パワーデバイスのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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パワーデバイス(sic) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2025年07月30日~2025年08月26日
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パワーデバイスの製品一覧

1~8 件を表示 / 全 8 件

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書籍【SiCパワーデバイス最新技術】

次世代パワーエレクトロニクスの大本命!

○発刊日2010年05月14日○体裁B5判上製本 309頁○価格:本体 60,000円+税 →STbook会員価格:56,952円+税 ○著者:木本恒暢 京都大学 / 大谷昇 関西学院大学 / 藤本辰雄 新日本製鐵(株) / 楠一彦 住友金属工業(株) / 亀井一人 住友金属工業(株) / 矢代将斉 住友金属工業(株) / 岡田信宏 住友金属工業(株) / 宇治原徹 名古屋大学 / 江龍修 名古屋工業大学大学院 / 加藤正史 名古屋工業大学大学院 / 村上彰一 住友精密工業(株) / 田坂明政 同志社大学 / 石田夕起 (独)産業技術総合研究所 / 田中保宣 (独)産業技術総合研究所 / 土田秀一 (財)電力中央研究所 / 横尾秀和 (株)アルバック / 松本健俊 大阪大学産業科学研究所 / 小林光 大阪大学産業科学研究所 / 伊瀬敏史 大阪大学 / 丁建華 東北大学 / 須藤祐司 東北大学 / 他14名

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書籍【SiCパワーデバイスの開発と最新動向】

普及が加速するSiCパワーデバイス技術。 トランジスタ、ダイオード、モジュール、結晶成長・加工、応用展開を解説。

○発刊日2012年10月30日○体裁B5判上製本 361頁○価格:本体 60,000円+税→STbook会員価格:56,952円+税○監修:岩室憲幸○著者:岩室 憲幸 富士電機(株)((独)産業技術総合研究所 出向) / 中野 佑紀 ローム(株) / 原田 信介 (独)産業技術総合研究所 / 古川 彰彦 三菱電機(株) / 今泉 昌之 三菱電機(株) / 大森 達夫 三菱電機(株) / 矢野 裕司 奈良先端科学技術大学院大学 / 吉川 正信 (株)東レリサーチセンター / 先崎 純寿 (独)産業技術総合研究所 / 二本木 直稔 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(株) / 築野 孝 住友電気工業(株) / 浅野 勝則 関西電力(株) / 辻 崇 富士電機(株)((独)産業技術総合研究所 出向) / 中山 浩二 関西電力(株) / 匹田 政幸 九州工業大学 / 渡邉 純二 九州工業大学 / 加藤 正史 名古屋工業大学 / 高尾 和人 (株)東芝 / 徳田 人基 住友電気工業(株) / 石川 佳寛 (株)ADEKA / 他17名

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SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント

改めて問う!次世代パワーデバイス普及に必要な技術ポイント

 本書『SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント』では、近い将来のパワーエレクトロニクスの主役となるSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何か、を軸に編集された。デバイス・プロセス技術、実装・応用回路技術だけでなく、自動車・太陽光発電用途での課題と対策、受動部品さらには規格や国際標準化についても詳細に紹介している。さらには今後のパワーデバイスの市場動向についてまで詳しく解説しており幅広い内容を網羅することができた。環境にやさしく、かつ高効率な電力利用社会の本格的な実現に向けて、SiC/GaNパワーデバイスの浸透を加速するには今後何をすべきかに、本書が役立つことを大いに期待したい。(岩室憲幸「はじめに」)

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Alpha Power Solutions

アルファ・パワー・ソリューションズ(APS)は、中華圏初の6インチ炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスメーカーです。

シリコンウェーハ工場とSiC専用ウェーハ工場の両方で稼働する当社独自のSiCプロセスを用いて、最適化されたSiC製品を顧客に提供し、様々なのグリーンエネルギーに貢献することです。

  • トランジスタ

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【Webセミナー】EVシフト・カーボンニュートラル

Si・SiC・GaNパワーデバイス技術ロードマップと業界展望

2020年からのコロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け、2021年末になりようやく回復の見通しがみえつつある状況にある。このような中において、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化(xEV)をはじめとした脱炭素社会実現は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。EVをはじめとしたパワエレ製品の性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。

  • 管理スキルセミナー
  • 技術セミナー

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パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』

完全なハードウェアで各回路を保護!最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応

『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。 最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。 また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで 各回路を保護します。 【特長】 ■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適 ■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能 ■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能 ■HTGB電圧±75V、HTRB電圧2000V(アップグレード可) ■Igss、Idss、Vth、Idson検査に対応 ■温度範囲 RT-200C ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他検査機器・装置

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【分析事例】SiCトランジスタのSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice&Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice&Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法:Slice&View・EMS 製品分野:パワーデバイス 分析目的:故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

  • img_C0710_2.jpg
  • 受託解析
  • 受託測定

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高耐熱・高熱伝導性樹脂の高性能化と成形性向上 ~HEV用・電装~

★パワーデバイス用の樹脂等に求められる熱伝導性・耐熱性レベルは? ★樹脂のフィラーの最密充填法、フィラー処理による流動性向上

講 師 第1部 横浜国立大学大学院  工学研究院 教授 高橋 昭雄 氏 第2部 有限会社アイパック 代表取締役 越部 茂 氏 第3部 サンユレック株式会社 半導体事業部 事業部長 参事 久永 直克 氏 対 象 耐熱性樹脂、高熱伝導性樹脂などの高機能化、また車載用途の応用事例に関心のある研究者・担当者など 会 場 東京中央区立産業会館 4F 第2集会室 【東京・中央区】都営浅草線・東日本橋駅より徒歩4分など 日 時 平成23年6月28日(水) 10:30-16:00 定 員 30名  聴講料 1社2名まで54,600円(税込、昼食付、テキスト費用を含む) ※6月14日までにお申込いただいたTech-Zone会員は早期割引価格⇒49,350円(1社2名まで) ◆早期割引にてお申込する際は人数登録で“1名(早割)”または”2名(早割)”をご選択ください ◆早期割引価格からのポイント割引は適用外の価格となります。ポイント割引サービスをご利用される際は通常価格からの申込みでのみ適用されます ◆同一法人より追加でお申込みの場合、1名につき12,600円加算

  • 技術セミナー

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