パワーサイクル試験と特性評価

当社にて、基板に実装された状態のパワーモジュールと、実装していない 状態のパワーモジュールの表面にそれぞれひずみゲージと温度計を貼り付け、 ひずみ測定を実施した結果をご紹介いたします。 実装モジュールではやや温度変化が遅く、呼応してひずみの変化も 遅い様子が観察されました。実装されることで、モジュールへの熱の 伝わり方が遅くなっているためと考えられます。 アイテスでは温度サイクル試験や温湿度サイクル試験を行い、その際に 実装部品に生じるひずみを同時に測定することが可能です。お気軽に ご相談ください。

当社では「ディスクリート半導体のIOL試験」を行っています。 常温環境下にて通電ON/OFFを繰り返し行い、通電時のデバイス自身の発熱により 温度変化によるストレスをデバイスに加えます。通電OFF時(冷却時)は ファンによる強制冷却も行います。 また、試験実施前に代表サンプルを使用し、試験温度条件に到達するように 調整を行います。加熱時の電流/時間、冷却時のファン能力/ 稼働タイミングなどを調整することが可能です。

株式会社アイテスでは、パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の 高温逆バイアス試験（HTRB）が最大2000Vまで印加できます。 試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムでデバイスの 劣化状況が把握可能｡電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが 故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。 また、不良基準（電流値）の設定が可能で不良判定デバイスの電源を 不良判定時に遮断することができます。 【仕様・サービス内容】 ■試験電圧：最大DC2000Vまで印加可能 ■印加電流：最大14mA ■試験数量：最大8個（電源独立） ■対応モジュール：TO-247､TO-220 等（その他のパッケージは接続方法など要相談） ■測定内容：リーク電流のモニタリング ■温度範囲：最大200℃（高温高湿の場合85℃/85％）