【測定事例】<半導体材料>Siウェハの熱伝導率測定【TA】
半導体材料「Siウェハの熱物性」を熱拡散率を測定！
半導体の材料にはかかせない「Siウェハ」の熱拡散率が測定できます。
- 企業：株式会社ベテル 本社・工場、東京オフィス、ハドソン研究所、ベトナム工場
- 価格：応相談
シリコンウェハ(半導体) - メーカー・企業と製品の一覧
更新日： 集計期間:2025年08月27日～2025年09月23日
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シリコンウェハの製品一覧
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ゲルマニウム基板
半導体・電子デバイス製造向け！IR(赤外線波長帯)で優れた透過率を示す基板材料
当社では「ゲルマニウム基板」の製造販売を行っております。 IR(赤外線波長帯)で優れた透過率を示す基板材料。 半導体・電子デバイス製造向けに、結晶成長時ドープ加工を施した N型・P型ゲルマニウム基板(平面研磨ウエハー・直径1,2,3インチ/ 面方位100,110,又は111)をご用意。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【取扱製品】 ■N型・P型ゲルマニウム基板 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：エムシーオー株式会社
- 価格：応相談
GaN基盤
バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポイント！
当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの 材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが 注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■GaN膜厚：3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能 ■結晶方位：C-axis(0001) ■導電タイプ：Un Dope、N-type、P-type ■XRD：(002)≦300arsec、(102)≦400arsec ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：エムシーオー株式会社
- 価格：応相談
エスエヌケー社「取扱製品半導体基板」
パーティクル管理品ウエハー、ダミーミラーウェハーなどのシリコンウェハーをご用意！
当社では、エスエヌケー社の製品を取り扱っております。 SiC基盤(6インチなど)・GaAs・GaN・Ga2o3・Ga2o3Epi・InPウェハー など、サイズ：2～4インチその他のインチもラインアップ。 また、熱酸化膜・SiN・各種金属膜のほか、ポーラスシリコン加工にも 対応しております。 【ラインアップ】 ■シリコンウェハー ■シリコンウェハー以外の各種基盤 ■各種成膜加工 ■各種ウェハー加工 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：株式会社岩田商会
- 価格：応相談
白金単結晶薄膜付きシリコンウェハ
単結晶金属薄膜により特性が向上します
Gaianixx独自の多能性中間膜により、シリコン基板上に高品質な白金薄膜をエピタキシャル成長させ、(100) 単一配向の単結晶薄膜を実現しました。単結晶体は多結晶体と比較して、粒界がないことで電気的な欠陥が少なくなるため、電気抵抗が低く電気伝導性が高くなります。そのため半導体や電子デバイスの性能向上に寄与することが期待されます。白金薄膜は各種デバイスの下部電極として用いられるほか、温度センサなどにも応用されています。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社Gaianixx
- 価格：応相談
ウエハ加工 基板・実績
シリコンウエーハ、ガラスなどを主に、お客様のニーズに応じた加工サービスを提供。基板の手配、マスク設計からの一貫生産の対応が可能。
ICチップの製造に使われる半導体でできた薄い板のこと。 シリコン製のものが多く、これを特に「シリコンウエハ」と呼ぶ。 ウエハは、原料の物質を「インゴット」と呼ばれる直径120mmから200mm程度の円柱状 に結晶成長させ、0.5mmから1.5mm程度に薄くスライスして作製した円盤で、直径8インチ(200mm)、12インチ(300mm)のものがよく使われる。 ICチップはウエハ上に回路パターンを焼き付けて製造される。
- 企業：グローバルネット株式会社
- 価格：応相談
