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スパッタリング、プラズマCVD、各種コーティングで活躍するバイポーラ電源とMF電源
トルンプのバイポーラ電源およびMF電源は、幅広い出力範囲と高度な異常放電抑制の技術『ArcManagement』により、難度の高い反応性プロセスにおける高い成膜レートと高品質のコーティングの実現をサポートします。 従来MF電源が利用されていた50kW未満の出力範囲では、現在バイポーラ電源が広く代替利用されており、コンパクトなサイズから省スペース化が図れる点も好評です。
![バイポーラ電源_MF電源_03_MF7000_1[1].jpg](https://image.mono.ipros.com/public/product/image_sub/fae/2001552377/IPROS10137527799880504151.jpg?w=280&h=280){kind=small}
![バイポーラ電源_MF電源_05_MF7000_3[1].jpg](https://image.mono.ipros.com/public/product/image_sub/fae/2001552377/IPROS8548824328611246516.jpg?w=280&h=280){kind=small}
さまざまなサービスに対応！中国・ベトナムでの設計・製造を日本語でサポート
GRE Manufacturingベトナム工場は、2019年に稼働開始し、 電源（LED用途含む）、IoT機器などを生産しています。 電子部品及び機構部品の実装やプラスチック成型など、 設計から製造までのさまざまなサービスに対応。 電源、医療、自動車、IoT分野にて多数の実績があります。 【概要】 ■稼働開始：2019年 ■所在地：ベトナム（シンガポールインダストリアルパーク） ■製造スペース：14,500m2（敷地：24,150m2） ■従業員：1,000名（2020年10月現在） ■生産設備：プラスティックインジェクション、SMT、PCBA、 金型成形、テスト、パッケージング、トランス巻付 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コストダウン・短納期メーカーを第6回「名古屋ネプコンジャパン」に出展！
国内外の半導体・電子部品の調達は『かとうテック』にお任せ下さい！ 当社は創業53年、お客様のニーズから数多くの幅広い取扱い商品を増加させ、worldwideの仕入先様ルートを構築致しております。 【KATOH TEKの特長】 ■コロナ禍で大幅値上＆長納期となった電源・半導体・電子部品を代替提案が可能 ■お客様の必要ご要望商品の仕様を元に、当社で発掘しご提案可能 ■世界各国の新技術商品を、ご要望されるアプリケーションのお客様へピンポイントで提案 ■53年間積み上げた豊富な取り扱いラインナップを保有 ■緊急調達部品に対応するため、自社Ｘ線検査装置で検査を実施 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
大学・⾼専・⾼校生の⾼電圧実験を考慮し、安全面には十分な設計をしております
『HDVシリーズ』は、交流・直流・衝撃電圧（インパルス）を出⼒でき、 ⾼電圧の理論だけでなく、実験を⾏うことで、より理解を深めることができる 高電圧実習装置です。 PCにて操作することで、⾃動試験及び実験結果レポートを出⼒でき、 実験の時間短縮を実現いたします。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【オプション】 ■雷雲と家 ■人形と樹木 ■人形（大） ■試料 ■デジタルマルチメーター ■高電圧プローブ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現！
『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。 ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 しており、逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要となります。 【特長】 ■内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵 ■過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護 ■ドレイン・ソース間のアバランシェ耐量、サージ耐量が大幅に向上 ■逆起電力回生用のフリーホイールダイオードが不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速スイッチングが可能！大電流、高耐圧MOSFETラインアップご紹介！
当社で取り扱う、「大電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。 高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、 高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。 【特長】 ■高速スイッチングが可能 ■LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、DC-DCコンバータ、 ロードスイッチなどのアプリケーションに好適 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3300V/600Aクラス IGBT モジュール 4 並列駆動対応可能！
『VLA557-03R』は、3300V/600AクラスまでのIGBTモジュールを直接並列駆動できる1回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-01Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易となります。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最大ゲート出力ピーク電流±24A ■絶縁耐圧6000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
1700V/1200AクラスIGBTモジュール2並列駆動対応可能！
『GAU220P-15402』は、1700V/1800AクラスまでのIGBTモジュールを 直接駆動できる2回路入りゲートドライブユニットです。 アダプタ基板VLA595-02Rを使用する事で三菱電機株式会社製 LV100パッケージの並列駆動が容易。 また、ゲート駆動用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵で、 最大ゲート出力ピーク電流±20Aです。 【特長】 ■ゲート駆動⽤絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■最⼤ゲート出⼒ピーク電流±20A ■絶縁耐圧4000Vrms/1分間 ■短絡保護回路内蔵(ソフト遮断機能付き) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
モジュール自身から出力されるRTC信号と協調し、短絡保護機能を実現！
『VLB512-01R/VLB519-01R』は、三菱電機株式会社製RTC回路内蔵SiCMOSFETモジュール用ゲートドライブユニットです。 【特長】 ■シンプルで扱いが容易な2回路入りゲートドライブシステム ■モジュール内RTC回路に対応した短絡検出回路内蔵 ■短絡保護回路内蔵 ■MOSFET モジュールとはハーネスで接続 ■ゲート電源用絶縁型DC-DCコンバータ内蔵 ■出力ゲートピーク電流 +/-30A(max) ■絶縁耐圧 4000Vrms (1分間) 【仕様】 ＜VLB512-01R＞ ■ゲート出力パワー：最大10W ■基板サイズ：90×145mm ＜VLB519-01R＞ ■ゲート出力パワー：最大3.75W ■基板サイズ：80×130mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型PKG（SOT-89）MOS-FET大電流製品群をラインナップ！
当社の小型PKG(SOT-89) MOS-FETラインナップに今までになかった大電流で使用できる製品を新たに追加いたしました。 開発品種においては、特性、早見表および互換表をご確認ください。 また互換表においてはRE社製品のEOLに伴い相当品としてピックアップしておりますのでご参照ください。
高いサージ耐量も兼ね備えた当社トップクラスの高耐圧製品
最大定格 VCEO=400V、IC=200mA リードタイプの PNP型トランジスタです。 この最大定格 VCEOは当社においてトップクラスであり、 同耐圧クラス品と比較してより高い電流能力とサージ耐量を有します。 特に サージ耐量は最弱端子にて、同耐圧クラス品の最大で4倍以上のサージ電圧 に耐えうることができます。
光量調節可能なLEDドライバに更なる保護機能 オープンショート検知機能を搭載！！
本製品は調光端子(DIM)に入力される矩形波のDUTY比を調節する事で、調光が可能で 外付けの電気設定抵抗により自由にLED電流を設定する事が可能です。 CT端子に接続する外付け抵抗・コンデンサによりオフ時間を調整する事で、外付けで接続するインダクタによって エネルギーを回正し、消費電力を節約できます。 安全機能として、LEDの接続がオープンもしくは電源とショートした場合に検知し、異常出力する機能が備わっております。 また、4V以下での誤動作を防ぐためのUVLO機能や、過熱保護回路も内蔵されております。
Tr1とTr2のhFEとVBEのペアリングを保証！
hFE1、VBEのペアリングを保証しており、差動増幅回路への適用が可能です。 また、AEC-Q101にも対応しております。 高耐圧・低出力容量となっており、オーディオ機器に最適です。
1700V/600AクラスSiC-MOSFETモジュール駆動対応可能！
『VLB525-01R/VLB526-01R』は、三菱電機株式会社様製NXタイプSiC-MOSFETモジュール駆動用ゲートドライブユニットです。 ＜特徴＞ ・NXタイプSiCモジュール上に直接搭載可能 ・ゲート駆動回路2回路内蔵 ・ゲート電源用絶縁型DCDCコンバータ内蔵 ・入力-出力間絶縁耐圧 4000Vrms (1分間) ・高周波スイッチング対応 →FMF600DXE-34BN：f=75kHz(max) →FMF600DXE-24BN：f=90kHz(max) 短絡保護についても、条件によっては保護出来ることが検証出来ております。ただし、三菱電機株式会社様製のモジュール自体は短絡非保証となっておりますので、弊社ドライバを使用することで条件によっては短絡保護が機能する場合もございますが、保証は出来かねますため、お客様にて十分ご評価の上、ご使用いただきますよう宜しくお願いいたします。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
1200V/600AクラスIGBTモジュール駆動対応可能！
『VLB524-01R』は、NX タイプ・ EconoDUAL タイプの IGBT モジュール上に直接搭載可能なIGBTモジュール駆動用ゲートドライブユニットです。 本製品は、1200V/600AクラスのIGBTモジュールに対応した製品となっております。 類似製品として『VLA598-01R』がございますが、こちらは1700Vクラスまで対応しており、それに比べ、今回の『VLB524-01R』は1200Vクラスに特化した分、コストを抑えた製品となっております！ 低コスト化を目指すお客様、NX タイプ・ EconoDUAL タイプを採用しているお客様にオススメです！ ＜特徴＞ ●NX タイプ、 EconoDUAL タイプのモジュール上に直接搭載可能 ●ゲート駆動回路2 回路内蔵 ●ゲート電源用絶縁型DCDC コンバータ内蔵 ●最大ゲート出力ピーク電流±9A ●入力 出力間絶縁耐圧 2500Vrms (1 分間 ) ●短絡保護回路内蔵（ソフト遮断機能付き） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
