1～2 件を表示 ／ 全 2 件
CMPスラリーの等電点測定から分散性を評価
CMPスラリーは、研磨対象の材料や研磨条件によって、研磨に用いる砥粒を選択する必要があります。CMPの加工特性では、CMPスラリーの粒子径やpH、砥粒の純度などが影響します。そこで、CMPスラリーの分散性やスラリーと研磨材料との相互作用を評価する上で、ゼータ電位の測定が重要です。 今回は、砥粒の異なるスラリーをpHタイトレータを用いてpHタイトレーションを行い、各砥粒の等電点測定を行いました。 砥粒の異なるCMPスラリーの等電点測定の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
粒子径とゼータ電位からCMPスラリーとウェーハの静電相互作用を評価
半導体における洗浄プロセスでは、CMPスラリーより表面に吸着するパーティクルや金属不純物、有機物の物理的もしくは、化学的洗浄が行われます。物理洗浄によってパーティクルを剥離した後に洗浄後の再付着を防止することが必要となります。これらの研磨および洗浄条件の検討では、CMPスラリーおよびウェーハのゼータ電位を測定し、スラリーとウェーハの静電相互作用を評価することが有効です。 今回は、スラリーとウェーハそれぞれのpHタイトレーションを行い、ゼータ電位測定をおこないました。 CMPスラリーとウェーハの静電相互作用の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
