※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【掲載内容の一部をご紹介】 ＜大気圧プラズマ装置から発生する種々のダメージ＞ (1)誘導電圧（電流）発生に伴う絶縁破壊等 (2)紫外光（有機素材特性変化） (3)表面粗れ（表面粗化またはエッチング） (4)パーティクル発生 (5)静電気発生（集塵効果・絶縁破壊・チャージアップダメージ） (6)アーク及びストリーマ (7)熱（処理中） 処理形態やワークによってそのダメージは、一種のメリットになる可能性もあり、例えば、使用電極構造にもよるが、プラナー型（ダイレクト型）電極の場合、プラズマ発生時のストリーマ（微小アーク）やイオン衝突等により、ワーク表面に粗化を与え、結果的にアンカー効果により密着性の向上につながる場合もあります。　 ※詳細はPDFをダウンロードいただくか直接お問い合わせ下さい。　

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【ダウンストリーム型大気圧プラズマ装置の特長】 ■基材へのダメージや表面粗度の変化を抑えた処理が可能 ■銅箔とLCPやフッ素樹脂フィルムの接着 ■スポンジ、不織布の内部の処理も可能 当社では、プラズマ発生エリアとワーク間距離の短縮による高性能化や プラズマ生成時のUV・DeepUVによるワーク内部の分子間架橋特性変化のない 特長を持つダウンストリーム型大気圧プラズマ装置を提供可能です。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

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各種実験装置製作 立ち合い実験実施中 ※詳しくはお問い合わせ、またはPDFをダウンロードしてください。

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【その他の特長】 ■プラズマ生成時のUV・DeepUV光量を従来比約1/80に減衰 ■ワーク内部の分子間架橋特性変化やダメージ発生がない ■放電電極内でのイオン加速制御及びスパッタ効果の抑制効果から、Particle発生が無い ■誘電体電極寿命が半永久的に使用でき、ランニングコスト低減 ■半導体チップ上の処理も可能（処理後のトランジスタ特性変化なし<4nm以上のL/S>） ■プラズマ発生エリアとワーク間距離を最小限にする構造（特許）により、高性能化が実現 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

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※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【当社独自の装置特長（ダウンストリーム型）】 ■幅広、長尺物への均一処理（100ミリ～3000ミリ） ■半導体チップ上の処理も可能（処理後のトランジスタ特性変化なし） ■4nmのＬ＆Ｓでも絶縁破壊等の発生が無い ■ワーク内部の分子間架橋特性変化や分子切断の影響やダメージ発生がない ■Particle発生が無い（0.3μ以上及び2.83SLMのサンプリング時） ■窒素消費が少ない（従来比４５％削減） ■処理後のワークへの帯電はほぼゼロ 【当社大気圧プラズマ装置】 ■ダウンストリーム型：Precise シリーズ ■プラナー型：Precise Pシリーズ ■スポット型：Precise Sシリーズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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大気圧プラズマ表面処理装置『Precise』について プラズマ発生部を処理部と分離されているため（ダウンストリーム型）、処理界面にダメージを与えることなく、分子結合を主体に表面に官能基・水酸基、アミン基を付与することで、種々のフィルムや金属薄膜とのダイレクトに接着することが可能です。この技術は電極形成時に有効と考えております。 弊社ラボにてサンプルワーク実施しております。 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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プラズマ長（幅）で仕様、販売価格が変わります。 ご希望のプラズマ幅（処理幅）をお知らせください。 100ミリ～3000ミリ幅まで製作可能。 卓上式実験機製作可、立ち合い実験可能

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【リチウムイオン電池への電解液の注入時間の短縮について】 ワークの表面に親水性を持たせることで、毛管現象（毛細管現象）の効果があがるため、電解液の注入時間短縮が期待できます。 もし、ご興味をお持ちいただけましたら、一度お問合せいただけますと幸いです。

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弊社ラボにてサンプルワークを実施しております。 お気軽にお問合せください。

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【大気圧プラズマ表面改質の優位点】 ■ドライ処理のため乾燥工程(ドライプロセス)が不要 ■目的とする接触角をコントロールできる ■活性ガス(OHラジカル)の侵入部分全て処理ができる ■種々のガスを添加することで、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして簡便に使用できる ■装置がコンパクト(省スペース) ■親水処理では排ガス等の後処理も不要 ■処理表面への物理的ダメージがない(ダウンストリーム型) ■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型) ■半導体素子上の処理でも素子性能変化がない ■処理中表面へのUVダメージがない ■Particle発生がない(ダウンストリーム型) ■残渣物が出来ない表面乾燥ができる ■反応性の高い酸素ラジカル粒子を高密度に生成するので、高速に処理でき、生産性の向上に寄与 ■添加ガス種の変更により、マトリックス材に見合う官能基かアミン基の選択が可能 ■液晶ポリマー(LCP)本来の有効な電機特性を失うことなく、接着性を高めることが可能 ■接着剤を用いないので、低誘電率での直接接合が可能 ■界面制御による同種・異種材料接合技術

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【大気圧プラズマ表面改質の優位点】 ■ドライ処理のため乾燥工程(ドライプロセス)が不要 ■活性ガス(種々のラジカル)の侵入部分全て処理ができる ■装置がコンパクト(省スペース) ■処理表面への物理的ダメージがない(ダウンストリーム型) ■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型) ■半導体素子上の処理でも素子性能変化がない ■処理中表面へのUVダメージがない ■Particle発生がない(ダウンストリーム型) ■残渣物が出来ない表面乾燥ができる ■高密度ラジカル発生により繊維束内部まで効率的なドライ洗浄ができる。 ■添加ガス種の変更により、マトリックス材に見合う官能基かアミン基の選択が可能 ■界面制御による同種・異種材料接合技術

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【リチウムイオン電池への電解液の注入時間の短縮について】 ワークの表面に親水性を持たせることで、毛管現象（毛細管現象）の効果があがるため、電解液の注入時間短縮が期待できます。 もし、ご興味をお持ちいただけましたら、一度お問合せいただけますと幸いです。

• プラズマ表面処理装置

【大気圧プラズマ装置の優位点】 ■ドライ処理のため乾燥工程が不要 ■目的とする接触角をコントロールできる ■活性ガス(各種ラジカル)の侵入部分全て処理ができる ■添加ガス変更で、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして使用できる ■装置がコンパクト(省スペース) ■排ガス等の後処理も不要 ■処理表面への電気的、物理的ダメージがない(ダウンストリーム型) ■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型) ■半導体素子上の処理でも素子特性変化がない（完全な高周波電力遮蔽） ■処理中のUVダメージがない ■Particle発生がない(ダウンストリーム型) ■残渣物が出来ない表面乾燥ができる ■高密度ラジカル発生により、窒素ガスを半減、生産性の向上に寄与 ■添加ガス種の変更により、接着界面に見合う供給結合分子付与の選択が可能 ■パーティクルフリー

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【大気圧プラズマ装置の優位点】 ■ドライ処理のため乾燥工程不要 ■接触角（表面エネルギー）をコントロールできる ■活性ガス(各種ラジカル）処理なので、不織布や繊維束内部まで処理が可能。 ■種々のガスを添加することで、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして簡便に使用できる ■パーティクルフリー ■排ガス処理も不要 ■処理表面への物理的、電気的、熱的ダメージがない(ダウンストリーム型) ■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型) ■半導体素子上の処理でも素子特性変化がない ■有機表面、内部へのUVダメージがない ■Particle発生がない(ダウンストリーム型) ■残渣物が出来ない表面乾燥ができる ■高密度ラジカルの生成により、窒素ガス消費量の４５％削減（従来比） ■添加ガス種の変更により、マトリックス材に見合う官能基かアミン基の選択が可能 ■各種材質表面へのダイレクト接着技術 ■還元処理

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【大気圧プラズマ装置表面改質の優位点】 ■ドライ処理のため乾燥工程が不要 ■目的とする接触角をコントロールできる ■活性ガス(OHラジカル等)の侵入部分全て処理ができる ■種々のガスを添加することで、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして簡便に使用できる ■コンパクト(省スペース) ■親水処理では排ガス等の後処理も不要 ■処理表面への物理的ダメージがない(ダウンストリーム型) ■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型) ■半導体素子上の処理でも素子性能変化がない ■処理表面へのUVダメージがない ■Particle発生がない(ダウンストリーム型) ■プラズマによる精密乾燥（乾燥痕のない）ができる ■高密度プラズマの発生により、窒素ガス消費量が４５％減 ■添加ガス種の変更により、接合相手材質に見合う官能基かアミン基等の選択が可能 ■共有結合分子付与による同種/異種材料直接・接合が可能

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【大気圧プラズマ表面改質の優位点】 ■目的とする表面エネルギー（接触角）をコントロールできる ■活性種ガス(OHラジカル等)の侵入部分の細部まで処理ができる ■種々のガスを添加することで、撥水・還元処理やエッチング、CVD装置プラズマソースとして簡便に使用できる ■装置がコンパクト(省スペース) ■親水処理では排ガス等の後処理も不要 ■処理表面への物理的ダメージがない(ダウンストリーム型) ■処理後の帯電がない(ダウンストリーム型) ■半導体素子上の処理でも素子性能変化がない ■処理中表面へのUVダメージがない ■Particle発生がない(ダウンストリーム型) ■残渣物の出来ない常温表面乾燥 ■添加ガス種の変更により、マトリックス材に見合う共有結合分子の付与 ■分子結合を用いた各種フィルムへのダイレクト接着技術、

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