パスカルの製品・サービス一覧

『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査プローブとして用いている為、絶縁体でも帯電の影響がなく安定した表面分析が可能です。 結晶表面構造解析では、入射角の全方位スキャンの実施により結晶表面に固有のパターンが得られ、表面構造の判定を視覚的に容易に行うことができます。 【特長】 ■結晶方位や対称性あるいは極性結晶の表裏などが視覚化される 　※ウルツ鉱構造の結晶(GaNやAlN等)の表裏判別も容易 ■表面近傍の層毎の元素分析と結晶構造解析が簡単 　※極薄膜の解析も可能 ■極点図シミュレーションと同期させれば、“見て来た様に”操作できる ■絶縁体試料や有機分子膜などの配向決定等にも問題なし ■SIMSの同時計測により、不純物の高感度評価(TOFスペクトルと相補的) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※依頼分析も賜っております。

• 分析機器・装置
• 半導体検査/試験装置

『クラスター真空成膜システム』は、試料自動搬送システム、サンプル交換室、 サンプルストッカー室、スパッタ室に加え誘電率・磁性測定、ホール測定装置 などの分析機を備えた評価室から構成されます。 また、中央の試料自動搬送チャンバーは、各成膜室ならびに分析室と接続。 試料を真空中でロボット搬送し試料作製から評価までを自動で行います。 尚、すべてのチャンバーは高真空環境で接続させることも可能で、試料の 作製から評価まで大気に触れることもなく運用させるシステムです。 【特長】 ■分析機を備えた評価室から構成 ■中央の試料自動搬送チャンバー 　・試料作製から評価までを自動で行い、効率的に進める ■すべてのチャンバー 　・高真空環境で接続させることも可能 　・試料の作製から評価まで大気に触れることもなく運用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 分析機器・装置
• 真空機器
• 評価ボード

『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査プローブとして用いている為、絶縁体でも帯電の影響がなく安定した表面分析が可能です。 結晶表面構造解析では、入射角の全方位スキャンの実施により結晶表面に固有のパターンが得られ、表面構造の判定を視覚的に容易に行うことができます。 【特長】 ■結晶方位や対称性あるいは極性結晶の表裏などが視覚化される 　※ウルツ鉱構造の結晶(GaNやAlN等)の表裏判別も容易 ■表面近傍の層毎の元素分析と結晶構造解析が簡単 　※極薄膜の解析も可能 ■極点図シミュレーションと同期させれば、“見て来た様に”操作できる ■絶縁体試料や有機分子膜などの配向決定等にも問題なし ■SIMSの同時計測により、不純物の高感度評価(TOFスペクトルと相補的) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※依頼分析も賜っております。

• 分析機器・装置
• 半導体検査/試験装置

『PHD-30K-034』は、超真空下で加速収束された電子線を基板に照射し、 表面キャラクタリゼーションを行うための反射高速電子線回析システムです。 コンパクトサイズでICF34フランジマウントの電子銃は、その小ささから 取り付けやメンテナンスが容易。 また、標準的な回折像観察に加えて、オプション追加により高圧条件下での 測定またはサンプル面内スキャン機能を実現することができます。 【特長】 ■30kV対応かつコンパクトな制御電源 ■1Pa台まで使用可能な差動排気設計 ■2段差動排気（オプション）により100Pa台でのモニター可能 ■スキャンコイル（オプション）による電子線スキャニングで、 　同一条件での多数回折が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他解析
• 分光分析装置

『PAC-LMBE』は、拡張性の高い超高真空レーザーMBE（PLD）システムです。 基板加熱ユニットとして、赤外線ランプ加熱と半導体レーザー加熱の いずれかを選択可能。6種類のターゲットが使用できます。 また、ロードロック室ユニットにより、真空中でターゲットや基板を 簡単交換いただけます。 【特長】 ■拡張性が高い ■到達真空度：6.7×10^-7Pa（5×10^-9Torr）以下 ■6種類のターゲットが使用可 ■ロードロック室ユニットにより、真空中でターゲットや基板を簡単交換 ■オプションポート：各種コンポーネント取付可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 蒸着装置

『MC-LMBE』は、操作性の高いコンパクトな超高真空レーザーMBE（PLD） システムです。 1200℃まで加熱可能な半導体レーザー基板加熱ユニットを搭載。 モーター駆動コンビナトリアルマスクを2枚を装着しています。 また、ロードロック室ユニットにより、真空中でターゲットや基板を 簡単交換できます。 【特長】 ■操作性が高くコンパクト ■到達真空度：6.7×10^-7Pa（5×10^-9Torr）以下 ■モーター駆動コンビナトリアルマスクを2枚を装着 ■1200℃まで加熱可能な半導体レーザー基板加熱ユニット ■6種類のターゲットが使用可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 蒸着装置

真空機器・装置、理化学機器・装置においてグローバルな視野を持ち、 常に時代の先端を見つめ、新しい技術と商品ニーズを先取りし、 ユーザー様の役に立つ製品を提供し続けている、株式会社パスカルの 総合カタログです。 従来のイオン散乱表面分析装置では不可能だった、絶縁体表面の極性判別や 構造解析、元素同定、さらに電場・磁場中での【その場分析】を可能にした 飛行時間型原子散乱表面分析装置「TOFLAS-3000」をはじめ、 「真空薄膜形成装置」や「表面分析装置」などをラインアップしています。 【掲載内容　抜粋】 ■真空装置、コンポーネント ■表面分析装置 ■低温関連機器 ■アジレント社製真空機器(旧バリアン) ■その他真空関連製品　　　　　　　　ほか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 真空機器
• 分析機器・装置
• その他

『TOFLAS-3000』は、入射プローブとしてイオンではなく電気的に中性な 原子ビームを用いた飛行時間型原子散乱表面分析装置です。 本製品を使用することにより、半導体，金属のみならず絶縁体表面の 組成および原子配列の解析も可能です。 また、帯電（チャージアップ）の問題も解決します。 【特長】 ■金属、半導体はもとより絶縁体の表面分析にも威力を発揮 ■試料表面の元素の同定が可能 ■表面下数層の原子構造解析が可能 ■試料表面の極性判別が可能 ■表面での動的過程のリアルタイムモニタリングに対応 ■電場・磁場中でも影響なく測定が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 分析機器・装置
• 半導体検査/試験装置