シリコンロッドを浮遊帯域精製、単結晶化及び無転位単結晶化する装置です。
浮遊帯域半導体精製装置はＡｒガス雰囲気中でシリコンロッドを高周波で加熱し、偏析法により浮遊帯域精製、又は単結晶化、又は無転位単結晶化を行う装置です。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
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基本情報
【仕様】 ○加熱電源装置として、３０ＫＷ３MＨｚの電子管方式の高周波誘導加熱電源を使用 ○高周波誘導加熱電源、浮遊帯域精製炉、除震台、総合制御盤、操作盤で装置を構成 ○高周波誘導加熱電源の安全回路は（1）過電流(１次側)（2）Ｉｐ過電流（3）Ｉｇ過電流（4）パネルスイッチ （5）冷却水断（水圧／水量） ○浮遊帯域精製炉の真空到達度は１０ －6ｔｏｒｒオーダー ○浮遊帯域精製炉のArフローはＡｒガス流量：1～５（Ｌ／sec） ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。
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企業情報
クランクシャフト焼入装置・リングギア焼入焼嵌装置・ボンバータ（ゲッターフラッシュ）加熱装置・シャフトステータ焼入装置・テフロン用金型加熱装置・フランジリング焼入装置・針布焼入装置鍛造用加熱装置・アルミ／鍛造エンジンブロック焼嵌加熱装置・フィラチューブ ロウ付け装置 ・ガンドリルロウ付け加熱装置 ・デフリングギア焼嵌加熱装置・バルブシート焼嵌装置 ・浮遊帯域半導体精製装置 ・他、色々な装置を手がけてきまいりました。