化合物半導体ウエハ用非接触搬送装置「ＳＡＧ（ＩｎＰ）型」
化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）を気体供給操作を行い、ウエハを非接触にて吸引し、所定の位置に脱着を行います。
◎特徴 １．４５０℃の高温ウエハの非接触搬送が可能である。 ２．化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）の下記の切り欠きウエハの非接触搬送が可能である。 ・Φ2～４ｉｎ ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/4ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/2ウエハ
- 企業：有限会社ソーラーリサーチ研究所 大阪事業所
- 価格：10万円 ~ 50万円
