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『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 弊社ではSiCウェハーを1枚から低コストで提供が可能。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで利用できます。 また、納期も最短2週間から対応できますので、ぜひ、ご用命ください。 【特長】 ■高い電界をかけても壊れにくい ■熱に強い機器の製造に役立つ ■機器の動作上限温度を向上させる ■熱伝導率が高いため放熱性に優れている 【提供ウェハ】 ８インチ N型 Production ４H-SiC ８インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ N型 Production ４H-SiC ６インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ高純度半絶縁性ウエハー ４H-SiC ６インチ N型 P-MOS ４H-SiC ６インチ N型 P-SBD ４H-SiC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、装置の条件出し、ダイサーやBGのプリカット、搬送テストなど の用途にご使用いただける『シリコンウェハー』を取り扱っております。 モニターウェハーはもちろんのこと、各種サイズ、各種厚み、 パーティクルウェハーにも対応可能です。 小口径２インチ～６インチモニターウエハー、８インチ～１２インチモニターウエハーも格安で販売致します。 P型/N型・オリフラ/Vノッチ・結晶方位などお気軽にご相談ください。 【用途】 ■装置の条件出し ■ダイサーやBGのプリカット ■搬送テスト など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社で行う、「薄膜成膜加工」をご紹介いたします。 ダスト保証品も可能な「熱酸化膜」をはじめ、「Poly膜(ノンドープ、 ドープド)」や「チッカ膜(LP・プラズマ)」、「TEOS膜」など 様々な膜に加工。膜厚につきましては、都度ご相談に応じます。 【膜種】 熱酸化膜（ダスト保証品も可能です）／Poly膜（ノンドープ、ドープド）チッカ膜（LP・プラズマ）※12″も対応可能です。 TEOS膜／BPSG膜／TI、TIN膜／CU膜／W膜／パターン加工膜／多層膜加工膜／各種IC種類 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
片面研磨、両面研磨の合成石英基板は最大直径200mm、 最小板厚0.1mm程度まで研磨加工が可能。 【合成石英基板の特長】 ■広範囲での高い透過率と低い熱膨張率 ■紫外域での高透過率 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
MEMS等のご研究用途向けの「ST-カット 人工水晶基板」も販売しております。 AT-カットその他も、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では「ガラス基板」の製造販売を行っております。 おもにディスプレイ用基板・超薄板ガラス基板・基板用電子材料などの 用途があり、基板として使用されるガラスは厚さが非常に薄く、高い耐久性も 求められるため、製造には高度な技術が必要。 エムシーオーでは、短納期で低コスト、品質の高い製品を生み出し、お客様の オーダーメードにもお応えいたします。 【ガラス基板の種類】 ■ソーダライムガラス ■無アルカリガラス ■ホウケイ酸ガラス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では「カーボン」の製造販売を行っております。 独創的なアイデアと技術を駆使した機能設計と高度な加工・処理技術。 炭素や黒鉛の特長を極限まで引き出します。 エムシーオーでは、電気、機械、冶金などの基盤的分野から半導体、 航空宇宙などの先端的分野に至るまでの多種多様のニーズに徹底した 品質管理でお応えします。 【特長】 ■独創的なアイデアと技術を駆使した機能設計と高度な加工・処理技術 ■多種多様のニーズ ■徹底した品質管理 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では「ゲルマニウム基板」の製造販売を行っております。 IR(赤外線波長帯)で優れた透過率を示す基板材料。 半導体・電子デバイス製造向けに、結晶成長時ドープ加工を施した N型・P型ゲルマニウム基板(平面研磨ウエハー・直径1,2,3インチ/ 面方位100,110,又は111)をご用意。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【取扱製品】 ■N型・P型ゲルマニウム基板 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では「オプトエレクトロニクス部品」の製造販売を行っております。 好適なワイヤー濡れ性を確保したプレーティング加工の「光通信用Min-DiL, Min-Flat＆Min-Pin;パッケージ・低速＆低コスト型HTCCパッケージ」や AuSn共晶パッドの「Optica Platform＆サブマウント・ブレージングAssy メタル＋セラミック」などをラインアップ。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ＜Optica Platform＆サブマウント・ブレージングAssy メタル＋セラミック＞ ■CuW/ヒートシンク ■Al2O3,ALN,SiC基板 ■高信頼性薄膜技術 ■AuSn共晶パッド ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では「サファイアウェハー」の製造販売を行っております。 モース硬度9を持ち、石英以上の高融解点(2.053℃)と耐プラズマ特性、 さらに光学的・化学的・電気的にも優れた特性を併せ持つ製品。 キロプロス、CZ、HEM他、各種製法のインゴット及びウェハーを、 お客様の用途、スペックに合わせて供給いたします。 【仕様(一部)】 ＜2インチ＞ ■材質：＞99.996％高純度アルミナ ■品質：欠陥フリー(No Crakes,Pores,Scratches,Inclusions,Twins) ■直径：50.8±0.1mm ■厚さ：430±15um ■結品方位：C-plain(0001)±0.25° ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの 材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが 注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■GaN膜厚：3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能 ■結晶方位：C-axis(0001) ■導電タイプ：Un Dope、N-type、P-type ■XRD：(002)≦300arsec、(102)≦400arsec ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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