半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用できます
NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。
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基本情報
【特徴】 ○NTDシリコン（中性子照射シリコン） ○抵抗率の均一性に優れている ○電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用されている ○半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用可能 【仕様】 ○直径：50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm ○結晶方位：＜100＞or＜111＞ ○伝導型（ドーパント）：N(Phosphorus) ○抵抗率：30-500,600 オーム 程度 ○抵抗率公差：+/-10％ 程度 ○面内抵抗率分布：< 3－8% 程度 ○キャリアライフタイム：> 200µsec ○酸素濃度：< 2.0 × 10^16 atoms/cm3 ○炭素濃度：< 2.0 × 10^16 atoms/cm3 ●詳しくはお問い合わせください。
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用途／実績例
【アプリケーション】 ○High Power Electronics ○Automotive Consumer ○IGBT Inverters>1kW ○Smart Power ○Low Power Thyristors ●詳しくはお問い合わせください。
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企業情報
エナテックはシリコンウェーハ関連製品を多数取り扱っており、お客様の御要望に迅速、的確に対応いたします。 設立後40年有余年、Si分野を中心に半導体産業の一角を支えてまいりました。国内外のシリコンメーカー・加工メーカーの協力により、日本のみならず海外市場へも安定的にシリコン材料を供給しています。 半導体及び太陽電池製造メーカー等への評価用テストウェーハ・成膜ウェーハ販売(及び再生加工等の受託加工）を主とし、ダミーウェーハの分野においても、国内にSiの選別工程の倉庫を2箇所有し、お客様のニーズにお答えすべく様々な種類のウェーハをご紹介させて頂いております。 CZシリコンウェーハ以外にもFZシリコンウェーハ、SOIウェーハ、拡散ウェーハ、ＳｉＧｅ，ＧａＡｓ、InP、サファイア、ゲルマニウム、SiCウェーハ、半導体用中古装置、フェライトコア、酸化鉄、高純度化学物質等も取り扱っています。