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DSMC法を用いて中性粒子の密度、温度、圧力分布等を計算するソフトウェアをご紹介！
『RGS3D』は、DSMC法（粒子モデル）を用い、様々な真空装置内の希薄気体の 流れ場を解析するためのモジュールです。 気体を連続体であると見なして取り扱う、ナビエ・ストークス方程式の 適用限界を超えるKn（クヌーセン数；流れの希薄度を評価する無次元数、 Kn＝平均自由行程長/流れの代表長さ）が、Kn > 0.01の場合の流れ場の 解析を得意としています。 また、Kn > 1となる場合は、高速なモンテカルロ法の選択が可能です。 【特長】 ■一般的な希薄気体条件下での電荷を持たない中性粒子の挙動を解析する ■新衝突計算法を指定することにより粘性流領域の解析も可能 ■任意形状の構造物、空間メッシュ分割による解析が可能 ■どのような混合ガスでも精度の良い解析ができる ■壁との衝突が支配的な場合は、高速なモンテカルロ法の選択が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
より真実味のある入力データでスパッタリング解析をおこなうことが可能です！
『スパッタリング・シミュレーション・モジュール（SPUTSM）』は、 PIC-MCCMの計算結果（ターゲットへの入射イオンのフラックス、エネルギー、 入射角）を参照し、SASAMALを用いて、スパッタリング粒子の放出フラックス や角度分布、エネルギーを計算するモジュールです。 粒子法を取り入れたプラズマ解析をおこなうPIC-MCCMで計算できる入射 イオンのデータを入力データとして用いることができ、より真実味のある 入力データでスパッタリング解析をおこなうことが可能。 また、入力方法もデータフォルダーの指定をするだけで簡単に取り込めます。 【特長】 ■スパッタリング粒子の放出フラックスや角度分布、エネルギーを計算する ■粒子法を取り入れたプラズマ解析をおこなうPIC-MCCMで計算できる 入射イオンのデータを入力データとして用いることができる ■より真実味のある入力データでスパッタリング解析をおこなうことが可能 ■入力方法もデータフォルダーの指定をするだけで簡単に取り込める ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
計算の精度が高い！装置内のプラズマ密度が、比較的低い場合のプラズマ解析を得意とするモジュール
『プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール（PIC-MCCM）』は、プラズマ CVD装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、機能性薄膜の 製造装置といった装置内の、非平衡低温プラズマの挙動を解析ができる モジュールです。 装置内のプラズマ密度が、比較的低い（10^16[#/m3]；10^10[#/cc]程度以下） 場合のプラズマ解析を得意としており、電磁場中での電子ビーム、イオン ビームの軌道解析などといった荷電粒子挙動解析も可能です。 【特長】 ■物理モデルが比較的簡単である ■シミュレーションの際に持ち込まれている物理モデルの仮定や近似が少ない ■計算の精度が高い ■SMCMとのカップリングにより、バッファガス・ラジカル種の影響も 考慮にいれた連成シミュレーションを行うことが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
新衝突計算法を指定することにより、平均自由行程以上のセルサイズでの計算が可能です！
『中性粒子DSMCモジュール（DSMCM）』は、多数のサンプル粒子を配置し、 それらの粒子の衝突を物理モデルに従って確率的に引き起こして挙動を 追跡していくといったDSMC法（粒子モデル）を用い、いろいろな真空装置内の 希薄気体の流れ場を解析するためのモジュールです。 エッチング装置、薄膜製造装置、スパッタリング装置内の電荷を持たない 中性粒子（バッファガス、ラジカル種、スパッタリング粒子）の挙動を 解析することが可能。 また、新衝突計算法を指定することにより粘性流領域(Kn<0.01)の解析もできます。 【特長】 ■原理的には自由分子流から常圧の気体の流れ場までを解析できる ■計算量の問題から、低圧の流れ場に適用するのが有効 ■新衝突計算法(U-system)を指定することにより、平均自由行程以上の セルサイズでの計算が可能 ■PIC-MCCMやPHMとカップリングすることにより、ラジカル種やスパッタリング 粒子の挙動も（テスト粒子モンテカルロ法を用いて）高速に計算することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
