パワーデバイスの逆バイアス試験(最大2000V)

株式会社アイテスでは、パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の
高温逆バイアス試験(HTRB)が最大2000Vまで印加できます。
試験中のリーク電流のモニタリングにより、リアルタイムでデバイスの
劣化状況が把握可能。電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが
故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。
また、不良基準(電流値)の設定が可能で不良判定デバイスの電源を
不良判定時に遮断することができます。
【仕様・サービス内容】
■試験電圧:最大DC2000Vまで印加可能
■印加電流:最大14mA
■試験数量:最大8個(電源独立)
■対応モジュール:TO-247、TO-220 等(その他のパッケージは接続方法など要相談)
■測定内容:リーク電流のモニタリング
■温度範囲:最大200℃(高温高湿の場合85℃/85%)

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