「なぜ今、放熱シリコーンが不可欠なのでしょうか?」をトAD-Chemiに追加しました。
半導体デバイスの高集積化・微細化、高出力化が急速に進む中で、「熱」は、もはや副次的な設計課題ではなく、製品の信頼性・寿命・安全性を直接左右する最重要パラメータの一つとなっています。
トランジスタの微細化により電流密度は年々増加し、パワーデバイス分野ではSiCやGaNの普及によって許容動作温度は高くなった一方、発熱密度(W/cm²)は確実に上昇しています。この結果、ジャンクション温度の上昇、ホットスポットの発生、温度勾配による応力集中などが、従来以上に深刻な問題として顕在化しています。例えば、
EV・充電インフラにおけるパワーモジュール
AIアクセラレータやGPUの高発熱チップ
車載ECUの高密度実装基板
高輝度化が進むLEDモジュール
産業用電源・インバータ
など、分野は異なっても共通しているのは、「放熱設計が製品性能の上限を決める」時代に入っているという点です。単に温度を下げるというレベルではなく・・・
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