更新日： 集計期間:2025年11月26日～2025年12月23日
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2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
2インチ；3インチ；4インチ；5インチ；６インチ；8インチ；１２インチ ダミーウェハー～プライムウェハーまで、各グレードご提供
ウェハー (wafer ウェイファ)は、半導体素子製造の材料である。高度に組成を管理した単結晶シリコンのような素材で作られた円柱状のインゴットを、薄くスライスした円盤状の板である。洋菓子のウェハースに由来（英語表記ではいずれもwafer）。 ウェハーのほか、ウェーハ、ウエーハ、ウエハー、ウェハ、ウエハなどさまざまに呼ばれる。
12インチSi両面研磨ウェハー Φ300mmシリコン基板 厚み775±25um P型＜100＞ 1-100Ω・cm 両面ミラー
品質：パーティクル管理有（0.2um30個以下） 製造：日本製（Made in Japan） 納期：1-2週間
多様化するニーズにお応えする高品質シリコンウェハー製品
当社は、先進の技術を追求し半導体製造開発に必要不可欠な ベアウェハー、高品質薄膜ウェハー、ダミーウェハー、各種成膜ウェハー等を ご提供し、多様化するマーケットのニーズにお応えいたします。 また、ウェハー加工サービスや分析サービスも承っております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【各種ウェハー製品】 ■ベアウェハー ■加工成膜ウェハー ■テスト用TEG ■パターン付き300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
メタルフリータイプは、金属を極限まで排除し、より高次の清浄性を！シリコン半導体の工程など、クリーンなプロセスにおすすめ！
当製品は、販売中のウエハ型セラミックタイプに比べ、金属元素を使用しない 設計のため、金属汚染が気になるお客様でも安心してお使い頂ける製品です。 表面のインジケータ膜は有機系の材料のみを利用しており、 基板には標準規格のシリコンウエハを使用。半導体前工程での利用を想定し クリーンなプロセスで利用できるよう設計しています。 【特長】 ■金属元素を使用しない設計 ■表面のインジケータ膜は有機系の材料のみを利用 ■8インチと12インチのサイズをご用意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用できます
NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。
汚染物質の少ないFZ法で製造された高品質・高純度・高抵抗のFZシリコンのご提供が可能です。
ガスドープFZシリコンは、単結晶の引き上げをドーパントガス中で行なう事によって、不純物をドーピングしたFZシリコンです。 弊社では高品質・高純度FZシリコンのご提供が可能です。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。 ★Prime Grade FZ ingot（即納可能） 納品時にはメーカーのCofCをおつけします。 仕様 方位: (1-1-1) ± 2 deg. 直径(mm) : 101,60 ± 0,20 長さ(mm) : 200 - 400 第一オリフラ(mm) : 30,5 - 34,5 (1-10) +/- 1 Deg. 第二オリフラ(mm) : N.A. タイプ: N-type/Phosphorous ライフタイム(microsec) : 1000 抵抗値(ohm cm) 25°C. : 2032,00 抵抗値公差(ohm cm) : ±700,00 RRV [%] : N.A.
シリコンウエーハ、ガラスなどを主に、お客様のニーズに応じた加工サービスを提供。基板の手配、マスク設計からの一貫生産の対応が可能。
ICチップの製造に使われる半導体でできた薄い板のこと。 シリコン製のものが多く、これを特に「シリコンウエハ」と呼ぶ。 ウエハは、原料の物質を「インゴット」と呼ばれる直径120mmから200mm程度の円柱状 に結晶成長させ、0.5mmから1.5mm程度に薄くスライスして作製した円盤で、直径8インチ(200mm)、12インチ(300mm)のものがよく使われる。 ICチップはウエハ上に回路パターンを焼き付けて製造される。
1インチ以下～４５０ｍｍまで提供が可能です。各種成膜加工、ＦＺウエハやサファイア、ゲルマニウム、化合物半導体も対応可能。
弊社では、半導体製造装置テスト用のモニターウエハ・ダミーウエハ、太陽電池用単結晶シリコンウエハ・太陽電池用多結晶ウエハ・ＳＯＩウエハ・拡散ウエハなどを取り扱っております。 お客様の用途に合わせて適したウエハをご紹介させていただきます。 CZウェーハは直径1インチ以下から450mmまでご提供が可能です。 また貴社でお持ちのウエハにＥＰＩ成膜を行ったり、SOIウエハへの加工なども対応可能です。 ＣＺウェーハ以外にも高抵抗ＦＺウエハも４インチ以下から８インチまで、抵抗値は数オームから １万オーム以上に対応可能です。 サファイア、ゲルマニウム、化合物半導体、多結晶シリコンなども取り扱っております。 詳しくはお問い合わせ下さい。
3インチ～12インチまで少量対応が可能です。 仕様により高抵抗基板・高抵抗活性層でのSOIウエハも対応可能！
CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウエハも対応可能です。 直径：3インチ～12インチ SOI層：2－200um程度（抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） SiO2(酸化膜）層：0.5－2um程度(0.1-10umも対応可能） 支持基板：300-725um程度（直径によりますが抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能） ＊仕様によりますが新規対応は10枚程度から対応可能です。 ＊ウェーハを御支給いただきSOIウエハへ加工することも可能です。 エナテックはシリコンウエハ関連品を多数取り扱っており、お客様の御要望に迅速、的確に対応いたします。半導体及び太陽電池製造メーカー等への評価用テストウエハ・成膜ウエハ販売(及び再生加工等の受託加工）を主とし、ダミーウエハの分野においても、国内にSiの選別工程の倉庫を2箇所有し、お客様のニーズにお答えすべく様々な種類のウエハをご紹介させて頂いております。 詳しくはお問い合わせ下さい。
