analysis - メーカー・企業40社の製品一覧とランキング

更新日：Oct 01, 2025 集計期間:Sep 03, 2025～Sep 30, 2025
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analysisのメーカー・企業ランキング

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ビーエルテック Tokyo//Testing, Analysis and Measurement
一般財団法人材料科学技術振興財団　MST Tokyo//Testing, Analysis and Measurement
西進商事 Hyogo//Industrial Machinery
4 同仁グローカル Kumamoto//others
5 大同分析リサーチ Aichi//Service Industry

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analysisの製品ランキング

更新日：Oct 01, 2025 集計期間:Sep 03, 2025～Sep 30, 2025
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Certified single-element and mixed standard solutions for ICP-AES/ICP-MS wet analysis. 西進商事
Continuous Flow Analysis System (CFA) "MiSSion" ビーエルテック
Simple screening test for residual antibiotics in milk: "Charm DIP Test"
4 Fluorine, Cyanide, and Phenol Measurement Device SWAT ビーエルテック
5 Equipment Diagnostic Device Online Vibration Meter Mitaro Series MK-64 JFEアドバンテック計測診断事業部

analysisの製品一覧

316～330 件を表示／全 653 件

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[Analysis Case] Discrimination between Anatase and Rutile Types of Titanium Dioxide

TEM-EELS enables elemental identification and chemical state analysis in micro-regions.

Titanium dioxide (TiO2), used in electronic materials, catalytic materials, ultraviolet absorbers, and photocatalysts, exists in two forms with the same composition but different crystal structures: anatase and rutile. We conducted measurements on a polycrystalline TiO2 sample with a thickness of 20 nm, deposited on a Si substrate (Photo 1), using an electron beam probe focused down to approximately 1 nmΦ (FWHM). The EELS spectra obtained from the sample match the standard spectra of anatase TiO2 for both Ti and O (Figures 1 and 2).

企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
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[Analysis Case] Evaluation of Composition and Impurity Distribution of ZnO Films by SIMS

Visualization of in-plane distribution through imaging SIMS analysis.

The uniformity of the film composition and the distribution of impurities, which are one of the elements in device creation, were evaluated using imaging SIMS analysis. Through data processing after measurement, we can obtain planar images (Figure 1), cross-sectional images (Figure 2), depth distribution profiles at arbitrary locations (Figures 3 and 4), and line profiles. From the distribution of constituent materials and impurities, we can gain information that leads to process and film quality improvements.

企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
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Pre-treatment and measurement under high purity atmosphere.

XPS: X-ray photoelectron spectroscopy, etc.

By conducting sample pretreatment, transportation, and measurement under a high-purity inert gas atmosphere, it is possible to evaluate while suppressing surface oxidation and moisture adsorption. ■Examples of Application - Semiconductor electrode materials Evaluation of peeling surfaces can be conducted while minimizing the effects of secondary contamination and oxidation. - Organic EL materials Working in an inert gas atmosphere from the moment of opening prevents material degradation. - Battery materials such as Li If processing in a N2 atmosphere is not possible for materials like Li, treatment can be performed in an Ar atmosphere as an alternative.

企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
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Distortion evaluation using SEM equipment

EBSD: Electron Backscatter Diffraction

Measurements can be performed in bulk state without the need for thinning processes like TEM (NBD: Nano Beam Diffraction). It has the high spatial resolution characteristic of SEM and relatively high strain sensitivity. Additionally, there is a possibility of detecting local lattice strain as tensor data.

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Photoluminescence method

PL：PhotoLuminescence

The photoluminescence method is a technique that involves irradiating a substance with light and observing the light emitted when excited electrons return to their ground state. Various information can be obtained from the resulting emission spectrum. - Samples with a bandgap of about 3.5 eV can be excited. - The mapping function allows for the acquisition of extensive information. - Measurements can be conducted down to approximately 10 K. - Generally, it is a non-destructive measurement that does not require special pretreatment.

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Other contract services
Circuit board design and manufacturing

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X-ray Absorption Fine Structure (XAFS)

XAFS is a method for analyzing the absorption spectrum obtained by irradiating a substance with X-rays.

- It is possible to evaluate the local structure (interatomic distances, coordination numbers) and chemical state (valence, coordination structure) around the target elements in the sample. - Measurements can be conducted regardless of the environment (high temperature, high pressure, atmosphere). - Measurements can be performed on various sample forms (solid, liquid, gas, thin films, amorphous materials, etc.). - A wide applicable concentration range (from major component elements to trace elements). - Non-destructive measurement. - Depending on the measurement method, it is possible to conduct measurements that are sensitive to the surface as well as bulk measurements.

企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
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Contract measurement
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[Analysis Case] Evaluation of the Diffusion Layer in Crystalline Si Solar Cells

Quantitative evaluation of dopants and evaluation of carrier distribution.

This is an example of quantitatively evaluating the dopant concentration distribution directly beneath the electrode in back contact type crystalline silicon solar cells. Additionally, by evaluating the carrier distribution, it is possible to determine the polarity of p/n and visualize the depletion layer in the cross-sectional direction.

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[Analysis Case] Evaluation of Carrier Distribution in Crystalline Si Solar Cells

Evaluation of carrier diffusion layer uniformity in samples with surface roughness.

This is an introduction to a case where the carrier diffusion layer distribution of the surface textured part and the back surface field (BSF) part of BSF-type crystalline silicon solar cells was evaluated using SCM. In the textured part, the pn junction is formed along the surface irregularities, while in the BSF part, it can be confirmed that the carrier distribution is interrupted and uneven.

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[Analysis Case] Evaluation of Cleansing Oil's Cleaning Effectiveness

Measurement examples of cleaning residues using TOF-SIMS.

The way makeup is removed varies depending on the type of cleansing oil, even with the same washing method. To investigate the cleansing effect, we evaluated the remaining components after washing lipstick with oil using TOF-SIMS. This report introduces a case where the differences in cleansing effects due to the type of cleansing oil were assessed by conducting relative comparisons of the components of the lipstick (such as pigments and oils) between samples.

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[Analysis Case] Evaluation of SiC Power MOSFET Dopants by SIMS

Imaging SIMS enables the evaluation of localized elements.

We disassembled a commercially available SiC power MOSFET and conducted imaging SIMS measurements to evaluate the concentration distribution of the dopant elements Al, N, and P in a 20 µm square area to a depth of 0.5 µm. We will present a case where we extracted the depth profile concentration distribution of Al, N, and P localized within the sample surface from the data processing after the imaging SIMS measurements.

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[Analysis Case] SiC by SIMS

Imaging SIMS allows for the evaluation of localized elements.

We disassembled a commercially available SiC Schottky diode and conducted imaging SIMS measurements to evaluate the concentration distribution of the dopant element Al in a 40μm square area to a depth of 0.5μm. From the data processing after the imaging SIMS measurements, we extracted the depth-wise concentration distribution of Al localized within the sample surface and present a case study comparing the concentration distributions for each pattern.

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[Analysis Case] SIMS Analysis of Compound Layered Structure Samples

Analysis is possible after selectively removing the compound layer through preprocessing.

In SIMS analysis of layered structure samples, there is a concern that in structures where the layer of interest is located at a deep position from the sample surface, the depth resolution may degrade due to the influence of the concentration distribution of the upper layers. In such cases, it is effective to remove the upper layers through pretreatment before analysis. This document presents an example of selectively and progressively removing layers from InP/InGaAs-based SHBT (Single Heterojunction Bipolar Transistor) samples.

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[Analysis Case] Evaluation of Liquid Crystal Structure and Micelle Size of Emulsifiers by SAXS

Capable of structural analysis at the nanoscale and evaluation of nanoparticle size.

Emulsification technology is a fundamental technology in cosmetic development and is utilized across various cosmetics. Changes in the structure of emulsifiers are closely related to the balance of water and oil in the product, the permeability of encapsulated active ingredients, cleansing power, and changes in user experience, making its analysis very important.

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[Analysis Case] Composite Evaluation of the Active Layer of SiC Power MOSFETs

Evaluate the shape of the active layer and the dopant.

We will introduce a case study evaluating the distribution of the diffusion layer in commercially available SiC power MOSFET devices. In the SiC MOSFET manufacturing process, the channel is formed through ion implantation, activation heat treatment, and epitaxial layer formation. During the active layer formation process, we understood the device structure through TEM observation and evaluated the diffusion layer distribution of the p-type/n-type cross-section and the epitaxial layer from SCM measurements, as well as the depth concentration distribution of dopant elements (N, Al, P) from SIMS measurements. Measurement methods: SIMS, SCM, TEM Product field: Power devices Analysis purpose: Trace concentration evaluation, shape evaluation, product investigation For more details, please download the materials or contact us.

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[Analysis Case] Evaluation of H Concentration in IGZO Film

It is possible to evaluate the depth distribution of H in the IGZO film with high sensitivity.

IGZO films are materials that are being researched and developed as TFT materials for displays. The carrier concentration changes according to the hydrogen concentration in the IGZO film, leading to variations in electrical characteristics. Therefore, it is necessary to accurately measure the hydrogen concentration in the film for evaluating the device characteristics and reliability of devices using IGZO films. We will introduce a case study that evaluated the hydrogen concentration in IGZO films under different heating conditions using SIMS.

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