加工用エキシマレーザ【G300K】
KrFエキシマレーザを使用した次世代パッケージ基板への微細加工技術をご提案します!
『G300K』は当社が半導体リソグラフィ用KrFエキシマレーザ製造から得た技術とノウハウを集結した加工用エキシマレーザ光源です。 半導体後工程において、小さいビア(10μm)が必要な基板への加工やトレンチ加工が可能となっており、今後の先端基板への活用が期待できます。 【加工可能材料の一例】 層間絶縁材料/ソルダーレジストほか
- 企業:ギガフォトン株式会社
- 価格:応相談
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KrFエキシマレーザを使用した次世代パッケージ基板への微細加工技術をご提案します!
『G300K』は当社が半導体リソグラフィ用KrFエキシマレーザ製造から得た技術とノウハウを集結した加工用エキシマレーザ光源です。 半導体後工程において、小さいビア(10μm)が必要な基板への加工やトレンチ加工が可能となっており、今後の先端基板への活用が期待できます。 【加工可能材料の一例】 層間絶縁材料/ソルダーレジストほか
レーザの用途別にカラーと仕様を分類し、様々なニーズに対応!
『GIGANEX』は、当社が半導体リソグラフィ用光源の エキシマレーザ製造から得た技術とノウハウを集結した先進のエキシマレーザです。 FPD製造プロセス、フレキシブルデバイス製造プロセス、半導体製造 プロセスなどの応用分野に期待できます。 【特性】 ■短波長(248nm・351nm) ■高出力(120W~600W) ■高周波(4000Hz~6000Hz) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
XeF(キセノン・フッ素)351nmなどの発振波長があります!ヒカリの用語をご紹介
「エキシマレーザ」は、希ガスやハロゲンなどの混合ガスを 用いて発生されるレーザ(装置)です。 代表的な発振波長には、XeF(キセノン・フッ素)351nm、 XeCl(キセノン・塩素)308nm、KrF(クリプトン・フッ素)248nm、 ArF(アルゴン・フッ素)193nmがあります。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【代表的な発振波長】 ■XeF(キセノン・フッ素)351nm ■XeCl(キセノン・塩素)308nm ■KrF(クリプトン・フッ素)248nm ■ArF(アルゴン・フッ素)193nm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。