解析のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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解析(半導体デバイス) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年08月13日~2025年09月09日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

解析の製品一覧

1~15 件を表示 / 全 17 件

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【分析】新しい半導体開封技術(Agワイヤ・パワーデバイス)

事例あり。車載向けパワーデバイス開発の活発化に伴い、デバイスの故障解析および良品解析の需要が増えております。

■パワーデバイスへの対応 パワーデバイスは、通常の半導体パッケージよりも信頼性が高い樹脂を使う傾向があり、 そのため開封の難易度も高くなっています。 ここでは、弊社で実施したIGBT開封の事例を紹介しています。 ■Agワイヤを使用した半導体パッケージの開封 近年、金価格の高騰に伴い、Auワイヤの代替品への置き換えが進められています。 銀(Ag)ワイヤには下記のメリットがあり、今後の増加が予想されます。 【Agワイヤの特長】 ■Auワイヤと比較して低価格 ■Auワイヤと同程度の柔らかさを持ち、ボンディングダメージのリスクが低い ■Auワイヤと同等レベルの高い接続信頼性 ■Cuワイヤと比べてボンディング設備への投資負担が少ない その一方で、 Cuワイヤよりも開封時の薬品ダメージが大きく、開封条件の再検討が必要となっています。 弊社では、Au・Cuで長年蓄積した技術に基づき、Agワイヤの開封も可能にしました。 ※詳細は下記までお問い合わせください。

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  • その他解析
  • 画像解析ソフト
  • 超音波発振器

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短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります!

当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 解析サービス
  • 受託解析

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熱解析サービス(熱シミュレーション)

熱解析サービス(熱シミュレーション)

長年の経験と実績に基づき、熱設計の観点から熱解析/熱対策提案に重点を置いたサービスを提供。 半導体デバイス開発及びシステム機器開発をバックグランドとしたサービス提供が行なえます。 受託解析から実測システム販売まで幅広いサービスを提供。 (熱シミュレーション) 【詳しくはカタログダウンロードまたはお気軽にお問い合わせください】      ↓ ↓ ↓            ↓ ↓ ↓

  • 温湿度関連測定器
  • シミュレーター
  • 受託解析

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SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応!

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 受託解析

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技術情報誌 202001-02 酸化ガリウムの結晶構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。

【要旨】 酸化ガリウム(Ga2O3)は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不純物、欠陥、キャリア濃度解析を行った事例を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.断面TEM、平面STEMによる結晶構造解析 3 イオン注入プロセス評価 4.まとめ

  • 受託解析
  • 受託測定
  • 技術書・参考書

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第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析

点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。本資料では第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。本解析は欠損だけでなく、元素の置換など結晶材料中の様々な点欠陥に対して適用可能です。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

  • 受託解析

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Ion Beam Delayering装置/半導体物理解析

半導体故障解析 歩留まり解析 リバースエンジニアリング マイクロディスプレイの故障解析

半導体故障解析における材料層の層剥離や除去に対して、迅速な結果を提供する費用対効果の高いソリューションです。広い面積にわたって、優れた均一性と最小限のダメージを実現します。複数のイオンビームエッチング技術を使用することにより、単一層の異なる材料のエッチングレートを一致させることができ、化学組成に関係なく層全体を均一に除去することが可能です。

  • エッチング装置
  • その他半導体製造装置

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信頼性試験・分析/解析

電子デバイス・モジュール等の各種信頼性試験、分析/解析サービスのご提供

信頼性評価をしたい、不適合品の不具合原因を調べたい、製品状態を細かく観察したい等、様々なPKGタイプの半導体製造で培ったノウハウでお客様のご要望にお応えいたします。 ■信頼性設備                    ・温度サイクル試験機              ・恒温恒湿試験機                ・PCT試験機         ・落下試験機                   ・高温恒温器       ・・・他 ■分析/解析設備   ・SEM-EDX   ・FT-IR   ・SAT   ・薬品による樹脂開封   ・断面研磨機        ・・・他  

  • 専用IC

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パワー半導体の解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします!

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 解析サービス
  • 受託解析
  • 半導体検査/試験装置

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【事業案内】TECHinsights(TM)

最適なパフォーマンス・最小コスト・迅速な対応!

TechInsights(SI社)は、革新的な回路設計およびプロセス技術の調査において、TECHinsightsソリューションによる15年間に及ぶ実績とノウハウを備えています。 技術革新は、市場シェア、収益の伸長、競争上の優位性を獲得する戦いにおいて、戦略的な機会と脅威の両方をもたらします。 SI社のTechInsightsブランドでは、テクノロジー企業が競争上優位な位置付けを確立、新規市場への参入が妥当かどうかを査定、技術上の問題の解決を遂行できるように、製品機能とその基礎となっているテクノロジー、関連する市場動向に関する詳細にわたる解析を提供します。 【TECHinsights(TM)】 ○競合分析 ○プロセス解析 ○コスト解析 ○CircuitVisionレポートを含む設計解析 ○スマートカードセキュリティ分析 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

  • 特許

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破壊解析(材料分析、破面解析、FIB、TEMほか)

電子部品の故障解析、材料分析による故障個所の観察・分析を行います。

半導体、ケーブル・コネクタ、プリント基板、LCD等の表示デバイス、電源ユニット、バッテリ、ACアダプタ、メモリ等、各種部品の専門家が、故障解析を行います。 ・半導体パッケージ樹脂開封を行い、光学顕微鏡やエミッション顕微鏡での観察、  機械的研磨での走査電子顕微鏡(SEM)観察等から原因推定 ・材料の状態、異物の特定、表面/破断面の解析等、材料分析の観点から、  集束イオンビーム加工観察装置(FIB-SEM)による加工・観察、透過型電子顕微鏡(TEM)による観察等にて  原因推定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他受託サービス
  • 受託解析

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【分析事例】IGZO膜の局所結晶構造解析

電子回折で結晶性・配向性を連続的に評価

IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。 薄膜中の結晶構造の有無はTFT特性や信頼性に影響する可能性があり、デバイス中における局所的な結晶評価が必要になります。 TEMの電子回折測定を用いてIGZO膜中の結晶構造を連続的に評価した事例をご紹介します。

  • 受託解析
  • 受託検査

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リートベルト解析(Rietveld analysis)とは

XRD等の測定データの解析から結晶内原子配置等の詳細な情報が得られます

リートベルト解析とはXRD(X線回折法)や中性子線回折法の測定データを解析する手法の一種です。既存手法による格子定数・空間群などの同定に加え、試料の結晶構造モデル(候補)がある場合は単位格子内部の原子配置など、より詳細な結晶構造情報を得ることが可能です。

  • 受託解析

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パワー製品の電気解析サービス

パワー製品の伝送線路特性を考慮した設計開発支援

弊社では、LSIからパワーエレクトロニクスまで半導体応用製品に関する幅広い経験をベースとした、設計支援を行なっております。 近年注目されているインバータに代表されるパワーエレクトロニクス分野ではスイッチング時の課題解決がポイントとなっております。 弊社では、電磁界解析シミュレータを用いた伝送線路解析から製品評価、更には回路シミュレーションを用いた解析と整合確認まで、包括した設計支援を行なうことができます。

  • 校正・修理

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電子機器を中心とした受託解析サービス

電子機器・家電製品から住宅環境まで、受託解析サービスを従来よりも低価格でご提供します

設計したものを実際に製作してみたら、予想しなかった部品の発熱や振動で困ったことはありませんか?どのように放熱したらよいのか?振動対策は?図面からは読めない、実際に作ってみないとわからない熱や振動、応力。しかし、何度も試作を繰り返すのは時間もコストもかかる・・・ そんなときに有効なのがコンピュータによる解析シミュレーションです。SiM24は高品質な解析シミュレーションを低価格でスピーディにご提供。研究開発・製作現場の時間及びコスト削減に貢献いたします。

  • 応力解析
  • 熱流体解析
  • 受託解析

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