーエレクトロニクスまで半導体応用製品に関する幅広い経験をベースとした、設計支援を行なっております。 近年注目されているインバータに代表されるパワーエレクトロニクス分野ではスイッチング時の課題解決がポイントとなっております。 弊社では、電磁界解析シミュレータを用いた伝送線路解析から製品評価、更には回路シミュレーションを用いた解析と整合確認まで、包括した設計支援を行なうことができます。
電子機器・家電製品から住宅環境まで、受託解析サービスを従来よりも低価格でご提供します
設計したものを実際に製作してみたら、予想しなかった部品の発熱や振動で困ったことはありませんか？どのように放熱したらよいのか？振動対策は？図面からは読めない、実際に作ってみないとわからない熱や振動、応力。しかし、何度も試作を繰り返すのは時間もコストもかかる・・・ そんなときに有効なのがコンピュータによる解析シミュレーションです。SiM２４は高品質な解析シミュレーションを低価格でスピーディにご提供。研究開発・製作現場の時間及びコスト削減に貢献いたします。
