【真空排気系仕様】 ■到達圧力 プロセスモジュール: < 3×10-5Pa トランスファー室: < 3×10-4Pa ロードロック室: < 3×10-4Pa ■真空排気系 プロセスモジュール: ターボ分子ポンプ 1300L/sec ドライポンプ: 600L/min トランスファー室: TMP 820L/sec ドライポンプ: 500L/min ロードロック室: TMP 350L/sec ドライポンプ: 250L/min ■ロードロック室 手動扉: 1式 カセットエレベータ機構: 1式 試料検出機構：1式 ■トランスファー室 真空搬送ロボット：1式 試料検出機構：1式 フェイスダウン搬送方式 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他半導体製造装置

【主な仕様】 ■到達圧力 ・処理室：3x10-5Pa以下 ・ロードロック室：3x10-4Pa以下 ■真空排気系 ・成膜室：ターボ分子ポンプ 1000l/sec ・ロードロック室：ターボ分子ポンプ ■成膜室 ・スパッタ源：ECR 2式、マグネトロン 2式（オプション） ・基板ホルダ：平板状ステップ回転、基板サイズ max.3インチ ・基板加熱：最大400℃ ・基板位置：ターゲット〜基板間距離：170mm ■LL室 ・搬送方式：トレー自動搬送、5枚一括処理 ・試料数：LL室5トレーセット可能 ■ECRプラズマ源 ・数量：2式 ・プラズマ源：マイクロ波分岐結合型ECRプラズマ源 ・プラズマチャンバ：内径Φ150mm、水冷ジャケット構造 ・円筒ターゲット部：円筒型　内径Φ100x巾40mm、バッキングチューブ直接冷却方式 ■ガス導入系：マスフローコントローラ：3系統 ・ガス種：アルゴン、酸素、窒素 ■操作 ・排気：自動 ・基板搬送：自動 ・成膜：自動／手動（切り替え） ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他半導体製造装置

【主な仕様】 ■最大基板サイズ：Φ200mm ■装置サイズ（W×D×H）：600×1700×2060mm ■装置重量：約700Kg ■リアクタタイプ：プラズマ、熱 ■プラズマ方式：CCP、13.4MHz 最大1000w ■前駆体（金属プリカーサ）搭載数：最大4基 ■反応ガス搭載数：最大3系統（マスフローコントローラ） ■最高基板加熱温度：400℃（設定値） ■真空ポンプ：ドライポンプ（ケミカル対応型） ■ホットウォール：標準搭載 ■配管加熱：標準搭載 ※個別制御可 ■圧力コントロール：自動調圧バルブ ※各室個別制御可 ■プロセスガストラップ：標準搭載 ■ユーザーインターフェース：PC/AT（パーソナルコンピュータ） ■モジュールコントローラー：PLC ■ユーティリティ ・電源：三相AC200V 50/60Hz 150A ・P-N2：0.3～0.6MPa 10SLM ・P-O2：0.3～0.6MPa 6SLM ・N2：0.3～0.6MPa 65SLM ・圧縮空気：0.5～0.7MPa 15SLM ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【仕様】 ■真空排気系 　・成膜室：TMP（450 L/s） 　・ロードロック室：RP（250 L/min）TMP兼用 ■成膜室 　・チャンバ寸法：φ570x340mmm 　・基板サイズ：φ4インチ 　・基板加熱：オプション 　・ターゲット基板間距離：200mm ■ロードロック室 　・搬送方式：トランスファーロッド 　・収納数：1枚 ■ECRプラズマ源 　・数量：1式（μ波分岐結合型） 　・プラズマチャンバ：φ150mm 　・円筒ターゲット部：φ100x40mm ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他半導体製造装置

【ラインアップ】 ■AFTEX-9600L ■AFTEX-9800 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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