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構成元素の種類と量、膜質などを評価！複合的な分析をご提案いたします
当社で行う「薄膜分析・評価」についてご紹介いたします。 薄膜は電子デバイスの機能性を向上させるための重要な因子の一つです。 薄膜の複合的な分析をご提案いたします。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【詳細】 ■組成評価 ■不純物・汚染評価 ■結合状態 ■密度評価 ■発生ガス ■形状観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
温度条件による相変化・化学反応・格子定数の変化を知るために有効な手段！
当社で行う「高温XRDによる極薄膜の結晶性評価」についてご紹介いたします。 高温でのX線回折(XRD)は、各種材料の温度条件による相変化・化学反応・ 格子定数の変化を知るために有効な手段です。 添付のPDF資料にて、nmオーダの極薄膜の結晶構造の変化をIn-PlaneXRD＋ 高温測定で評価した事例をご紹介しておりますので、ぜひご覧ください。 【高温＋In-Plane XRD 特長】 ■極低角でX線を入射して面内方向に検出器を走査させる方法 ■入射X線は表面から深くまで入らず、かつ表面に対して 垂直な回折面のみを検出することができる ■数nmの極薄膜についても結晶の情報を得ることができる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Si基板上のSiO2表面酸化膜について、光電子分光から酸化膜厚を算出！
酸化膜の形成プロセスにおいて、酸化膜厚の制御は非常に重要な項目の1つです。 そこで、光電子分光を用いて表面酸化膜の膜厚を非破壊で見積りました。 表面が薄い酸化膜で覆われているような試料の場合、多くの元素の光電子ピークは 酸化物成分と基板成分に対応して2つのピーク構造を示します。各成分のスペクトル 強度を測定することによって酸化膜の膜厚を見積ることができます。 非破壊にて膜厚を求める分析手法はいくつかありますが、他の手法に比べ、 特定箇所の膜厚の見積りが可能であるところが、この手法の特長です。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
膜構造・組成情報があらかじめ分かれば、多層膜もシミュレーションにより評価可能！
当社で行う「X線反射率測定(XRR)による薄膜評価」についてご紹介いたします。 X線反射率測定(XRR)は、臨海全反射各近傍でのX線の減衰や干渉縞のある X線プロファイルと計算で得られたプロファイルをフィッティングさせることで、 表面(界面)粗さ・膜密度・膜厚の情報を得ることができます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【解析可能な薄膜】 ■試料表面：鏡面(表面粗さ 5nm以下) ■試料サイズ：30mm×30mm以上 ※サイズが小さい場合はご相談 ■膜厚：2nm～500nm ■必要な情報：膜構造および膜組成情報 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
検出深さが大きくなり、より深い領域の評価が可能になります！
当社で行う「放射光HAXPESによる埋もれた界面の評価」について ご紹介します。 X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、 表面分析では不可欠な手法。 ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評価に限られますが、 外部施設を利用した硬X線光電子分光(HAXPES)：8keVにより、多層構造や 実デバイスに近いスタック構造の埋もれた界面など、より深い領域の評価が 可能となります。 【特長】 ■通常のXPSに比べて検出深さが大きい ■深いエネルギー準位からの光電子を測定 ■同時に発生するオージェ電子などの重なりがなくなるため、状態分析が容易 ■第三世代の放射光施設(SPring-8)を高輝度X線源として利用可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
断面構造解析やTOF-SIMSによる深さ方向分析を実施！表面コート層から金属までの成分の分布状態や発色成分を確認可能
金属表面の印刷層のできばえ評価として、断面加工により金属との接合状態や 発色成分の分散状態を観察できます。 また、表面からTOF-SIMSのGCIBを用いた深さ方向分析を行うことで表面コート 層から金属までの成分の分布状態や発色成分を確認できます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【GCIB 特長】 ■イオンビーム1原子当たりのエネルギーが小さいため、有機膜などの 深さ方向分析に好適 ■膜の分子構造情報を反映した高質量数のフラグメントを検出可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基板側からSIMS分析を行うバックサイドSIMS(Backside SIMS)についてご紹介！
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、 表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果や ノックオンの影響を受けることがあります。 これらの影響を受けない評価方法として、基板側からSIMS分析を行う バックサイドSIMS(Backside SIMS)があります。 添付のPDF資料にて、Backside SIMSによりFが添加されたSiO2膜(FSG膜)から 下層SiO2膜へのFの拡散分布の評価についてご紹介しておりますので、 ぜひご覧ください。 【Backside SIMS原理】 ■裏面側のSi基板を研磨して薄くすることにより、裏面側からアプローチ できるようにする ■Si基板の残厚を制御して薄膜化することや、パターン付試料の任意領域を 薄膜化すること、SiO2層などのSiのエッチングを選択的に停止させる層が ある場合には、ウェットエッチングによりSi基板部分を全て除去することも可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ナノ粒子の形状(球や楕円など)およびサイズ分布の算出が可能！
当社で行う「SAXSによるDDS製剤高分子ミセルの粒子評価」について ご紹介いたします。 DDS(ドラッグデリバリーシステム)とは、体内の必要箇所に対して選択的に 薬剤を作用させる薬物輸送システムのことで、副作用を抑えることから 大きな期待が寄せられています。 DDSでは高分子ミセルを用いることがあり、当社ではSAXS(X線小角散乱法) により高分子ミセルの粒子形状・サイズ分布の評価を行います。 【特長】 ■SAXS：X線の散乱を用いて物質の構造を解析する分析手法 ■対象試料：個体でも液体でも可能 ■非破壊で分析可能 ■ナノ粒子の形状(球や楕円など)およびサイズ分布の算出が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高い分解能で4インチ～6インチの大口径ウェーハ全面の欠陥評価を非破壊で可能！
当社で行う「放射光トポグラフィーによる欠陥評価」について ご紹介します。 SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、 素子特性に大きな影響を与えます。 当評価により、高い分解能で4インチ～6インチの大口径ウェーハ全面の 欠陥評価を非破壊で行うことが可能です。 【特長】 ■各種の結晶欠陥を数μmの解像度で可視化することが可能 ■ラボ装置では検出できない、貫通刃状転位(TED)の検出が可能 ■欠陥の種類、分布を評価することが可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Ta板からの脱離ガス成分や水素の脱離温度などを確認可能！
半導体製造等において広く用いられる「水素アニール評価」の一環として、 TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)にて測定した事例をご紹介します。 真空中で昇温しながら質量分析を行うことで、Ta板からの脱離ガス成分や 水素の脱離温度などを確認することができました。 また、脱離ガスを質量分析することで、ガス種の同定や目的成分ごとの 脱離挙動を知ることができます。 【事例概要】 ■試料からの昇温脱離ガスプロファィル ■質量分析(m/z＝1～199)による脱離ガス種の同定、脱離ガス量の比較 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
