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テストチップ 【超ファインピッチ WB・FC 実装評価用】
超ファインピッチ WB・FC 実装評価用テストチップ ■ウェハサイズ・・・8インチウェハ ■ベースチップサイズ・・・6.0mm×2.3mm□ ■パッドピッチ・・300μm ■パッド数・・・16バンプ ■対応可能なバンププロセス・・・無 ■適合基板・・・無 ■オプション・・ダイシング加工/バックグラインド加工 ■主な用途 材料開発・販促データ取得など
テストチップ 【極小チップサイズ0.55mm】
極小チップサイズ0.55mm□テストチップ ■ウェハサイズ・・・6インチウェハ ■ベースチップサイズ・・・0.55mm×0.55mm□ ■パッドピッチ・・110μm ■パッド数・・・8パッド ■対応可能なバンププロセス・・・金メッキバンプ/金スタッドバンプ ■オプション・・バンプの搭載/ダイシング加工/バックグラインド加工/表層ポリイミド成膜（金メッキバンプ品の除く） ■主な用途 材料開発・装置開発・パッケージ開発 プロセス立ち上げ/開発・販促データ取得など
テストチップ 【大きい汎用】
JTEG Phase0よりもチップサイズの大きい汎用テストチップ ■ウェハサイズ・・・8インチウェハ ■ベースチップサイズ・・・3.5mm×3.5mm□ ■パッドピッチ・・120μm ■パッド数・・・96バンプ（内周パッドはアルミパッドが開口されておりません） ■対応可能なバンププロセス・・・金スタッドバンプ ■適合基板・・・無 ■オプション・・バンプの搭載/ダイシング加工/バックグラインド加工 ■主な用途 材料開発・装置開発・パッケージ開発 プロセス立ち上げ/開発・販促データ取得など
テストチップ 【Cuバンプ搭載Cu接合評価用】
Cuバンプ搭載Cu接合評価用テストチップ ■ウェハサイズ・・・8インチウェハ ■ベースチップサイズ・・・5.09mm×5.09mm□ ■パッドピッチ・・150μm（千鳥パッド） ■パッド数・・・841バンプ ■対応可能なバンププロセス・・・Cuバンプ ■適合基板・・・無 ■オプション・・バンプの搭載/ダイシング加工/バックグラインド加工 ■主な用途 パッケージ開発・プロセス立ち上げ/開発・販促データ取得など
テストチップ 【次世代はんだバンプ搭載】
絶縁層間膜にLow-K膜を用いた次世代はんだバンプ搭載テストチップ ■ウェハサイズ・・・8インチウェハ ■ベースチップサイズ・・・5.02mm×5.02mm□ ■パッドピッチ・・200μm（千鳥パッド） ■パッド数・・・484バンプ ■対応可能なバンププロセス・・・共晶はんだ/鉛フリーはんだ ■適合基板・・・JKIT Type5 ■オプション・・バンプの搭載/ダイシング加工/バックグラインド加工/表層ポリイミド成膜 ■主な用途 パッケージ開発・プロセス立ち上げ/開発・販促データ取得など
テストチップ 【マルチタイプ】
ファインピッチ ワイヤーボンディング・金メッキバンプ・金スタッドバンプとマルチに用いられるテストチップ ■ウェハサイズ・・・6インチウェハ ■ベースチップサイズ・・・2.11mm×2.11mm□ ■パッドピッチ・・・チップ内周パッドから 45、50、60μm ■パッド数・・・チップ内周パッドから 92、92、100パッド ■対応可能なバンププロセス・・・金メッキバンプ（45、50、60μmピッチのパッドから1種類選択）/金スタッドバンプ ■適合基板・・・無 ■オプション・・・ダイシング加工/バックグラインド加工 ■主な用途 材料開発・装置開発・基板開発 プロセス立ち上げ/開発・販促データ取得など
テストチップ 【超ファインピッチ ワイヤーボンディング評価用】
超ファインピッチ ワイヤーボンディング評価用テストチップ ■ウェハサイズ・・・8インチウェハ ■ベースチップサイズ・・・3.0mm×3.0mm□ ■パッドピッチ・・・チップ内周パッドから30、35、40、45、50、55、60μm ■パッド数・・・チップ内周パッドから120、136、144、152、152、160、160パッド ■対応可能なバンププロセス・・・無 ■適合基板・・・無 ■オプション・・・ダイシング加工/バックグラインド加工 ■主な用途 材料開発・装置開発・パッケージ開発 プロセス立ち上げ/開発・販促データ取得など
テストチップ 【マルチタイプ】
ワイヤーボンディング・金メッキバンプ・金スタッドバンプとマルチに用いられるテストチップ ■ウェハサイズ・・・6インチウェハ ■ベースチップサイズ・・・2.13×2.1mm□ ■パッドピッチ・・・130μm ■パッド数・・・108バンプ(内周48バンプ 外周60バンプ） ■対応可能なバンププロセス・・・金メッキバンプ/金スタッドバンプ ■適合基板・・・JKIT Type2(SIDE A) ■オプション・・・バンプの搭載/ダイシング加工/バックグラインド加工/表層ポリイミド成膜（金メッキバンプ品は除く）/ガリ砒素ウェハに変更可能（金メッキバンプ品のみ） ■主な用途 材料開発・装置開発・基板開発・パッケージ開発 プロセス立ち上げ/開発・販促データ取得など
