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シランカップリング剤処理の効果を高める処方を分析結果から導きます！
当社では、分析が難しいnmオーダーの薄い表面/界面層の構造を推定し、 シランカップリング剤の処理条件の最適化に貢献します。 反応液の状態把握や付着量の比較が可能で、複数の分析手法を組み 合わせることで、精度がUP。 シランカップリング剤処理の効果を高める処方を分析結果から導き、 さらに薄膜コーティングなど様々な表面修飾層の分析にも対応します。 【特長】 ■反応液の分析 ■処理表面の分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
点灯確認、パネル解体、光学顕微鏡観察により、不良発生箇所を絞り込みます！
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで 液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。 初期解析では、現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、 不良症状に合わせて実施。 詳細解析では、初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析 など好適な手法をご提案いたします。 原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能です。 【解析内容】 ■初期解析 ・現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、不良症状に合わせて実施 ・セルパネルや周辺回路などの大まかな箇所から、細かいところまで絞り込み ■詳細解析(別途解析費用が発生) ・初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析など好適な手法 をご提案 ・原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
STEMでめっきされたコネクタ端子表面の付着物層(20nm程度)の”表面を保護するサンプリング法”により損失なしで確認可能です
STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。
材料をマクロレベルから分子レベルに至るまで精密に解析！
当社では、無機化合物の『組成分析・構造解析サービス』を提供しております。 電子材料や半導体、金属、セラミックス、セメント、触媒など 無機材料の元素分析と化合物組成の解析、結晶構造・組織の解析、 熱的性質の解析など広範囲に実施。 無機化合物に対する深い知識と試料の高度な前処理技術をベースに、 材料をマクロレベルから分子レベルに至るまで精密に解析し、 新素材開発に貢献します。 【分析例】 ■精密格子定数の決定 ■温度上昇に伴う相変化の追跡 ■結晶性、配向性、結晶子径の測定 ■反射率解析による多層薄膜構造評価 ■リートベルト法による結晶構造解析 など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
