奥野製薬工業の製品・サービス一覧

半導体の実装にははんだボールが広く用いられてきました。しかし、多ピン化（基板上の端子の増加）、実装されるチップ数の増加、接合面積が狭小化によって、径が100µm程度のはんだバンプでは高密度実装が不可能になりつつあります。 それに代わる手段として、注目を集めているのは、半導体に再配線層（RDL; Redistribution layer）を形成し、銅ピラーを用いて接合する方法です。 当社は銅ピラーにに最適な添加剤、TORYZA LCN SPを開発しました。 TORYZA LCN SPは、パッケージ基板側のビルドアップ層へ超微細な電極を形成する際にも使用できます。

スマートフォンは、通話だけでなく、音楽や動画などのコンテンツ視聴、オンラインショッピング、自動車、スマート家電、ロボットなどの産業に広く利用されています。携帯電話やタブレットなどの移動用通信機器は、おおよそ10年ごとに大きな進化を遂げ、その最大通信速度は、30年間で約1,000,000倍になりました。 また、サーバや高性能コンピューターに搭載される半導体には、さらなる高性能化、多機能化が要求されています。 当社はこのたび、低アスペクトビアフィリングに最適な硫酸銅めっき添加剤、TORYZA LCN SDを新たに開発しました。 TORYZA LCN SDは、半導体チップとビルドアップ配線板を接合するマイクロバンプや、ウエハ上に配線されたトレンチ、パワー半導体などで放熱性改善のために用いられるサーマルビアなどに幅広く対応できます。

半導体の高性能化, 高機能化にともない、機能の異なる複数のチップを1つの基板上に実装するチップレットと3次元集積に関するパッケージング技術が注目されています。 その中でも、Si上に配線を形成したSiインターポーザは、配線の長さや幅を微細化して、高周波信号の伝送能力を高められるため、注目を集めています。 当社は高アスペクトフィリングに対応したシリコンインターポーザ向け添加剤として、TORYZA LCN SVを開発しました。 TORYZA LCN SVは、TSVへの埋め込み性に優れており、ボイドフリーかつ低膜厚で高アスペクトフィリングを実現します。

近年、半導体パッケージング技術は、薄型化、低コスト化に不利な従来のFC-BGAに対して、ウエハに再配線層を形成し端子をチップの外側まで広げる（Fan Out）ことでチップ面積に対する端子数のアップを可能にしたFOWLP、FOPLPが注目されています。 当社は、そのFOWLP、FOPLPの再配線層形成用に新たな硫酸銅めっき添加剤を開発しました。 本製品は膜厚均一性とパターン形状の矩形性に優れ、かつ小径ビアのフィリングにも対応します。 また、チップ側端子数増加に対応するために、従来のFC-BGAのビルドアップ層上への超微細配線層形成も検討されています。 本製品はそれら次世代半導体パッケージ基板の超微細配線形成にも最適です。

UBMは、Under Bump Metalまたは、Under Barrier Metalのことをいい、半導体チップ上のアルミニウム電極パッドとパッケージ端子をワイヤボンディング、はんだ、銀焼結で接合するために形成される皮膜です。その皮膜は、無電解ニッケル／金めっきや、無電解ニッケル／パラジウム／金めっきなどから構成されています。当社は半導体・エレクトロニクスの進化を支える数多くの製品を取り揃えていますので、お気軽にご相談ください。

奥野製薬工業は、東京ビッグサイト（東京国際展示場）で、2024年6月12日（水）～6月14日（金）に開催されますJPCA Show 2024に出展いたします。 電子機器の普及とともに急速に発展するプリント基板／半導体パッケージ基板。 その高性能化、多機能化に貢献する表面処理薬品とプロセスをご提案します。 その他新技術として、封止樹脂との高い密着性を有する高信頼性粒状銅めっき、リチウムデンドライト成長抑制剤、リサイクル原料を用いためっき技術などもご紹介いたします。 ぜひ、東京ビッグサイト東6展示場、6H-08の当社ブースにお立ち寄りください。 それができるのはオクノだけ。 お客様のその声を聴くために、 そして未来を拓くカギになるために、 わたしたちは120年間歩み続けてきました。 これからもエレクトロニクス分野の表面処理に関するお困りごとは、 奥野製薬工業が解決します。

半導体の高機能化、高性能化、小型化が進化するにつれて、半導体の3次元集積に関する新技術が次々と開発されています。それに伴い、配線の微細化（狭ピッチ化）への対応や放熱対策がますます重要になっています。当社は、各ご要望にお応えするため、半導体ウエハの配線向けに、硫酸銅めっき薬品、TORYZA LCNシリーズを新たに開発しました。

UBM（Under Barrier Metal）には無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきなどが採用されていますが、従来のプロセスでは、アルミニウム電極の局部腐食、めっきの外観不良や密着不良などが生じるという課題がありました。 また、近年、パワー半導体では高耐圧化、高電流化が進むに伴い、無電解めっき皮膜にもさらなる高耐熱化が求められています。そこで、当社はアルミニウム電極の減膜や局部腐食を抑制し、無電解Niめっきの均一析出性、めっき平滑性、めっき密着性に優れたウエハ上アルミニウム電極用　UBM形成　めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」を新たに開発しました。UBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。

表面処理・めっき薬品メーカーとして知得したノウハウを生かして、装置メーカーとともにUBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」を設計・開発しました。ウエハ上アルミニウム電極用　UBM形成　めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。

高負荷環境でも動作できるパワー半導体は、産業機器、太陽光発電、電気自動車、通信機器、エネルギー変換用装置など、さまざまな分野で使用されています。近年、高耐圧化、高電流化が進むにともない、より接続信頼性の高いパッケージング技術が必要とされています。半導体素子と回路とを接続するリードフレームは、熱負荷時に基材樹脂界面で剥離が発生してしまうと、短絡や断線などにつながります。当社は、フレーム-皮膜-モールド樹脂間での高い密着性を実現する粒状銅めっきを成膜する添加剤を新たに開発しました。

奥野製薬工業は、半導体ウエハの再配線や銅ピラー形成などに最適な硫酸銅めっき添加剤「TORYZA LCN」シリーズを新たに開発しました。 膜厚均一性に優れ、再配線のパターン形成に最適な電気銅めっき添加剤、TORYZA LCN FRV。 半導体ウエハやパッケージ基板への銅ポスト・銅ピラー形成に最適な電気銅めっき添加剤、TORYZA LCN SP。 シリコンインターポーザ向け、マイクロバンプ・トレンチフィリングに最適なTORYZA LCN SV。 ブラインドビアホール、トレンチの埋め込み性に優れた半導体用の電気めっき添加剤TORYZA LCN SD。 奥野製薬工業は、ウエハへのめっきプロセスをご要望に合わせて多数ご提案いたします。

当社は、アルミニウム電極の減膜や局部腐食を抑制し、高温常用に対応可能なパワー半導体用UBM形成　無電解めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」を新たに開発しました。また、表面処理・めっき薬品メーカーとして知得したノウハウを生かして、装置メーカーとともにUBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」を設計・開発しました。めっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案いたします。

奥野製薬工業は、2024年11月21日(木)～11月22日(金)に東京ビッグサイト で開催されます『ケミカルマテリアルJapan2024』に出展します。 当社は、ウエハ上アルミニウム電極用 UBM形成プロセス、電子デバイス用 ガラス材料、食品原料100％の抗菌・ウイルス除去コーティング剤など、 表面処理・無機材料・食品の3部門それぞれから、様々な産業に関わる 新製品を多数出展しますので、ぜひお立ち寄りください。 その他新技術として、マイクロコイルを有する微細藻類を利用した バイオテンプレート技術や、フッ素化合物フリーでポジティブリスト制度 に適合する食品器具用コーティング剤などもご紹介します。 ぜひ、東京ビッグサイト、南展示棟 ホール1・2、C-11の当社ブースに お立ち寄りください。 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

近年、高温動作が可能な次世代のパワー半導体（パワーモジュール）としてSiCやGaNデバイスが注目されており、これらを搭載した次世代パワーモジュールは200℃以上の常時動作が想定されます。 当社は、高温環境下でもはんだへのニッケル拡散が少なく、接合信頼性が低下しにくい硫黄フリー低リン無電解ニッケルめっき液「ICPニコロンLPW-LFN」を開発しました。 また、従来のはんだ接合に代わる高耐熱性の接合法として、銀粒子ペーストによる焼結接合が注目されています。当社は、下地金属の腐食を抑制し、接合強度の向上に貢献する無電解銀めっき「トップシルベACC / トップシルベAG」を新たに開発しました。

UBM（Under Barrier Metal）には無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきなどが採用されていますが、従来のプロセスでは、アルミニウム電極の局部腐食、めっきの外観不良や密着不良などが生じるという課題がありました。 また、近年、パワー半導体では高耐圧化、高電流化が進むに伴い、無電解めっき皮膜にもさらなる高耐熱化が求められています。そこで、当社はアルミニウム電極の減膜や局部腐食を抑制し、無電解Niめっきの均一析出性、めっき平滑性、めっき密着性に優れたウエハ上アルミニウム電極用　UBM形成　めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」を新たに開発しました。UBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。

表面処理・めっき薬品メーカーとして知得したノウハウを生かして、装置メーカーとともにUBM形成用無電解めっき装置「TORYZA EL SYSTEM」を設計・開発しました。ウエハ上アルミニウム電極用　UBM形成　めっきプロセス「TORYZA EL PROCESS」とあわせて、半導体後工程用のめっき薬品、表面処理プロセスと装置をトータルでご提案します。

奥野製薬工業は、2025年1月22日(水)～1月24日(金)に東京ビッグサイト で開催されます第26回 半導体・センサ パッケージング展/半導体後工程の 専門展(ISP)に出展します。 当社は、プリント基板/半導体パッケージ基板の発展に貢献する OKUNOをテーマに、半導体後工程向けめっき薬品およびめっき装置、 半導体パッケージ基板、フレキシブル基板、ガラス基板向け等のめっき薬品と プロセス、パワーデバイス向けの表面処理などを多数出展します。 ぜひ、東京ビッグサイト、東7ホール、E63-62の当社ブースに お立ち寄りください。 出展製品概要は関連リンクからご覧ください。 【展示会情報】 ■開催日：2025年1月22日(水)～24日(金) ■開催場所：東京ビッグサイト（東ホール） ■ブース番号：E63-62 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、関連製品のカタログをダウンロードください。